使用增材制造的互锁用嵌入式特征的制作方法

本公开处于增材制造的技术领域中，且更具体来说，处于制造具有互锁以及嵌入式识别特征(identificationfeature)的组件的技术领域中。

背景技术：

半导体器件是使用复杂的半导体处理系统制造的，所述复杂的半导体处理系统包括多个不同的组件。半导体良率及性能依赖于这些组件的相互作用及合作。举例来说，如果一个组件低于目标规格，则所得半导体器件可能会受到不利影响。

因此，设备制造商试图提供高品质组件来用于这些复杂的半导体处理系统。设备制造商接着基于每一组件的规格来规定整体系统性能。

这些复杂的半导体系统中使用的组件中的一些组件可能会因使用或磨损(wearout)而损耗(wearout)。常常，可从第三方供应商获得替换部件。不幸的是，这些第三方组件中的一些组件可能未被制作成与原始组件相同的规格。因此，由于这些劣质的第三方组件，性能、效率或良率可能会劣化。

不幸的是，在大多数半导体处理系统中，不能判断系统是否只包含符合期望规格的组件。因此，在替换组件之后，系统可能不再以其规定的水平实行。因此，可能要求原始制造商启动产品支持工作来解决这些感知到的品质或性能问题。

如果存在一种判断在半导体制造系统中使用的组件是否有资格在此系统上使用的方法，则将为有益的。此外，如果利用嵌入在组件中的一些识别特征来实行这种方法，则将为有利的。

技术实现要素：

本公开阐述一种用于判断半导体制造系统中的组件是否被授权在此系统中使用的方法及装置。通过在组件中嵌入识别特征，控制器可判断此组件是否有资格在系统中使用。在检测到未授权的组件时，系统可向用户报警、更改系统的操作，或者在某些实施例中，停止操作系统。这种识别特征利用增材制造工艺嵌入到组件中，所述增材制造工艺允许识别特征嵌入到组件中而不使识别特征经受极端温度。

根据一个实施例，公开一种离子植入系统。所述离子植入系统包括：控制器，与接收器进行通信；以及组件，具有空腔以及设置在所述空腔中的识别特征；其中所述控制器输出信号，所述信号在被传送到所述接收器之前被所述识别特征接收到并被所述识别特征修改。在某些实施例中，所述信号包括光信号，且所述识别特征对所述信号的频率、相位或幅值进行修改。在某些实施例中，所述信号包括模拟信号(analogsignal)，且所述识别特征对所述信号的频率、相位或幅值进行修改。在某些实施例中，所述信号包括数字信号(digitalsignal)，且所述识别特征对所述信号的频率、工作循环或相位进行修改。在某些实施例中，所述信号包括数字信号，且所述识别特征通过对所述信号附加唯一识别符来修改所述信号。

根据另一个实施例，公开一种离子植入系统。所述离子植入系统包括：控制器，与接收器进行通信；以及组件，具有空腔以及设置在所述空腔中的识别特征；其中所述控制器输出信号，所述信号在被传送到所述接收器之前被所述识别特征接收到且被所述识别特征修改；且其中所述控制器分析由所述接收器接收到的所述信号以确定所述组件的特性。在某些实施例中，所述离子植入系统包括第二组件，所述第二组件具有空腔以及第二识别特征，其中从所述识别特征输出的所述信号在被所述接收器接收到之前被所述第二识别特征接收到且被所述第二识别特征修改。在某些实施例中，所述特性包括所述组件是否被授权在所述离子植入系统上运行。在一些实施例中，所述控制器基于所述特性来实行动作。所述动作可包括修改所述离子植入系统的至少一个操作参数。所述动作可包括启动对操作员的报警。

根据另一个实施例，公开一种离子植入系统。所述离子植入系统包括至少一个组件，所述至少一个组件包括空腔以及识别特征；其中所述空腔包括位于所述空腔的内部与所述组件的外部之间的至少一个通路，且其中所述识别特征设置在所述空腔中且所述空腔的顶部被金属条密封。在某些实施例中，所述识别特征在至少一个维度上大于所述通路。在某些实施例中，所述离子植入系统包括第二组件，所述第二组件具有第二识别特征，其中所述识别特征与所述第二识别特征进行通信。在某些实施例中，所述识别特征包括幅值改变元件、频率改变元件或相位改变元件。在一些实施例中，所述空腔的所述顶部利用超声波增材制造进行密封。

