1.一种激光退火方法，其是对非晶硅膜的要进行改性的改性预定区域照射激光来使所述改性预定区域改性为晶化硅膜的激光退火方法，其中，
所述激光退火方法包括：
第一照射工序，在该第一照射工序中，对所述改性预定区域的外侧的所述非晶硅膜进行用于形成由微晶硅构成的籽晶区域的第一激光的照射；以及
第二照射工序，在该第二照射工序中，以所述籽晶区域为起点，对所述非晶硅膜的表面进行第二激光的照射而进行晶体生长，以使所述改性预定区域内的所述非晶硅膜成为所述晶化硅膜。
2.根据权利要求1所述的激光退火方法，其中，
所述非晶硅膜隔着栅极绝缘膜而在表面形成有栅极布线的基板上成膜，
所述改性预定区域是设定在形成于与所述栅极布线重叠的区域中的所述非晶硅膜上的区域，并且所述改性预定区域是成为薄膜晶体管的沟道半导体层的区域，
所述籽晶区域配置在与所述栅极布线的长度方向正交的方向上的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的激光退火方法，其中，
所述第一照射工序的所述第一激光的照射中的照射能量设定为使所述非晶硅膜作为籽晶发生微晶化的条件，
所述第二照射工序的所述第二激光的照射使用连续振荡激光来进行连续照射。
4.根据权利要求3所述的激光退火方法，其中，
所述第一激光通过对在所述第二照射工序中使用的所述连续振荡激光进行接通断开调制来照射。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的激光退火方法，其中，
使用空间光调制器来进行所述第一照射工序和所述第二照射工序，其中，所述空间光调制器选择性地反射激光来使激光束向所述改性预定区域内选择性地照射。
6.根据权利要求5所述的激光退火方法，其中，
所述空间光调制器构成为多个微反射镜呈矩阵状配置，所述空间光调制器以能够将所述微反射镜分别独立地切换为向所述非晶硅膜的表面照射激光束的照射状态和非照射状态的方式被选择驱动。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的激光退火方法，其中，
在所述第一照射工序中，使用多个微透镜呈矩阵状配置的微透镜阵列来向所述改性预定区域的外侧照射多个激光脉冲光束，在所述第二照射工序中，使用所述微透镜阵列来向所述改性预定区域照射多个所述连续振荡激光的激光束。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的激光退火方法，其中，
从多晶硅膜、类单晶硅膜中选择所述晶化硅膜。
9.一种薄膜晶体管的制造方法，其包括：
第一照射工序，在所述第一照射工序中，对通过在基板上依次形成栅极布线、栅极绝缘膜、非晶硅膜而成的栅极基板中的如下部位进行第一激光的照射来形成由微晶硅构成的籽晶区域，其中，所述部位是指设定于所述非晶硅膜的成为沟道半导体层的改性预定区域的外侧、并且相对于所述栅极布线位于与该栅极布线的长度方向正交的方向上的外侧的部位；
第二照射工序，在所述第二照射工序中，以所述籽晶区域为起点，对所述非晶硅膜的表面进行第二激光的照射而进行晶体生长，以使所述改性预定区域内的所述非晶硅膜成为晶化硅膜；
在实施了所述第二照射工序的所述非晶硅膜上整面地形成金属膜的工序；
在所述金属膜上图案形成成为源极布线及漏极布线的区域的蚀刻用掩模的工序；以及
使用所述蚀刻用掩模进行蚀刻来除去未被所述蚀刻用掩模覆盖而露出的所述金属膜和在所述金属膜的蚀刻后露出的包括所述籽晶区域在内的非晶硅膜。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
所述第一照射工序的所述第一激光的照射中的照射能量设定为使所述非晶硅膜作为籽晶发生微晶化的条件，
所述第二照射工序的所述第二激光的照射使用连续振荡激光来进行连续照射。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
对在所述第二照射工序中使用的所述连续振荡激光进行接通断开调制来照射所述第一激光。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
使用空间光调制器来进行所述第一照射工序和所述第二照射工序，其中，所述空间光调制器选择性地反射激光来使激光束向所述改性预定区域内选择性地照射。
13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
所述空间光调制器构成为多个微反射镜呈矩阵状配置，所述空间光调制器以能够将所述微反射镜分别独立地切换为向所述非晶硅膜的表面照射激光束的照射状态和非照射状态的方式被选择驱动。
14.根据权利要求9～11中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
在所述第一照射工序中，使用多个微透镜呈矩阵状配置的微透镜阵列来向所述改性预定区域的外侧照射多个激光调制光束，在所述第二照射工序中，使用所述微透镜阵列来向所述改性预定区域照射多个所述连续振荡激光的激光束。
15.根据权利要求9～14中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
从多晶硅膜、类单晶硅膜中选择所述晶化硅膜。