发光二极管模块的制作方法

本申请是申请日为2018年9月19日、申请号为201880006297.9、题为“发光二极管、发光二极管模块以及具有其的显示装置”的专利申请的分案申请。

本发明涉及一种发光二极管模块。

背景技术：

通常，发光二极管可以大致分为顶部型发光二极管和侧面类型发光二极管。侧面类型发光二极管封装件广泛用作光入射到导光板的侧面的显示装置的背光用光源。近来，除了现有显示装置的背光用途之外，侧面类型发光二极管封装件用途和应用范围变得更广。

近来，随着显示装置的厚度减小，侧面类型发光二极管封装件的厚度也具有减小的趋势。但是，随着现有的侧面类型发光二极管封装件的厚度减小，发光二极管芯片与反射器之间的空间变小，并因此要求针对温度上升的散热设计。

技术实现要素：

技术问题

本申请的目的在于提供一种改善散热结构的发光二极管、发光二极管模块以及包括其的显示装置。

技术方案

根据本申请的实施例的一种发光二极管包括：光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；以及引脚框架单元，设置于所述光源单元的背面，包含分别连接于所述第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子，其中，所述第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层。

在一实施例中，所述引脚框架单元包括第一绝缘基板及第二绝缘基板，所述上部导电层设置于所述光源单元与所述第一绝缘基板之间，所述中间导电层设置于所述第一绝缘基板与所述第二绝缘基板之间，所述下部导电层设置于所述第二绝缘基板上，并设置于设置有所述中间导电层的面的相反面。

在一实施例中，所述引脚框架单元还包括与所述第一引脚端子及第二引脚端子绝缘的虚设端子。

在一实施例中，当从平面上观察时，所述虚设端子设置于所述第一引脚端子与所述第二引脚端子之间。

在一实施例中，所述虚设端子包括：中间虚设层，设置于所述第一绝缘基板与所述第二绝缘基板之间；以及下部虚设层，设置于所述第二绝缘基板，并设置于设置有所述中间虚设层的面的相反面。

在一实施例中，所述中间虚设层与所述中间导电层彼此电绝缘，所述下部虚设层与所述下部导电层彼此电绝缘。

在一实施例中，所述第二绝缘基板具有通过去除所述第二绝缘基板的一部分而形成的虚设焊料孔，所述中间虚设层与所述下部虚设层通过设置于所述虚设焊料孔的焊膏电连接。

在一实施例中，所述第一绝缘基板及第二绝缘基板分别具有通过去除所述第一绝缘基板及第二绝缘基板的一部分而形成的至少一个通孔，所述上部导电层与所述中间导电层通过设置于所述通孔的接触部电连接。

在一实施例中，所述第二绝缘基板具有使所述中间导电层的背面暴露的至少一个焊料孔。

在一实施例中，所述下部导电层具有与所述焊料孔相同的开口部。

在一实施例中，还包括：焊膏，设置于所述焊料孔。

在一实施例中，所述发光部、所述第一电极垫及所述第二电极垫构成发光二极管芯片，所述发光二极管芯片布置于所述引脚框架单元上。

在一实施例中，所述发光二极管芯片为倒装型。

在一实施例中，还包括：波长转换部，覆盖所述发光二极管芯片，并将从所述发光二极管芯片射出的光的至少一部分进行转换。

在一实施例中，所述波长转换部包括荧光体。

在一实施例中，还包括：透明部，覆盖所述波长转换部。

在一实施例中，还包括：壳体，当从平面上观察时，包围所述发光二极管芯片、所述波长转换部及所述透明部的外围。

在一实施例中，当从平面上观察时，所述壳体的一部分与所述波长转换部重叠。

在一实施例中，当从平面上观察时，所述壳体与所述波长转换部隔开。

在一实施例中，当从平面上观察时，所述壳体与所述波长转换部接触。

在一实施例中，所述上部导电层包括：第一上部导电层，电连接于所述第一引脚端子；以及第二上部导电层，连接于所述第二引脚端子，所述第一上部导电层及第二上部导电层中的至少一个暴露于外部。

在一实施例中，所述中间导电层包括：第一中间导电层，电连接于所述第一引脚端子；以及第二中间导电层，连接于所述第二引脚端子，所述第一中间导电层及第二中间导电层中的至少一个暴露于外部。