附图说明

参考附图来更好地理解本公开，在附图中相同的元件以相同的编号引用，且其中：

图1a到图1c示出根据一个实施例的具有嵌入式识别特征的组件的制作。

图2a到图2c示出根据第二实施例的具有嵌入式识别特征的组件的制作。

图3示出使用图1c所示组件的认证机制的第一实施例。

图4示出使用图1c所示组件的认证机制的第二实施例。

图5示出使用图1c所示组件的认证机制的第三实施例。

图6示出用于半导体制造系统的代表性控制系统。

图7示出根据一个实施例的有多个组件具有识别特征的系统。

图8示出根据第二实施例的有多个组件具有识别特征的系统。

图9示出利用具有嵌入式识别特征的组件的离子植入系统。

具体实施方式

如上所述，半导体制造系统可由多个组件构成。在这些组件中的任何或所有组件中可嵌入有识别特征，以允许系统对组件进行识别。识别特征可为可用于识别组件的任何元件。在某些实施例中，组件可为环形环，例如垫圈(gasket)、凸缘(flange)或其他相似的组件。在其他实施例中，组件可为矩形形状。当然，组件也可为任何其他形状。

图1a到图1c示出用于将识别特征嵌入组件中的顺序。图1a示出塑形为环形环或中空圆柱体的组件100。首先，如图1a所示，空腔110可删减地引入到组件100的侧壁中。此空腔110在一些实施例中可呈通道形式。此空腔110可通过研磨、蚀刻或任何其他合适的工艺制成。此外，空腔110可为任何期望的宽度及深度。在其他实施例中，组件100可能已利用增材制造形成。在此实施例中，空腔110可随着组件100的生长而形成。在又一些实施例中，组件100可利用铸件或模具形成。在此实施例中，空腔110可在铸造或模制工艺期间形成。在所有实施例中，形成具有空腔110的组件100。

在形成具有空腔110的组件100之后，可在空腔110中插入识别特征120，例如光纤缆线。尽管图中示出光纤缆线，然而应理解，也可插入任何其他类型的识别特征。识别特征可为印刷电路板、电路、一个或多个光发射器、一个或多个传感器、电导管或这些元件的任何组合。

在已将识别特征120插入到空腔110之后，空腔110的顶部被密封。此可利用增材制造技术来完成。在一个实施例中，组件100可由金属制成，且可采用超声波增材制造工艺。在此工艺中，在空腔110之上设置金属层，所述金属层可为金属条130。在一些实施例中，金属条130可比空腔110的宽度宽。利用包括一个或多个朝喇叭发射超声波的换能器的装置来将金属条130沉积在组件100上。金属条130与喇叭接触，且因此经受超声波以及所施加的压力。这些超声波用于在不使用热量的情况下将金属条130焊接到组件100。在一些实施例中，将多个金属条130焊接到组件100。因此，即使对热极端敏感的识别特征也可嵌入到空腔110中而不会损坏。在空腔110被金属条130覆盖的同时，在空腔110的至少一端上保留通道140。在某些实施例中，在空腔110的两端上保留通道140。这样一来，导管(例如，光纤缆线或电线)可穿过空腔110布线，并在空腔110的两端离开。在某些实施例中，设置在空腔110中的识别特征120在至少一个维度上大于通道140，使得一旦金属条130焊接在合适的位置，识别特征120便无法插入或从空腔110移除。

尽管图1a到图1c示出在类似于通道的空腔110中设置有识别特征120的组件100，然而也可存在其他实施例。图2a到图2c示出包括空腔160的呈矩形棱柱形式的组件150。此空腔160可以多种方式形成。举例来说，空腔160可通过减材制造技术(例如，研磨、蚀刻或另一种合适的工艺)形成。作为另外一种选择，组件150可通过模制来制作，其中模制包括形成空腔160的突出部。在其他实施例中，组件150可能已利用增材制造形成。在此实施例中，空腔160可随着组件150的生长而形成。在一个实施例中，组件150可由金属制成。

在图2b中，在空腔160中设置有识别特征170。如同识别特征120一样，识别特征170可为光纤缆线、印刷电路板、电路、一个或多个光发射器、一个或多个传感器、电导管或这些元件的任何组合。此外，示出将空腔160连接到组件150的外表面的通道190。此通道190的至少一个维度可小于空腔160的对应维度。

