导电胶膜的制作方法

本实用新型涉及一种导电胶膜，尤其涉及一种能供小尺寸垂直型态半导体裸晶(或称为半导体晶粒)进行电气特性测试的导电胶膜。

背景技术：

半导体元件(涵盖光电元件)在晶圆上制造完成后晶切割即获得半导体裸晶(或称为半导体晶粒)。半导体裸晶须通过针测仪器以检测其电气特性，检测其是否为不良品。检测为不合格的半导体裸晶将标上记号。检测为合格的半导体裸晶依其电气特性进行分类，再进行下一个封装制程。

具有上电极与下电极的半导体裸晶称为垂直型态半导体裸晶。不少半导体发光元件的结构即为垂直型态。现行垂直型态半导体裸晶需通过导电胶膜进行电气特性测试，以缩短测试时间，提升整体制成效率。

请参阅图1，图1是先前技术的导电胶膜1的局部剖面视图。

如图1所示，先前技术的导电胶膜1包含导电布10、导电网格12以及导电胶层14。导电网格12是将导电浆(例如，银浆)以网版印刷方式形成于导电布10上。导电胶层14接合于导电网格12，并且通过导电网格12的多个网目122与导电布10接合。

先前技术的导电胶膜1能与测试系统(未示出于图1中)配合，用以测试垂直型态半导体裸晶(未示出于图1中)。先前技术的导电胶膜1放置于测试系统的平台上。垂直型态半导体裸晶的下电极粘着于导电胶层14上。测试系统的第一探针抵接垂直型态半导体裸晶的上电极。测试系统的第二探针经由先前技术的导电胶膜1与垂直型态半导体裸晶的下电极成电气连接。测试系统进而对垂直型态半导体裸晶施加测试电流以进行电气特性测试。

然而，受限于网版印刷的解析度，导电网格12的网目122尺寸也受限，其网目122尺寸最小为0.1mm×0.2mm。但是，随着有些类型的垂直型态半导体裸晶朝向小尺寸甚至极小尺寸发展，例如，mini-led与micro-led等。mini-led的尺寸为100～200μm(长边或宽边)，micro-led的尺寸为100μm以下(长边或宽边)。上述小尺寸与极小尺寸的垂直型态半导体裸晶粘着于先前技术的导电胶膜1上，测试系统的第一探针抵接垂直型态半导体裸晶的上电极上，垂直型态半导体裸晶很可能发生歪斜，导致电气特性测试无法进行。

此外，运用银浆来制造先前技术的导电胶膜1，会导致先前技术的导电胶膜1的制造成本过高。

此外，先前技术的导电胶膜1的导电胶层14因需配合以银浆形成的导电网格12，导致运用先前技术的导电胶膜1进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试且施加大电流测试后，测试过程中垂直型态半导体裸晶的温度升高，受测的垂直型态半导体裸晶的下电极表面常常会有残胶的情形发生。

此外，运用先前技术的导电胶膜1进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，其测试精准度仍有提升的空间。

技术实现要素：

因此，本实用新型所欲解决的技术问题在于提供一种能供小尺寸垂直型态半导体裸晶进行电气特性测试的导电胶膜。并且，运用根据本实用新型的导电胶膜进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，尤其是针对极小尺寸垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，其测试精准度明显提升。

根据本实用新型的较佳具体实施例的导电胶膜包含导电基材、第一导电胶层、多孔薄膜以及第二导电胶层。第一导电胶层接合于导电基材上。多孔薄膜接合于第一导电胶层上。多孔薄膜是由多根纤维所构成，并且具有多个通孔。第二导电胶层接合于多孔薄膜上。第二导电胶层通过多孔薄膜的多个通孔与第一导电胶层接合。第一导电胶层的第一粘着力大于第二导电胶层的第二粘着力。第二导电胶层的第二粘着力等于或小于400gf。多孔薄膜的第一厚度等于或小于50μm。