根据本申请的实施例的一种发光二极管模块包括：光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；引脚框架单元，设置于所述光源单元的背面，包含分别连接于所述第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子；以及基板，设置于所述光源单元及所述引脚框架单元的侧面，并与所述第一引脚端子和第二引脚端子电连接，其中，所述第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层。

根据本申请的实施例的一种显示装置包括：液晶面板；导光板，设置于所述液晶面板的一侧，具有使光入射的第一面和使所述光射出并与所述液晶面板相对的第二面；以及发光二极管模块，向所述导光板的所述第一面提供所述光，其中，所述发光二极管模块包括：光源单元，包含发光部、第一电极垫和第二电极垫，向前面射出光；引脚框架单元，设置于所述光源单元的背面，包含分别连接于所述第一电极垫和第二电极垫的第一引脚端子和第二引脚端子；以及基板，设置于所述光源单元及所述引脚框架单元的侧面，并与所述第一引脚端子和第二引脚端子电连接，其中，所述第一引脚端子和第二引脚端子中的至少一个包含设置于互不相同的层且彼此电连接的上部导电层、中间导电层及下部导电层。

有益效果

根据本申请的实施例的发光二极管具有改善的散热效果。

附图说明

图1是简略示出根据本申请的实施例的发光二极管的立体图。

图2a至图2e是较为更详细地示出图1的引脚框架单元的图。

图3a至图3f是用于对图1的光源单元进行较为更详细说明的图。

图4a至图4d是用于对光源单元的发光二极管芯片进行较为更详细说明的图。

图5a至图5d是示出使用图1的发光二极管形成的发光二极管模块的图。

图6a至图6d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。

图7a及图7b是示出使用图6a至图6d的发光二极管形成的发光二极管模块的图。

图8a至图8d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。

图9a及图9b分别是示出根据本申请的另一实施例的第二导电层及第三导电层的平面图的图。

图10a至图10d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。

图11a至图11d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。

图12a至图12b是示出使用图11a至图11d的发光二极管形成的发光二极管模块的图。

图13a至图13d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管的图。

图14是示出设置有本申请的发光二极管模块的显示装置的一例的剖面图。

具体实施方式

本发明可以进行多样的变更，并且可以具有多种形态，将特定实施例示出于附图中并在本文中进行详细说明。然而，这并非欲将本发明限定于特定的公开形态，应该理解为包括本发明的思想及技术范围所包含的全部变更、等同物以及替代物。

在对各个附图进行说明时，对于类似的构成要素使用类似的附图符号。在附图中，结构物的尺寸为了本发明的明确性而相比于实际有所放大示出。第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但是所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅用于将一个构成要素区分于其他构成要素。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。在上下文中没有明确相反含义的情况下，单数的表述包括复数的表述。

本申请中，“包括”或“具有”等术语用于指定说明书上记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或其组合的存在，而不应理解为预先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或其组合的存在或附加可能性。当提到层、膜、区域、板等的部分位于另一部分“之上”时，不仅包括“直接”位于另一部分的“之上”的情况，还包括在二者之间存在其他部分的情况。并且，在本说明书中，当提到某一层、膜、区域、板等的部分形成于另一部分“之上”时，所述形成方向并不仅限于上部方向，还包括沿侧面或下部方向形成的情况。相反，当提到层、膜、区域、板等的部分位于另一部分“之下”时，不仅包括“直接”位于另一部分“之下”的情况，还包括在二者之间存在其他部分的情况。

以下，参照附图，对本发明的优选实施例进行详细说明。

图1至图4d是简略示出根据本发明的实施例的发光二极管10的图。具体而言，图1是简略示出根据本发明的实施例的发光二极管10的立体图，图2a至图4d是详细示出图1的发光二极管10的引脚框架单元100及光源单元200的图。参照图1至图4d，发光二极管10包括引脚框架单元100及光源单元200。

根据本发明的实施例的发光二极管10包括引脚框架单元100以及贴装于所述引脚框架单元100的光源单元200，引脚框架单元100包括设置于互不相同的层的至少三个导电层。尤其，根据本发明的实施例的发光二极管10通过所述至少三个导电层将发光二极管10内部的热量释放到外部，从而能够提供改善的散热效果。

首先参照图1，引脚框架单元100设置为如下的一种引脚框架结构：在其上面设置光源单元200，并将光源单元200所包含的发光二极管芯片210连接到外部电路。即，引脚框架单元100分别连接于光源单元200所包含的发光二极管芯片210的第一电极垫及第二电极垫，并提供光源单元200发光所需的电源。

