技术总结
本发明公开了一种长波长垂直腔面发射激光器，在有源层背向n型衬底一侧表面设置有环形本征层，在环形本征层内侧设置有p型重掺杂层以及位于p型重掺杂层背向n型衬底一侧表面的n型重掺杂层以构成掩埋隧道结结构。通过p型重掺杂层和n型重掺杂层形成隧穿导通区，并且由于环形本征层的电导率极低，使得电流只会从环形本征层中心通过隧穿导通区通过，通过控制环形本征层中心的图形，可以形成有效的电流限制；同时通过对环形本征层厚度的控制，可以实现在环形本征层覆盖区域的光限制，从而使得长波长垂直腔面发射激光器中电流以及光线更加集中，以提高长波长垂直腔面发射激光器的性能。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。
技术研发人员：张星
受保护的技术使用者：长春中科长光时空光电技术有限公司
技术研发日：2019.12.12
技术公布日：2020.03.27