于一具体实施例中，第一导电胶层的第一粘着力大于400gf。

于一具体实施例中，第一导电胶层包含第一胶本体层以及多颗第一导电颗粒。多颗第一导电颗粒均匀分布于第一胶本体层以及多孔薄膜的多个通孔内。

于一具体实施例中，第二导电胶层包含第二胶本体层以及多颗第二导电颗粒。多颗第二导电颗粒均匀分布于第二胶本体层以及多孔薄膜的多个通孔内。

于一具体实施例中，第二导电胶层的第二厚度等于或小于15μm。

于一具体实施例中，第一导电胶层的第三厚度等于或小于15μm。

于一具体实施例中，导电基材的第四厚度等于或小于200μm。

于一具体实施例中，导电基材可以是铜箔、铝箔或导电布等。

于一具体实施例中，导电基材的第一表面电阻等于或小于0.1ω。

于一具体实施例中，第二导电胶层的第二表面电阻等于0.1ω。

于一具体实施例中，多孔薄膜的多个通孔的孔径等于或小于30μm。

于实际应用中，根据本实用新型的导电胶膜能供半导体裸晶进行电气特性测试。半导体裸晶包含上电极以及下电极。半导体裸晶以下电极粘着于第二导电胶层上。半导体裸晶的长边等于或小于6mil(千分之一英寸)，半导体裸晶的宽边等于或小于6mil。

于一具体实施例中，所述半导体裸晶的所述长边等于6mil，所述半导体裸晶的所述宽边等于6mil，所述电气特性测试施加测试电流为0.01ma且在顺向偏压下，所述电气特性测试的误差跳动范围为±0.02v。

与先前技术不同，根据本实用新型的导电胶膜没有先前技术用导电浆形成导电网格在制程解析度的限制，所以根据本实用新型的导电胶膜能供小尺寸垂直型态半导体裸晶进行电气特性测试。并且，运用根据本实用新型的导电胶膜进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，尤其是针对极小尺寸垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，其测试精准度明显提升。施加大电流进行电气特性测试后，垂直型态半导体裸晶的下电极表面不会有残胶的情形。

关于本实用新型的优点与精神可以通过以下的实施方式及附图得到进一步的了解。

附图说明

图1是先前技术的导电胶膜的局部剖面视图；

图2是根据本实用新型的较佳具体实施例的导电胶膜的局部剖面视图。

附图标记说明：

1：导电胶膜；10：导电布；

12：导电网格；122：网目；

14：导电胶层；2：导电胶膜；

20：导电基材22：第一导电胶层；

222：第一胶本体层；224：第一导电颗粒；

24：多孔薄膜；242：纤维；

244：通孔；26：第二导电胶层；

262：第二胶本体层；264：第二导电颗粒。

具体实施方式

请参阅图2，图2是根据本实用新型的较佳具体实施例的导电胶膜2的局部剖面视图。

如图2所示，根据本实用新型的较佳具体实施例的导电胶膜2包含导电基材20、第一导电胶层22、多孔薄膜24以及第二导电胶层26。

第一导电胶层22接合于导电基材20上。

于一具体实施例中，导电基材20可以是铜箔、铝箔或导电布等。

多孔薄膜24接合于第一导电胶层22上。多孔薄膜24是由多根纤维242所构成，并且具有多个通孔244。

于一具体实施例中，构成多孔薄膜24的纤维242可以是高分子纤维或导电纤维。导电纤维可以是碳纤维、金属纤维(例如，不锈钢纤维)或金属化纤维(例如，表面被覆银薄膜的高分子纤维)。构成多孔薄膜24的纤维242的型态可以是长纤维或短纤维。

于一具体实施例中，多孔薄膜24的多个通孔244的孔径等于或小于30μm。

第二导电胶层26接合于多孔薄膜24上。第二导电胶层26通过多孔薄膜24的多个通孔244与第一导电胶层22接合。

于一具体实施例中，第一导电胶层22包含第一胶本体层222以及多颗第一导电颗粒224。多颗第一导电颗粒224均匀分布于第一胶本体层222以及多孔薄膜24的多个通孔244内。于实际应用中，第一导电颗粒224可以包含各种导电颗粒，例如，银颗粒、铜颗粒、镍颗粒、铝颗粒等金属颗粒，以及石墨颗粒、石墨烯颗粒等非金属导电颗粒。