光源单元200设置于引脚框架单元100的上面，并通过从外部供应的电源发出预定波长的光。例如，光源单元200可以包括发光二极管芯片210、布置于所述发光二极管芯片210前面的透明部230以及包围所述发光二极管芯片210和所述透明部230的壳体240，并且通过透明部230发出预定波长的光。并且，例如，光源单元200还可以包括转换从发光二极管芯片210射出的光的波长的波长转换部220。

引脚框架单元100包括第一绝缘基板110、第二绝缘基板120以及多个导电层。所述多个导电层可以包括设置于互不相同的层的第一导电层130、第二导电层1400、第三导电层150。

第一导电层130形成于第一绝缘基板110的上面。第一导电层130可被称为上部导电层。第一导电层130可以包括第一上部导电层131及第二上部导电层132，并且其一部分可以暴露于外部。例如，如图1所示，第一上部导电层131及第二上部导电层132的一部分可以通过在光源单元200的壳体形成的开口部而暴露于外部。但是，这仅为示意性的，对于根据本发明的另一实施例的发光二极管而言，第一上部导电层131和/或第二上部导电层132也可以不暴露于外部。

第二导电层140形成于第一绝缘基板110与第二绝缘基板120之间。第二导电层140可以包括第一中间导电层141、第二中间导电层142及中间虚设层143，并且其一部分可以暴露于外部。例如，如图1所示，第一中间导电层141及第二中间导电层142的一部分通过形成于粘结层180的开口部而暴露于外部，中间虚设层被粘结层180阻断而不暴露于外部。但是，这仅为示意性的，对于根据本发明的另一实施例的发光二极管而言，第一中间导电层141、第二中间导电层142和/或中间虚设层也可以不暴露于外部。

第三导电层150形成于第二绝缘基板120的下面。第三导电层150包括第一下部导电层151、第二下部导电层152及下部虚设层153，并且具有与第二绝缘基板120对应的形状。例如，如图1所示，第二绝缘基板120可以包括通过去除其一部分而形成的半圆形态的焊料孔171～173，并且，第一下部导电层151、第二下部导电层152及下部虚设层153可以分别形成为具有与对应的焊料孔相同的开口部。

在根据本申请的技术思想的实施例中，第一上部导电层131、第一中间导电层141及第一下部导电层151可以通过形成于第一绝缘基板110、第二绝缘基板120的通孔电连接，进而形成第一引脚端子191。并且，第二上部导电层132、第二中间导电层142及第二下部导电层152可以通过形成于第一绝缘基板110、第二绝缘基板120的通孔电连接，进而形成第二引脚端子192。第一引脚端子191及第二引脚端子192通过绝缘物质而电绝缘，并且分别连接于光源单元200的第一电极垫及第二电极垫。

尤其，根据本申请的实施例的第一引脚端子191及第二引脚端子192分别包括布置于第一绝缘基板110与第二绝缘基板120之间的第一中间导电层141及第二中间导电层142。根据本申请的实施例的发光二极管10能够通过第一中间导电层141及第二中间导电层142将内部的热量释放到外部，从而能够改善散热性能。

并且，在根据本申请的技术思想的实施例中，当在发光二极管10贴附基板而形成发光二极管模块时，中间虚设层143及下部虚设层153可以通过设置于虚设焊料孔173的焊膏电连接，进而形成虚设端子193(参见图5d)。当制造发光二极管模块时，根据本申请的实施例的虚设端子不仅能够将发光二极管10牢固地固定于基板，而且还能够追加形成将发光二极管10的热量释放到基板的散热路径。从而，能够进一步改善散热性能。

另外，在图1中，图示了发光二极管10大致具有长方体形状的情形。但是，这仅为示意性的，根据本申请的其他实施例的发光二极管还可以具有除了长方体之外的多种形态，并且在本发明的技术思想的范围内能够进行多样的变更。并且，以下在本说明书中说明的术语底面、侧面及背面应该理解为是能够根据发光二极管的位置或是否旋转或者根据作为基准的构成要素进行变更的相对术语。