在图2c中，例如通过利用超声波增材制造(ultrasonicadditivemanufacturing，uam)来将金属条180焊接在空腔160之上。如上所述，uam在不使用热量的情况下进行焊接，且因此，识别特征170不会因焊接工艺而被损坏。此外，如果识别特征170在至少一个维度上大于通道190，则无法在不移除金属条180的情况下从组件150移除识别特征170。空腔160可通过一个或多个通道190与组件的外部连通。举例来说，在图2c所示的一个实施例中，通道190设置在空腔160的相对侧上。然而，在其他实施例中，可能只存在一个通道190。在又一些实施例中，可存在两个通道190，但是这两个通道190可设置在组件150的相邻侧或同一侧上。在又一些实施例中，可存在多于两个通道190。因此，通道190的数目及位置不受本公开的限制。

此外，尽管各个图将通道示出为仅为敞开的路径，然而应理解，在这些通道中可设置有连接件或其他接口组件以使得相邻的组件与识别特征可实体地连接在一起。

因此，uam工艺允许比将识别特征连接到组件外部的通道大的识别特征嵌入到组件的内部中。举例来说，可在组件中嵌入至少一个维度比通道大的印刷电路板。相似地，识别特征可包括传感器或光发射器，所述传感器或光发射器的至少一个维度比通道大。

这样一来，可将复杂的识别特征嵌入到组件中以实现复杂的识别方案。此外，使用uam在识别特征之上焊接金属条会阻碍或阻止试图复制或伪造组件者。

在组件中形成空腔、在此空腔中放置识别特征、以及通过超声波增材制造工艺来密封内部具有识别特征的空腔的顶部的能力具有许多应用。

图3到图5示出利用经由光纤缆线传送的光束来判断组件是否被授权在半导体制造系统中使用的各种实施例。在每一个实施例中，使用光源200将光发射到设置在第一组件210中的光纤缆线211中。在每一个实施例中，当光束离开第二组件230中的光纤缆线231时，使用传感器220捕获光束的输出。应注意，这种配置只是出于例示目的。举例来说，在一些实施例中，传感器220可设置在第二组件230中。在某些实施例中，光源200可设置在第一组件210中。

图3到图5示出三个组件来例示认证机制可包括多个不同的组件。然而，认证机制可使用任意数目的组件来实行。举例来说，可省略第一组件及第二组件中的一者或两者。作为另外一种选择，也可向认证机制添加更多组件。

图3到图5中的每一者示出设置在第一组件210与第二组件230之间的第三组件。在某些实施例中，第一组件210及第二组件230与第三组件相邻并夹置第三组件。在每一图中，第三组件包括用作认证机制的一部分的识别特征。

图3示出认证机制的第一实施例。在此实施例中，设置在第一组件210与第二组件230之间的第三组件250包括识别特征，所述识别特征是连接第一组件210中的光纤缆线211与第二组件230中的光纤缆线231的导管251。此导管251可为光纤缆线或另一种合适的导管。在此实施例中，从光源200发射的光应在穿过第一组件210、第二组件230及第三组件250之后被传感器220接收到。如果传感器220没有检测到光，则认证失败。

图4示出认证机制的第二实施例。在此实施例中，设置在第一组件210与第二组件230之间的第三组件260包括识别特征，所述识别特征是设置在第一组件210中的光纤缆线211与第二组件230中的光纤缆线231之间的幅值改变元件261。此幅值改变元件261可使从光纤缆线211接收的信号衰减。在另一个实施例中，此幅值改变元件261可将从光纤缆线211接收的信号放大。在此实施例中，从光源200发射的光应在穿过第一组件210、第二组件230及第三组件260之后被传感器220接收到。如果传感器220没有检测到所定义的光幅值的改变，则认证失败。尽管图4示出对光进行衰减及放大的单个组件(即，第二组件230)，然而本公开不限于此实施例。幅值修改可在多个组件中进行且可进行多次。在某些实施例中，每一组件的衰减或放大是唯一的以使得系统可判断哪个组件不具有必要的识别特征。

