1.一种长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：
n型衬底；
位于所述n型衬底表面的n型dbr反射镜；
位于所述n型dbr反射镜背向所述n型衬底一侧表面的有源层；
位于所述有源层背向所述n型衬底一侧表面的环形本征层；
至少位于所述环形本征层内侧的p型重掺杂层以及至少位于所述环形本征层内侧的n型重掺杂层；所述p型重掺杂层至少覆盖所述有源层位于所述环形本征层内侧区域表面，所述n型重掺杂层位于所述p型重掺杂层背向所述n型衬底一侧表面；
位于所述环形本征层背向所述n型衬底一侧的n型导电层；所述n型导电层覆盖所述n型重掺杂层；
位于所述n型导电层背向所述n型衬底一侧表面的p型dbr反射镜；所述p型dbr反射镜与所述环形本征层内侧区域相互对应；
与所述n型导电层电连接的p面电极，以及与所述n型衬底电连接的n面电极。
2.根据权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述环形本征层的内侧呈圆柱形；所述p型dbr反射镜呈圆柱形。
3.根据权利要求2所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述p型重掺杂层的掺杂剂为碳，所述p型重掺杂层掺杂浓度的取值范围为5×1019cm-3至1×1020cm-3，包括端点值；所述n型重掺杂层的掺杂剂为锌，所述n型重掺杂层掺杂浓度的取值范围为1×1019cm-3至3×1019cm-3，包括端点值。
4.根据权利要求3所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述p型重掺杂层厚度的取值范围为8nm至15nm，包括端点值；所述n型重掺杂层厚度的取值范围为15nm至30nm，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述p面电极位于所述n型导电层背向所述n型衬底一侧表面，所述n面电极位于所述n型衬底背向所述n型dbr反射镜一侧表面。
6.根据权利要求1至5任一项权利要求所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述环形本征层的厚度等于四分之一激光器激射波长除以所述环形本征层的折射率；所述p型重掺杂层和所述n型重掺杂层均仅位于所述环形本征层内侧。
7.根据权利要求1至5任一项权利要求所述的长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述环形本征层的厚度等于二分之一激光器驻波波长；所述p型重掺杂层还覆盖所述环形本征层背向所述n型衬底一侧表面。
8.一种长波长垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：
在n型衬底表面外延生长n型dbr反射镜；
在所述n型dbr反射镜背向所述n型衬底一侧表面外延生长有源层；
在所述有源层背向所述n型衬底一侧设置环形本征层、p型重掺杂层和n型重掺杂层；所述环形本征层位于所述有源层背向所述n型衬底一侧表面；所述p型重掺杂层以及所述n型重掺杂层均至少位于所述环形本征层内侧，所述p型重掺杂层至少覆盖所述有源层位于所述环形本征层内侧区域表面，所述n型重掺杂层位于所述p型重掺杂层背向所述n型衬底一侧表面；
在所述环形本征层背向所述n型衬底一侧外延生长n型导电层；所述n型导电层覆盖所述n型重掺杂层；
在所述n型导电层背向所述n型衬底一侧表面外延生长p型dbr反射镜；所述p型dbr反射镜与所述环形本征层内侧区域相互对应；
设置与所述n型导电层电连接的p面电极，以及与所述n型衬底电连接的n面电极，以制成所述长波长垂直腔面发射激光器。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述有源层背向所述n型衬底一侧设置环形本征层、p型重掺杂层和n型重掺杂层包括：
在所述有源层背向所述n型衬底一侧表面依次选择区域外延生长p型重掺杂层和n型重掺杂层；所述n型重掺杂层仅位于所述p型重掺杂层背向所述n型衬底一侧表面；
在所述有源层背向所述n型衬底一侧表面选择区域外延生长包围所述p型重掺杂层和所述n型重掺杂层的环形本征层。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述有源层背向所述n型衬底一侧设置环形本征层、p型重掺杂层和n型重掺杂层包括：
在所述有源层背向所述n型衬底一侧表面外延生长本征层；
刻蚀所述本征层表面的预设区域以形成环形本征层，暴露所述有源层背向所述n型衬底一侧表面的预设区域；
在所述环形本征层表面依次外延生长p型重掺杂层和n型重掺杂层；所述p型重掺杂层覆盖所述有源层位于所述环形本征层内侧区域表面以及覆盖所述本征层背向所述n型衬底一侧表面。