发光二极管及其制备方法与流程

技术总结
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法，包括：将金属化合物前驱体沉积在基质上，形成金属化合物前驱体薄膜；采用红外激光照射金属化合物前驱体薄膜，进行退火处理，形成电子传输层。解决了现有电子传输层的退火工艺容易造成对器件内部损伤的问题。造成对器件内部损伤的问题。造成对器件内部损伤的问题。


技术研发人员：敖资通 严怡然 杨帆
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
技术研发日：2019.12.31
技术公布日：2021/7/15