接下来，参照图2a至图2e，图2a中图示了图1的引脚框架单元100的立体图，图2b至图2d分别图示了示出引脚框架单元100中所包含的第一导电层130、第二导电层140及第三导电层150的平面图。图2e图示了根据图2a的截取线i-i'截取的引脚框架单元100的剖面图。另外，为了明确及简洁地进行说明，图2b主要图示了第一导电层130的形状，省略了第二导电层140及第三导电层150。同样地，图2c主要图示了第二导电层140的形状，图2d主要图示了第三导电层150的形状。

参照图2a至图2e，引脚框架单元100包括第一绝缘基板110、第二绝缘基板120、第一导电层130、第二导电层140及第三导电层150。

首先参照图2a，配置第一绝缘基板110及第二绝缘基板120。第一绝缘基板110及第二绝缘基板120利用具有绝缘性的材料形成。例如，第一绝缘基板110及第二绝缘基板120可以包括有机高分子材料。有机高分子材料可以使用选自丙烯酸类、聚酯类、聚氨酯类、环氧类、乙烯类、聚苯乙烯类、聚酰胺类、脲类、尿素类中的一种以上树脂。但是，这仅为示意性的，只要具有绝缘性，其材料不受特别限定。

参照图2a及图2b，在第一绝缘基板110的上面形成有第一导电层130。第一导电层130包括第一上部导电层131及第二上部导电层132。第一上部导电层131及第二上部导电层132彼此电绝缘。例如，如图2b所示，第一上部导电层131及第二上部导电层132彼此隔开预定距离而形成，并且在两者之间填充构成光源单元200的壳体的物质，从而能够电绝缘。

第一上部导电层131及第二上部导电层132分别电连接于光源单元200的第一电极垫及第二电极垫。第一上部导电层131及第二上部导电层132使用导电性材料形成。例如，第一上部导电层131及第二上部导电层132可以分别通过au、pt、pd、rh、ni、w、mo、cr、ti、fe、cu、al、ag等或其合金的单层膜或层叠膜形成。

另外，如图所示，第一上部导电层131及第二上部导电层132的一部分可以暴露于外部。但是，这仅为示意性的，根据制造工序，第一上部导电层131或第二上部导电层132中的任意一个导电层的一部分可以暴露于外部，第一上部导电层131及第二上部导电层132也可以不暴露于外部。

参照图2a及图2c，在第一绝缘基板110的下面形成有第二导电层140。第二导电层140包括第一中间导电层141、第二中间导电层142及中间虚设层143。第一中间导电层141、第二中间导电层142及中间虚设层143彼此电绝缘。例如，如图2a及图2c所示，第一中间导电层141、第二中间导电层142及中间虚设层143彼此隔开预定距离而形成，并且在两者之间填充用于构成粘结层180的粘结物质，从而能够电绝缘。

第一中间导电层141、第二中间导电层142及中间虚设层143可以分别使用导电性材料形成。例如，与上述的第一上部导电层131和/或第二上部导电层132相似，第一中间导电层141、中间虚设层143及第二中间导电层142可以分别通过au、pt、pd、rh、ni、w、mo、cr、ti、fe、cu、al、ag等或其合金的单层膜或层叠膜形成。

另外，如图所示，第一中间导电层141及第二中间导电层142的一部分可以暴露于外部。但是，这仅为示例性的，根据制造工序，第一中间导电层141、第二中间导电层142和/或中间虚设层143中的至少一个可以暴露于外部，第一中间导电层141、第二中间导电层142及中间虚设层143也可以全部不暴露于外部。

参照图2a及图2d，在第一绝缘基板110与第二绝缘基板120之间布置有粘结层180。粘结层180用于将第一绝缘基板110与第二绝缘基板120物理结合。例如，在第一绝缘基板110的上面及下面可以分别形成第一导电层130及第二导电层140，在第二绝缘基板120的下面形成第三导电层150，之后，可以通过粘结层180将第一绝缘基板110与第二绝缘基板120物理结合。

在第二绝缘基板120形成有通过去除其一部分而形成的多个焊料孔171～173。例如，如图所示，在第二绝缘基板120可以形成有具有半圆形态的第一焊料孔171、第二焊料孔172及虚设焊料孔173。

在第二绝缘基板120的下面形成有第三导电层150。第三导电层150包括第一下部导电层151、第二下部导电层152及下部虚设层153。第一下部导电层151、第二下部导电层152及下部虚设层153分别对应于第一焊料孔171、第二焊料孔172及虚设焊料孔173，并且形成为具有与对应的焊料孔相同的半圆形态的开口部。