图5示出认证机制的第三实施例。在此实施例中，设置在第一组件210与第二组件230之间的第三组件270包括识别特征，所述识别特征是设置在第一组件210中的光纤缆线211与第二组件230中的光纤缆线231之间的频率改变元件271。此频率改变元件271可将恒定的光束转换成一系列脉冲，如图5所示。在另一个实施例中，此频率改变元件271可对从光纤缆线211接收到的时变信号(time-varyingsignal)进行修改。在此实施例中，从光源200发射的光应在穿过第一组件210、第二组件230及第三组件270之后被传感器220接收到。如果传感器220没有检测到所定义的光频率的改变，则认证失败。尽管图5示出对光束的频率进行修改的单个组件(即，第二组件230)，然而本公开并非仅限于此实施例。频率修改可在多个组件中进行且可进行多次。

在其他实施例中，识别特征可为相位改变元件，所述相位改变元件改变接收脉冲信号的相位。在某些实施例中，所述识别可对光束的一个或多个特性进行修改，其中所述特性包括幅值、频率及相位。

尽管图3到图5示出光源200及传感器220，然而应理解，也可利用其他器件。举例来说，代替光源200及光纤缆线，认证机制可利用模拟电信号及电导管。在某些实施例中，光源200及传感器220被模拟电组件替换，而识别特征的功能不受影响。换句话说，识别特征可用于传递模拟信号、改变模拟信号的幅值、改变模拟信号的频率或改变模拟信号的相位。

在又一些实施例中，可在组件之间传递数字电信号。举例来说，在某些实施例中，数字电信号可包括方波、时钟信号、脉冲串(pulsetrain)或其他调制信号。在此实施例中，识别特征可对接收到的数字信号的频率进行改变。在某些实施例中，识别特征可对接收到的数字信号的相位进行改变。在又一些实施例中，识别特征可在将接收到的数字信号传送到第二组件之前对接收到的数字信号的工作循环进行修改。

在其他实施例中，识别特征可包括能够响应于来自半导体制造系统的请求而提供识别符的电路或存储器存储元件。举例来说，对于识别的请求可由控制器传送。此请求可在串行接口或并行接口上传送。作为响应，识别特征返回唯一识别符。在另一个实施例中，数字信号可从第一组件传送到第三组件以及传送到第二组件。当每一组件接收到传入信号时，此组件会在传入信号的末尾附加唯一的识别符。这样一来，在系统中的最末组件将信号传送回控制器之后，控制器可识别系统中的所有组件以及这些组件的实体配置。举例来说，控制器可通过传送起始符号(startersymbol)来发起序列。第一组件可接收起始符号，并在起始符号的末尾附加第一唯一识别符。下一组件可接收包括起始符号及第一唯一识别符的数字序列，并附加第二唯一识别符。这一直持续到所有组件均接收到数字序列并附加它们各自的唯一识别符。控制器可接着对接收到的数字序列进行解析以识别每一组件及其配置次序。

因此，在某些实施例中，每一组件中的识别特征与彼此进行通信。在一些实施例中，识别特征使用缆线(例如，电导体或光纤缆线)进行连接。在某些实施例中，组件可以菊花链形式链接在一起。在一些实施例中，在通道处或通道附近设置有连接件。组件使用附装到设置在两个相邻的组件上的连接件的导管进行连接。在其他实施例中，一个组件的连接件直接附装到相邻组件的连接件。举例来说，相邻组件可被配置成使一个组件具有阳连接件(maleconnector)，而相邻组件利用阴连接件(femaleconnector)。这样一来，可简单地将这两个组件压在一起，以建立相邻的识别特征之间的连接。连接件可为标准连接件，或者可定制。

图6示出代表性半导体制造系统300的控制系统的简化图。半导体制造系统300包括一个或多个组件，例如第一组件210、第二组件230及第三组件310。系统还包括信号源320。信号源可为光源、模拟电信号源或数字信号源。系统还包括信号接收器330。信号接收器330可与控制器340进行通信。控制器340可包括与存储元件342进行通信的处理单元341。存储元件342可为任何非暂时性介质，例如动态存储器(动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram))、随机存取存储器(randomaccessmemory，ram)、只读存储器(readonlymemory，rom)、电可擦存储器(electricalerasablememory，eerom)、闪存存储器、磁性介质或光学介质。也可使用其他类型的介质来形成存储元件342。存储元件342包含指令，所述指令在由处理单元341执行时使控制器340能够实行本文所述功能。处理单元341可为任何合适的器件，例如通用处理器、专用处理器或嵌入式处理器。

