1.一种离子注入装置，具备测定照射于晶圆的离子束的角度分布的测定装置，所述离子注入装置的特征在于，所述测定装置具备：
狭缝，入射有所述离子束；
中央电极体，具有配置于从所述狭缝向成为所述离子束的基准的射束行进方向延伸的中心线上的射束测定面；
多个侧面电极体，配置于所述狭缝与所述中央电极体之间，且分别具有在所述狭缝的狭缝宽度方向上远离所述中心线配置的射束测定面；及
磁铁装置，对所述多个侧面电极体中的至少一个射束测定面施加绕所述狭缝的狭缝长度方向的轴弯曲的磁场。
2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，
所述磁铁装置以从所述多个侧面电极体中的至少一个射束测定面出射的磁力线入射到同一个侧面电极体的表面的方式或以入射到所述多个侧面电极体中的至少一个射束测定面的磁力线从同一个侧面电极体的表面出射的方式施加磁场。
3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，
施加于所述多个侧面电极体中的至少一个射束测定面的磁场强度被设定为，使由于所述离子束的入射而在所述射束测定面产生的二次电子的拉莫尔半径小于从所述射束测定面至所述中心线的距离。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述磁铁装置为，包含：第1磁极，配置于比所述多个侧面电极体中的至少一个射束测定面更靠所述射束行进方向的上游侧的位置；及第2磁极，配置于比所述多个侧面电极体中的至少一个射束测定面更靠所述射束行进方向的下游侧的位置，且极性与所述第1磁极不同，并以所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁力线的至少一部分与相对应的侧面电极体的射束测定面交叉的方式施加磁场。
5.根据权利要求4所述的离子注入装置，其特征在于，
所述第1磁极在所述射束行进方向上的中心位于比所述相对应的侧面电极体的射束测定面更靠近所述相对应的侧面电极体的上游端的位置，所述第2磁极在所述射束行进方向上的中心位于比所述相对应的侧面电极体的射束测定面更靠近所述相对应的侧面电极体的下游端的位置。
6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，
所述第1磁极在所述射束行进方向上的中心位于比所述相对应的侧面电极体的所述上游端更靠下游侧的位置，所述第2磁极在所述射束行进方向上的中心位于比所述相对应的侧面电极体的所述下游端更靠上游侧的位置。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述第1磁极及所述第2磁极在所述狭缝宽度方向上比所述多个侧面电极体更远离所述中心线而配置。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述多个侧面电极体包含沿所述射束行进方向排列的第1组侧面电极体及在所述狭缝宽度方向上相对于所述第1组侧面电极体隔着所述中心线对称配置的第2组侧面电极体，
所述磁铁装置以施加于所述第1组侧面电极体的磁场分布与施加于所述第2组侧面电极体的磁场分布在所述狭缝宽度方向上隔着所述中心线对称的方式施加磁场。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述磁铁装置以所述中心线上的磁力线沿着所述中心线的方式施加磁场。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述多个侧面电极体各自具有：主体部，具有所述射束测定面的至少一部分；上游侧延伸部，从所述主体部向所述射束行进方向的上游侧延伸；及下游侧延伸部，从所述主体部向所述射束行进方向的下游侧延伸，
从所述上游侧延伸部及所述下游侧延伸部各自至所述中心线的所述狭缝宽度方向的距离，大于从所述主体部至所述中心线的所述狭缝宽度方向的距离。
11.根据权利要求10所述的离子注入装置，其特征在于，
从所述下游侧延伸部至所述中心线的所述狭缝宽度方向的距离，小于从所述上游侧延伸部至所述中心线的所述狭缝宽度方向的距离。
12.根据权利要求10或11所述的离子注入装置，其特征在于，
所述上游侧延伸部及所述下游侧延伸部各自的所述射束行进方向的长度，大于所述主体部的所述射束行进方向的长度。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述主体部的射束测定面具有：上表面，在所述射束行进方向上朝向所述狭缝露出；及内侧面，在所述狭缝宽度方向上朝向所述中心线露出。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述上游侧延伸部的朝向所述中心线露出的内侧面的至少一部分，为通过比所述上游侧延伸部更靠上游侧的结构来屏蔽通过了所述狭缝的射束的入射的射束非照射面，且为在所述射束测定面产生的二次电子所入射的二次电子吸收面。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述下游侧延伸部的朝向所述中心线露出的内侧面的至少一部分，为通过所述主体部屏蔽通过了所述狭缝的射束的入射的射束非照射面，且为在所述射束测定面产生的二次电子所入射的二次电子吸收面。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述磁铁装置以施加于所述中央电极体的射束测定面的磁场分布在所述狭缝宽度方向上隔着所述中心线成为非对称的方式施加磁场。
17.根据权利要求16所述的离子注入装置，其特征在于，
所述中央电极体具有：基部，具有在所述射束行进方向上朝向所述狭缝露出的射束测定面；及一对延伸部，从所述基部的所述狭缝宽度方向上的两端各自向所述射束行进方向的上游侧延伸，
所述磁铁装置以从所述基部的射束测定面出射的磁力线入射到所述一对延伸部的一个表面的方式或以入射到所述基部的射束测定面的磁力线从所述一对延伸部的所述一个表面出射的方式施加磁场。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述测定装置还具备以所述狭缝的电位为基准而将负电压施加于所述中央电极体及所述多个侧面电极体的偏置电源。
19.一种测定装置，测定离子束的角度分布，所述测定装置的特征在于，具备：
狭缝，入射有所述离子束；
中央电极体，具有配置于从所述狭缝向成为所述离子束的基准的射束行进方向延伸的中心线上的射束测定面；
多个侧面电极体，配置于所述狭缝与所述中央电极体之间，分别具有在所述狭缝的狭缝宽度方向上远离所述中心线配置的射束测定面；及
磁铁装置，对所述多个侧面电极体中的至少一个射束测定面施加绕所述狭缝的狭缝长度方向的轴弯曲的磁场。