第一下部导电层151、第二下部导电层152及下部虚设层153可以分别使用导电性材料形成，例如，可以分别通过au、pt、pd、rh、ni、w、mo、cr、ti、fe、cu、al、ag等或其合金的单层膜或层叠膜形成。

参照图2a及图2e，第一上部导电层131、第一中间导电层141及第一下部导电层151相互电连接。例如，如图所示，在第一绝缘基板110及第二绝缘基板120可以设置有通过去除其一部分而形成的第一通孔，第一上部导电层131、第一中间导电层141及第一下部导电层151可以通过设置于第一通孔的第一接触部161相互电连接。在这种情况下，第一上部导电层131、第一中间导电层141、第一下部导电层151以及贯通其的第一接触部161可以称为第一引脚端子191。

为了形成第一引脚端子191，第一上部导电层131、第一中间导电层141及第一下部导电层151可以布置于从平面观察时大部分重叠的位置。但是，这仅为示意性的，只要在第一上部导电层131、第一中间导电层141及第一下部导电层151之间能够形成电流通路，其位置不受特别的限定。

例如，电连接第一上部导电层131及第一中间导电层141的第一绝缘基板110的接触部与连接第一中间导电层141及第一下部导电层151的接触部可以彼此不同，在这种情况下，上述接触部可以布置于从平面观察时互不重叠的位置。并且，在这种情况下，第一上部导电层131可以布置于从平面观察时与第一中间导电层141部分重叠而与第一下部导电层151不重叠的位置。

与此相似，第二上部导电层132、第二中间导电层142及第二下部导电层152相互电连接。例如，在第一绝缘基板110及第二绝缘基板120可以设置有通过去除其一部分而形成的第二通孔，第二上部导电层132、第二中间导电层142及第二下部导电层152可以通过设置于第二通孔的第二接触部162相互电连接。

在这种情况下，第二上部导电层132、第二中间导电层142及第二下部导电层152可以布置于从平面观察时一定程度重叠的位置，并且，第二上部导电层132、第二中间导电层142、第二下部导电层152以及贯通其的第二接触部162可以称为第二引脚端子192。

在根据本申请的技术思想的实施例中，第一引脚端子191及第二引脚端子192分别包括设置于第一绝缘基板110与第二绝缘基板120之间的第一中间导电层141及第二中间导电层142。因此，在发光二极管10产生的热量能够向第一中间导电层141及第二中间导电层142更宽地分散。进一步，如图所示，第一中间导电层141及第二中间导电层142的一部分可以暴露于外部，暴露的面接触于基板300(参照图5c)，从而能够提供将在发光二极管10产生的热量释放到外部的热通过路径。据此，根据本发明的实施例的发光二极管10能够提供提高的散热性能。

接下来，参照图2a及图2e，中间虚设层143布置于第一中间导电层141与第二中间导电层142之间。下部虚设层153布置于第一下部导电层151与第二下部导电层152之间。中间虚设层143及下部虚设层153布置于从平面观察时一定程度重叠的位置，中间虚设层143的底面及下部虚设层153的内侧面通过虚设焊料孔173暴露。当制造发光二极管模块时，暴露的中间虚设层143的底面及下部虚设层153的内侧面能够通过焊膏电连接于配备在基板的金属板。

中间虚设层143、下部虚设层153以及将其相互连接的焊膏可以称为虚设端子193(参照图5d)。虚设端子193与第一引脚端子191及第二引脚端子192电绝缘，能够将在发光二极管10内部生产的热量有效地分散于基板300(参照图5d)。同时，虚设端子193可起到如下作用：当生成发光二极管模块时将发光二极管10牢固地固定于基板300的焊膏的粘结面。因此，根据本发明的实施例的发光二极管10能够提供进一步提高的散热性能。

图3a至图3e图示了图1的光源单元200。具体而言，图3a图示了根据本发明的实施例的发光二极管10的立体图，图3b至图3f图示了沿图3a的截取线ii-ii'截取的光源单元200的剖面图。

首先，参照图3a及图3b，光源单元200包括发光二极管芯片210、波长转换部220、透明部230及壳体240。

发光二极管芯片210贴装于第一上部导电层131及第二上部导电层132之上。发光二极管芯片210贴装为倒装芯片形态，发光二极管芯片210的第一电极垫贴装于第一上部导电层131，第二电极垫贴装于第二上部导电层132。参照以下的图4a至图4d，对发光二极管芯片210的结构进行较为更详细的说明。

