1.一种在基板上沉积膜的方法，包括：
在第一处理空间中以沉积工艺在所述基板的表面之上形成氮化硅膜；以及
在第二处理空间中处理所述膜，其中处理所述膜包括：将所述膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体，其中所述等离子体的壳层电势小于100v，并且其中所述高频等离子体源的功率密度为约5w/cm2或更高。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一沉积工艺包括化学气相沉积(cvd)、等离子体增强cvd(pecvd)、原子层沉积(ald)或等离子体增强ald(peald)。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积工艺包括：
将包括硅的膜沉积到所述基板的所述表面上；
对所述包括硅的膜进行原位等离子体处理，其中所述等离子体处理包括等离子体，所述等离子体包括氮和氦以形成所述氮化硅膜；以及
脉冲等离子体蚀刻。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一处理空间和所述第二处理空间在同一工具中。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一处理空间和所述第二处理空间在不同的工具中。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
顺序地重复在所述第一处理空间中在所述基板的所述表面之上形成所述氮化硅膜以及在第二处理空间中处理所述氮化硅膜的所述操作，直到获得期望的膜厚度。
7.如权利要求6所述的方法，其中在所述基板的所述表面之上形成所述氮化硅膜的每次迭代使所述氮化硅膜的厚度增加小于约1nm。
8.如权利要求6所述的方法，其中所述期望的膜厚度为50nm或更小。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述基板是图案化的基板。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述基板是未图案化的基板。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述模块化的高频等离子体源包括：
多个高频等离子体源模块，其中每个高频等离子体源模块包括：
振荡器模块，其中所述振荡器模块包括：
电压控制电路；以及
压控振荡器；
放大模块，其中所述放大模块耦接至所述振荡器模块；以及
施加器，其中所述施加器耦接至所述放大模块。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述高频是0.1mhz至300ghz。
13.一种形成高质量的氮化硅膜的方法，包括：
(a)在第一处理空间中以等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺在基板的表面之上沉积包括硅的膜；
(b)用第一rf等离子体原位处理所述包括硅的膜，其中所述第一rf等离子体包含氮和氦以形成氮化硅膜；
(c)用第二rf等离子体蚀刻所述氮化硅，其中所述第二rf等离子体包括氟、氯、氮和碳中的一种或多种；以及
(d)用微波等离子体处理所述氮化硅膜，其中所述微波等离子体由模块化微波等离子体源引起。
14.如权利要求13所述的方法，其中将操作(a)、(b)、(c)和(d)中的一者或多者重复多次。
15.如权利要求13所述的方法，其中在实施操作(d)之前，可将操作(a)、(b)和(c)中的一者或多者重复多次。