在操作中，控制器340可指示信号源320输出特定信号。此信号可通过第一组件210、第三组件310及第二组件230。这些组件中的一者或多者可操纵或更改信号源320输出的信号。信号最终由信号接收器330接收。接着由信号接收器330或由控制器340来对此接收到的信号进行处理以判断此接收到的信号是否处于可接受的参数范围内。如果控制器340确定接收到的信号符合这些标准，则半导体制造系统300正常运行。如果控制器340确定接收到的信号不符合这些标准，则控制器340可就这一事实向操作员报警。报警可为视觉消息的形式，例如在显示器件或远程器件上。作为另外一种选择，报警可为可听警报(audiblealarm)。在其他实施例中，如果控制器340确定接收到的信号不符合标准，则半导体制造系统300可不运转。

尽管图6示出信号通过三个组件，然而应注意，也可存在其他实施例。举例来说，可对系统中欲被授权的每一相应组件使用单独的信号源及信号接收器。

图7示出根据一个实施例的有多个组件具有识别特征的系统。在此种配置中，存在离子源700、屏蔽套管710、套管720、套管凸缘730及源室740。这些组件在实体上以这种次序排列。这些组件中的一者或多者可具有封闭在空腔780中的识别特征760，其中空腔780的顶部利用uam进行密封。可使用控制器750来向系统引入信号。此控制器750可包括与存储元件进行通信的处理单元。存储元件可为任何非暂时性介质，例如动态存储器(dram)、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、电可擦存储器(eerom)、闪存存储器、磁性介质或光学介质。也可使用其他类型的介质来形成存储元件。存储元件包含指令，所述指令在由处理单元执行时使控制器750能够实行本文所述功能。处理单元可为任何合适的器件，例如通用处理器、专用处理器或嵌入式处理器。控制器750可与传送信号的输出端755进行通信。

如上所述，此信号可为光纤信号、模拟信号或数字信号。此信号经由设置在每一组件中的空腔而在各个组件之间传送。如上所述，这些组件中的一者或多者可包括识别特征760，当信号经由组件传送时，识别特征760对信号进行修改。在由各个空腔界定的路径的远端处设置有接收器770，接收器770可为光传感器或电接收器。接收器770可与控制器750进行通信。控制器750接着对由接收器770接收到的信号进行分析。在某些实施例中，控制器750在幅值、频率、工作循环及相位方面将接收到的信号与预期信号进行比较。在其他实施例中，控制器可对接收到的数字信号进行解释以对所述数字信号进行解码。基于比较或分析的结果，控制器750可确定一个或多个组件没有被授权在系统中使用。这种确定可基于接收到的幅值、频率、工作循环或相位来进行。基于这种分析，控制器750可采取一个或多个动作。如果一个或多个组件没有被授权在系统中使用，则控制器750可向操作员报警。控制器750还可基于比较或分析的结果而中止系统的操作。

图8示出根据另一实施例的有多个组件具有识别特征的系统。在此实施例中，路径是环形的，使得路径在同一位置处开始及结束。举例来说，控制器750可与接近一个组件(例如，源室740)的输出端755进行通信。接收器770也接近源室740定位。信号行进穿过源室740、套管凸缘730、套管720、屏蔽套管710及离子源700。离子源700还输出信号，所述信号接着在到达接收器770之前行进穿过屏蔽套管710、套管720、套管凸缘730及源室740。在此实施例中，每一组件(除离子源700之外)具有两个空腔，使得信号可环回穿过组件。离子源700具有可呈u形状排列的单个空腔。

尽管图6到图8将控制器示出为单独的组件，然而也可存在其他实施例。举例来说，控制器可驻留在各个组件中的一个组件内的各个空腔中的一个空腔内。

尽管以上公开阐述其中每一组件均被授权使系统操作的一种系统，然而也可存在其他实施例。举例来说，控制器750可基于比较或分析的结果而对系统的一个或多个操作参数进行修改。

