1.一种半导体可变电容器，包括：
半导体区域，具有第一区域、第二区域、以及第三区域，所述第三区域设置在所述第一区域与所述第二区域之间并且具有与所述第一区域或所述第二区域中的至少一个区域不同的掺杂类型或不同的掺杂浓度中的至少一个；
绝缘层；
第一端子；
第一非绝缘区域，耦合到所述第一端子，所述绝缘层设置在所述第一非绝缘区域与所述半导体区域之间，其中所述绝缘层相邻于所述半导体区域的第一侧设置；
第二端子；以及
第一硅化物层，耦合到所述第二端子并且相邻于所述半导体区域的第二侧设置，所述第一侧和所述第二侧是所述半导体区域的相对侧。
2.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，其中所述半导体可变电容器是变容二极管，其中所述第一端子是所述变容二极管的阳极，并且其中所述第二端子是所述变容二极管的阴极。
3.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，其中所述第一硅化物层相邻于所述第一区域设置。
4.根据权利要求3所述的半导体可变电容器，还包括：
第三端子；以及
第二硅化物层，耦合到所述第三端子并且相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置。
5.根据权利要求4所述的半导体可变电容器，其中所述第二硅化物层相邻于所述第二区域设置。
6.根据权利要求3所述的半导体可变电容器，其中所述第一硅化物层也相邻于所述第三区域设置。
7.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，还包括：
第三端子；
第二硅化物层，连接到所述第三端子并且相邻于所述第一区域且相邻于所述半导体区域的所述第一侧设置；
第四端子；以及
第三硅化物层，连接到所述第四端子并且相邻于所述第二区域且相邻于所述半导体区域的所述第一侧设置，其中所述第一硅化物层相邻于所述第三区域设置。
8.根据权利要求7所述的半导体可变电容器，其中所述第一端子与所述第二端子之间的电容被配置为通过相对于所述第一端子或所述第二端子向所述第三端子或所述第四端子中的至少一个端子施加控制电压来被调整。
9.根据权利要求7所述的半导体可变电容器，还包括：
第一掩埋氧化物(box)区域，相邻于所述第一区域且相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置；以及
第二box区域，相邻于所述第二区域且相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置。
10.根据权利要求7所述的半导体可变电容器，其中所述第一区域和所述第二区域具有与所述第三区域不同的掺杂类型。
11.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，其中所述半导体区域包括单晶半导体。
12.根据权利要求1所述的半导体可变电容器，还包括box区域，所述box区域相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置。
13.一种半导体可变电容器，包括：
半导体区域；
绝缘层；
第一端子；
第一非绝缘区，耦合到所述第一端子，所述绝缘层设置在所述第一非绝缘区域与所述半导体区域的仅一部分之间，其中所述绝缘层相邻于所述半导体区的第一侧设置；
第二端子；以及
第一硅化物层，耦合到所述第二端子并且相邻于所述半导体区域的第二侧设置，所述第一侧和所述第二侧是所述半导体区域的相对侧。
14.根据权利要求13所述的半导体可变电容器，其中所述半导体可变电容器是变容二极管，其中所述第一端子是所述变容二极管的阳极，并且其中所述第二端子是所述变容二极管的阴极。
15.根据权利要求13所述的半导体可变电容器，其中所述半导体区域包括：
第一区域；
第二区域；以及
第三区域，设置在所述第一区域与所述第二区域之间，并且具有与所述第一区域或所述第二区域中的至少一个区域不同的掺杂类型或不同的掺杂浓度中的至少一个。
16.根据权利要求15所述的半导体可变电容器，其中所述第一硅化物层相邻于所述第一区域设置。
17.根据权利要求16所述的半导体可变电容器，还包括：
第三端子；以及
第二硅化物层，耦合到所述第三端子并且相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置。
18.根据权利要求17所述的半导体可变电容器，其中所述第一端子与所述第二端子之间的电容被配置为通过相对于所述第一端子或所述第二端子向所述第三端子施加控制电压来被调整。
19.根据权利要求17所述的半导体可变电容器，其中所述第二硅化物层相邻于所述第二区域设置。
20.根据权利要求15所述的半导体可变电容器，还包括：
第三端子；
第二硅化物层，耦合到所述第三端子并且相邻于所述第一区域且相邻于所述半导体区域的所述第一侧设置；
第四端子；以及
第三硅化物层，耦合到所述第四端子并且相邻于所述第二区域且相邻于所述半导体区域的所述第一侧设置，其中所述第一硅化物层相邻于所述第三区域设置。
21.根据权利要求13所述的半导体可变电容器，其中所述半导体区域包括单晶半导体。
22.根据权利要求13所述的半导体可变电容器，还包括掩埋氧化物box区域，所述box区域相邻于所述半导体区域的所述第二侧设置。
23.一种半导体可变电容器，包括：
半导体区域；
掩埋氧化物(box)区域；
第一非绝缘区域，所述box区域设置在所述第一非绝缘区域与所述半导体区域之间，其中所述box区域相邻于所述半导体区域的第一侧设置；以及
第一硅化物层，相邻于所述半导体区域的所述第一侧设置。
24.根据权利要求23所述的半导体可变电容器，其中所述半导体区域包括：
第一区域；
第二区域；以及
第三区域，所述第三区域设置在所述第一区域与所述第二区域之间，并且具有与所述第一区域或所述第二区域中的至少一个区域不同的掺杂类型或不同的掺杂浓度中的至少一个。
25.根据权利要求24所述的半导体可变电容器，其中所述第一硅化物层相邻于所述第一区域设置。
26.根据权利要求24所述的半导体可变电容器，还包括：
第一端子，耦合到所述第一非绝缘区域；以及
第二端子，耦合到所述第一硅化物层。
27.根据权利要求26所述的半导体可变电容器，还包括：
第三端子；以及
第二硅化物层，耦合到所述第三端子，并且相邻于所述半导体区域的所述第一侧设置。
28.根据权利要求27所述的半导体可变电容器，其中所述第一端子与所述第二端子之间的电容被配置为通过相对于所述第一端子或所述第二端子向所述第三端子施加控制电压来被调整。
29.根据权利要求27所述的半导体可变电容器，其中所述第二硅化物层相邻于所述第二区域设置。
30.根据权利要求23所述的半导体可变电容器，还包括：
硅化物阻挡层，相邻于所述半导体区域的第二侧设置，所述第一侧和所述第二侧是所述半导体区域的相对侧。