于一具体实施例中，第二导电胶层26包含第二胶本体层262以及多颗第二导电颗粒264。多颗第二导电颗粒264均匀分布于第二胶本体层262以及多孔薄膜24的多个通孔244内。于实际应用中，第二导电颗粒264也可以包含各种导电颗粒，例如，银颗粒、铜颗粒、镍颗粒、铝颗粒等金属颗粒，以及石墨颗粒、石墨烯颗粒等非金属导电颗粒。

特别地，第一导电胶层22的第一粘着力大于第二导电胶层26的第二粘着力。第二导电胶层26的第二粘着力等于或小于400gf。多孔薄膜24的第一厚度等于或小于50μm。

于一具体实施例中，第一导电胶层22的第一粘着力大于400gf。

显见地，根据本实用新型的导电胶膜2没有先前技术用导电浆形成导电网格在制程解析度的限制，所以能供小尺寸垂直型态半导体裸晶进行电气特性测试，甚至能供极小尺寸垂直型态半导体裸晶进行电气特性测试。施加大电流进行电气特性测试后，垂直型态半导体裸晶的下电极表面不会有残胶的情形。

进一步，根据本实用新型的较佳具体实施例的导电胶膜2还包含离型层(未示出于图2)。离型层贴合于第二导电胶层26上。根据本实用新型的较佳具体实施例的导电胶膜2在使用之前，先将离型层撕除。

为提升运用根据本实用新型的导电胶膜2进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试的测试精准度，根据本实用新型的导电胶膜2各层结构的参数也进一步研究、限制。根据本实用新型的导电胶膜2各层结构的参数限制详述于下文。

于一具体实施例中，第二导电胶层26的第二厚度等于或小于15μm。

于一具体实施例中，第一导电胶层22的第三厚度等于或小于15μm。

于一具体实施例中，导电基材20的第四厚度等于或小于200μm。

经9点欧姆计量测，根据本实用新型的导电胶膜2的导电基材20的第一表面电阻等于或小于0.1ω。

经9点欧姆计量测，根据本实用新型的导电胶膜2的第二导电胶层26的第二表面电阻等于0.1ω。

于实际应用中，根据本实用新型的导电胶膜2能供半导体裸晶进行电气特性测试。半导体裸晶包含上电极以及下电极，也就是垂直型态半导体裸晶。半导体裸晶是以下电极粘着于第二导电胶层26上。半导体裸晶的长边等于或小于6mil(约140μm)，半导体裸晶的宽边等于或小于6mil。

于一测试范例中，半导体裸晶的长边等于6mil，半导体裸晶的宽边等于6mil，电气特性测试施加测试电流为0.01ma且在顺向偏压下，电性测试的误差跳动范围为±0.02v。显见地，运用根据本实用新型的导电胶膜进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，其测试精准度极高。

通过以上对本实用新型的详细说明，可以清楚了解根据本实用新型的导电胶膜没有先前技术用导电浆形成导电网格在制程解析度的限制，所以根据本实用新型的导电胶膜能供小尺寸垂直型态半导体裸晶进行电气特性测试，甚至能供极小尺寸垂直型态半导体裸晶进行电气特性测试。根据本实用新型的导电胶膜没有先前技术用导电浆，其制造成本明显较低。并且，运用根据本实用新型的导电胶膜进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，尤其是针对极小尺寸垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，其测试精准度明显提升。施加大电流进行电气特性测试后，垂直型态半导体裸晶的下电极表面不会有残胶的情形。

通过以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本实用新型的特征与精神，而并非以上述所揭示的较佳具体实施例来对本实用新型的面向加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本实用新型所附权利要求范围的面向内。因此，本实用新型所附权利要求范围的面向应该根据上述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安排。