一种低表面浓度深结太阳能电池片的制作方法

本实用新型涉及太阳能电池领域，特别是涉及一种低表面浓度深结太阳能电池片。

背景技术：

当前常规晶硅电池随着产业化的发展，转换效率提升和成本降低都有了较大的进步。晶硅太阳能电池片的制造工艺一般有如下几个步骤：化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结。太阳能电池片在将光能转换成电能的过程中，其内部产生的光生载流子需要通过外部印刷的电极收集并引出，然后与外部电路连接，从而将电流输送出来。

单晶硅片表面较轻的掺杂可以减少少子复合，增加少子寿命，但较轻的掺杂易导致金属电极银与硅接触不好，增大接触电阻，而较重的掺杂则完全相反，如能结合两者优势，消除缺陷，对提高电池片性能和转化效率具有着十分重要的意义。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种质量优良、性能稳定、电池转化效率高的低表面浓度深结太阳能电池片。

为实现上述实用新型目的，本实用新型的技术方案是：一种低表面浓度深结太阳能电池片，包括晶体硅片、设置于晶体硅片受光面的栅线电极以及设置于晶体硅片背光面的背电极，其特征在于，所述晶体硅片由上下分布的扩散层和基底层构成，所述扩散层分为轻掺杂区和重掺杂区，重掺杂区分布于栅线电极的栅线的下方，重掺杂区的顶端面与栅线电极的栅线的底端面重叠且大小一致，所述重掺杂区的掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度，重掺杂区的结深高于轻掺杂区的结深。

进一步地，所述重掺杂区的掺杂浓度为1.0×10²⁰cm^-3～3.0×10²⁰cm^-3，结深为600nm～800nm；所述轻掺杂区的掺杂浓度为1.0×10¹⁶cm^-3～1.0×10¹⁷cm^-3，结深为100nm～500nm。

进一步地，所述栅线电极为正银电极；所述背电极为银铝电极。

进一步地，所述晶体硅片为为p型硅片；所述扩散层为磷扩散层。

进一步地，所述晶体硅片的扩散层上附着有一层氮化硅膜，减少光的反射损失，增强了吸收光的强度。

本实用新型的有益效果为：采用重掺杂区和轻掺杂区结合的方式，栅线电极以下区域形成高浓度掺杂，栅线电极以外区域形成低浓度掺杂，减少了表面复合，提高少数载流子寿命，同时提高了重掺杂区的结深，进一步提高了电池的开路电压以及短路电流，从而提高了电池的转化效率，适合生产线大批量生产应用。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图中：晶体硅片1、栅线电极2、背电极3、基底层11、扩散层12、轻掺杂区121、重掺杂区122、氮化硅膜4。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

如图1所示，一种低表面浓度深结太阳能电池片，包括晶体硅片1、设置于晶体硅片1受光面的栅线电极2以及设置于晶体硅片1背光面的背电极3，栅线电极2最好为正银电极；背电极3最好为银铝电极，晶体硅片1由上下分布的扩散层12和基底层11构成，晶体硅片1为p型硅片，扩散层12为磷扩散层；扩散层12分为轻掺杂区121和重掺杂区122，重掺杂区122分布于栅线电极2的栅线的下方，重掺杂区122的顶端面与栅线电极2的栅线的底端面重叠且大小一致，重掺杂区122的掺杂浓度高于轻掺杂区121的掺杂浓度，重掺杂区122的结深高于轻掺杂区121的结深；重掺杂区122的掺杂浓度最好为1.0×10²⁰cm^-3～3.0×10²⁰cm^-3，结深最好为600nm～800nm；轻掺杂区121的掺杂浓度最好为1.0×10¹⁶cm^-3～1.0×10¹⁷cm^-3，结深最好为100nm～500nm；晶体硅片1的扩散层12上附着有一层氮化硅膜4，减少光的反射损失，增强了吸收光的强度。

所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。