在一个实施例中，一个组件(例如，离子源700)可为可替换组件，其中存在系统可能采用的多个可能的离子源。基于比较或分析的结果，控制器750可判断已安装了哪个离子源700。基于所述离子源，控制器750可根据所安装的离子源来改变偏置电流及弧电流(arccurrent)。举例来说，如果安装了大的阴极离子源，则阴极可利用更多热量来操作，因此偏置电流将增大。对于小的阴极源来说，偏置电流可能明显降低，因此控制器750将根据安装哪个离子源700来自动地调整这些参数。当然，此实例仅为例示性的，且也可对其他参数进行调整。

换句话说，控制器750可基于组件的特性来实行一个或多个动作。所述动作可包括对操作员报警、禁用系统或者对系统的至少一个操作参数进行修改。组件的特性可包括此组件是否被授权在系统上操作，或者可包括所述组件的身份(identity)。

尽管图7到图8示出离子植入系统的一部分，然而应理解，离子植入系统中的其他组件也可包括识别特征。图9示出根据一个实施例的离子植入系统。在一个实施例中，离子源910可包括容纳在钨室内的间接加热阴极(indirectlyheatedcathode，ihc)。此离子源910可包含在较大的壳体900内。可使用涡轮泵(turbopump)901来将较大的壳体900的内部维持处于期望的压力。由于离子源910通常以相当大的电压被偏置，因此可能需要将离子源910与较大的壳体900电隔离。此可通过使用源套管915来实现。

离子源910的外部是提取总成920，提取总成920由一个或多个电极构成，所述一个或多个电极被适当地偏置以吸引在离子源910中产生的离子。电极将这些离子吸到电极，且接着使这些离子穿过电极。在一些实施例中，可存在多个电极，例如提取电极921及抑制电极922。这些电极可处于不同的电压，且因此彼此电隔离。这些可通过使用绝缘的操纵器总成925来实现，绝缘的操纵器总成925将提取总成920固持在合适的位置。

所提取的离子束930可接着进入质量分析器940。在质量分析器940内或其他组件内可设置有一个或多个衬垫941。离子束流过质量分析器940中的引导管(未示出)。在一些实施例中，可使用聚焦元件(例如，四极透镜(quadrupolelens)944或艾因塞尔透镜(einsellens)来对离子束进行聚焦。在仅提取具有期望的电荷/质量比的离子的质量分析器940的输出端处设置有分辨开孔945。接着将现在只包含感兴趣的离子的被分析的离子束950植入到衬底990中，衬底990可安装在衬底支撑件或压板980上。在一些实施例中，可采用校正器磁体960以及一个或多个加速或减速级970来调整被分析的离子束950的速度。这些加速或减速级970可接近工艺室985设置。衬底990及衬底支撑件或压板980可设置在工艺室985中。在某些实施例中，在工艺室985中可设置有剂量及法拉第杯995以测量电流。

这些组件中的许多组件可配备有空腔，其中空腔的顶部利用uaw进行密封并包含识别特征。这些组件中的一些组件包括系统中的离子源910、提取总成920、压板980、涡轮泵901、质量分析器940、校正器磁体960、加速或减速级970、分辨开孔945、衬垫941、剂量及法拉第杯995以及各种磁体。

本发明系统具有许多优点。首先，检测离子植入系统中是否存在未被授权在此系统中操作的组件可为有利的。这种能力可防止离子植入系统发生故障或无法根据规定的参数运行。另外，使用超声波增材制造来在组件中在识别特征之上焊接金属会对可能试图为离子植入系统生产未经批准的替换部件者造成严重损害。第二，确定构成离子植入系统的组件的能力可允许控制器基于所识别的组件来更改或修改参数。此可减小配置期间出现人为错误的可能性。

本公开的范围不受本文所述具体实施例限制。实际上，通过阅读上述说明及附图，对所属领域中的一般技术人员来说，除本文所述实施例及润饰以外的本公开的其他各种实施例及对本公开的各种润饰也将显而易见。因此，这些其他实施例及润饰均旨在落于本公开的范围内。另外，尽管本文已针对特定目的而在特定环境中在特定实施方式的上下文中阐述了本公开，然而，所属领域中的一般技术人员还将认识到，本公开的效用性并非仅限于此，且可针对任何数目的目的在任何数目的环境中有利地实施本公开。因此，应考虑到本文中所阐述的本公开的全部广度及精神来解释以上提出的权利要求。