电磁继电器的制作方法

文档序号:26010166发布日期:2021-07-23 21:30阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电磁继电器,其中,

所述电磁继电器具有:

固定端子,其具有固定触点;

可动触头,其具有可动触点;

可动部,其使所述可动触头在第1位置与第2位置之间移动;

电磁体装置,其驱动所述可动部;

触点收纳部,其收纳所述固定触点和所述可动触点;

壳体,其收纳所述触点收纳部,且具有第1开口;

密封件,其配置于所述壳体与所述触点收纳部之间的与所述电磁继电器的外部连通的路径;以及

导热构件,其配置于由所述触点收纳部、所述壳体、以及所述密封件包围的第1区域,

在所述可动触头处于所述第1位置时,所述固定触点不与所述可动触点接触,

在所述可动触头处于所述第2位置时,所述固定触点与所述可动触点接触,

所述固定端子的局部自所述第1开口暴露于外部。

2.根据权利要求1所述的电磁继电器,其中,

所述壳体收纳所述触点收纳部和所述电磁体装置,

所述导热构件还配置于位于所述壳体与所述电磁体装置之间的第2区域。

3.根据权利要求2所述的电磁继电器,其中,

所述第2区域与所述第1区域连通,

所述导热构件的配置于所述第1区域的部分和所述导热构件的配置于所述第2区域的部分相连。

4.根据权利要求2或3所述的电磁继电器,其中,

所述电磁体装置具有励磁线圈、卷绕有所述励磁线圈的线圈架、以及构成供对所述励磁线圈进行通电所产生的磁通通过的磁路的轭铁,

所述导热构件配置于所述第2区域中的、所述壳体与所述轭铁之间,

所述导热构件还配置于所述励磁线圈与所述轭铁之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电磁继电器,其中,

所述导热构件为树脂制。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电磁继电器,其中,

所述壳体具有第1通孔,

所述壳体的外部和所述第1区域经由所述第1通孔而连通。

7.根据权利要求6所述的电磁继电器,其中,

所述第1开口设于所述壳体的第1端部,

所述第1通孔设于所述壳体的与所述第1端部相反的一侧的第2端部。

8.根据权利要求6或7所述的电磁继电器,其中,

所述壳体具有所述多个通孔,

所述第1通孔是多个通孔之一。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电磁继电器,其中,

所述壳体包括:

收纳部,其收纳所述触点收纳部和所述电磁体装置;以及

封闭部,其被安装于所述收纳部,

所述收纳部具有第2开口,

所述封闭部被设为将所述第2开口的至少局部封闭。

10.根据权利要求9所述的电磁继电器,其中,

所述电磁体装置位于所述第2开口与所述触点收纳部之间,

所述电磁体装置和所述触点收纳部沿着与所述第2开口的开口面正交的方向排列。

11.根据权利要求9或10所述的电磁继电器,其中,

所述封闭部具有使所述壳体的外部和所述第1区域连通的所述第1通孔。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的电磁继电器,其中,

所述壳体具有由所述收纳部的所述第2开口的内周缘的局部和所述封闭部的外周缘的局部包围着的、使所述壳体的外部和所述第1区域连通的第2通孔。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的电磁继电器,其中,

所述密封件包围所述固定端子。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的电磁继电器,其中,

所述密封件被所述壳体和所述触点收纳部夹持。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的电磁继电器,其中,

所述固定端子包括第1固定端子和第2固定端子,

所述固定触点包括所述第1固定端子具有的第1固定触点、以及所述第2固定端子具有的第2固定触点,

所述可动触点包括第1可动触点和第2可动触点,

在所述可动触头处于所述第1位置时,所述第1固定触点不与所述第1可动触点接触,且所述第2固定触点不与所述第2可动触点接触,

在所述可动触头处于所述第2位置时,所述第1固定触点与所述第1可动触点接触,且所述第2固定触点与所述第2可动触点接触,

所述可动部使所述可动触头在所述第1位置与所述第2位置之间沿一个方向移动。


技术总结
本公开的电磁继电器具有:固定端子,其具有固定触点;可动触头,其具有可动触点;可动部,其使所述可动触头在第1位置与第2位置之间移动;电磁体装置,其驱动所述可动部;触点收纳部,其收纳所述固定触点和所述可动触点;壳体,其收纳所述触点收纳部,且具有第1开口;密封件,其配置于所述壳体与所述触点收纳部之间的与所述电磁继电器的外部连通的路径;以及导热构件,其配置于由所述触点收纳部、所述壳体、以及所述密封件包围的第1区域。在所述可动触头处于所述第1位置时,所述固定触点不与所述可动触点接触,在所述可动触头处于所述第2位置时,所述固定触点与所述可动触点接触,所述固定端子的局部自所述第1开口暴露于外部。

技术研发人员:山形胜利
受保护的技术使用者:松下知识产权经营株式会社
技术研发日:2019.10.10
技术公布日:2021.07.23
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