波长转换部220可以通过利用印刷技术在发光二极管芯片上涂覆含有荧光体的树脂，或者利用气凝胶喷射器或喷涂装置涂覆荧光体粉末来形成。例如，通过利用气凝胶蒸镀方法或喷涂方法，能够在发光二极管芯片形成均匀厚度的荧光体薄膜，从而能够提高从发光二极管芯片射出的光的色相均匀度。并且，在另一实施例中，波长转换部220也可以利用荧光体膜形成于芯片上。

在波长转换部220包括荧光体的情况下，从发光二极管封装件最终射出的光的至少一部分能够具有与从发光二极管芯片射出的光的波长范围不同的波长范围。换言之，发光二极管芯片能够射出第一波长的光，荧光体在吸收第一波长的光之后，能够射出大于第一波长的第二波长的光。例如，发光二极管芯片能够射出紫外线或蓝色光，荧光体吸收紫外线或蓝色光之后，能够射出波长大于紫外线或蓝色光的其他波长的光，例如绿色光或红色光。

透明部230形成于波长转换部220的上面以保护波长转换部220。例如，透明部230可以使用透明硅形成，并且可以阻挡湿气渗透到波长转换部220。

壳体240包围发光二极管芯片210，从而能够保护发光二极管芯片210。例如，当从平面观察时，壳体240可以形成为一部分与透明部230及波长转换部220重叠。

壳体240例如可利用各种绝缘性物质形成。作为绝缘性物质例如可以是有机高分子，也可以是硅类树脂或环氧类树脂。

并且，壳体240可以构成为密封部件。密封部件是具有将发光二极管芯片210的一部分密封(覆盖)或者将发光二极管芯片210固定于引脚框架单元100的功能的部件。密封部件的材料不受特别的限定，可以是陶瓷、树脂、电介质、浆状物、玻璃或其复合材料。其中，从能够易于成型为任意形状的方面来看，优选为树脂。

树脂可以是热硬化树脂、热塑性树脂及其改性树脂或含有这些树脂中的一种以上的混合树脂等。具体而言，可以是环氧树脂组合物、改性环氧树脂组合物(硅改性环氧树脂等)、硅树脂组合物、改性硅树脂组合物(环氧改性硅树脂等)、混合硅树脂、聚酰亚胺树脂组合物、改性聚酰亚胺树脂组合物、聚酰胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚对苯二甲酸环己烷树脂、聚邻苯二甲酰胺(ppa)、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚(pps)、液晶聚合物(lcp)、abs树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂、pbt树脂、尿素树脂，bt树脂、聚氨酯树脂等树脂。

在根据本申请的技术思想的一实施例中，壳体240可以填充第一上部导电层131与第二上部导电层132之间的空间。若在第一上部导电层131与第二上部导电层132之间存在空气层，则空气层能够借助于由发光二极管芯片210产生的热量流动，这可能导致弱化发光二极管芯片210与第一上部导电层131及第二上部导电层132之间的粘结强度的结果。根据本申请的实施例的发光二极管10通过使用壳体240填充第一上部导电层131与第二上部导电层132之间的空间，能够预先阻断第一上部导电层131与第二上部导电层132之间的空气层的空气流动。

并且，上述的说明仅为示意性的，光源单元200的结构可以根据设计者进行多样的变更及应用。以下，对光源单元200的变形实施例进行较为更详细的说明。

参照图3a及图3c，波长转换部220_1可以位于发光二极管芯片210的上面，透明部230_1形成为包围波长转换部220_1的前面、侧面及发光二极管芯片210的侧面。并且，壳体240_1形成为包围透明部230_1的侧面。

在这种情况下，透明部230_1可以接触于第一上部导电层131及第二上部导电层132。并且，当从平面观察时，透明部230_1的长度方向的两端部可以布置于壳体240_1与波长转换部220_1之间。

参照图3a及图3d，可以形成为波长转换部220_2包围发光二极管芯片210的前面及侧面。并且，透明部230_2可以布置于波长转换部220_2的上面，壳体240_2可以形成为包围波长转换部220_2及透明部230_2的侧面。在这种情况下，波长转换部220_2可以接触于第一上部导电层131及第二上部导电层132。

参照图3a及图3e，也可以形成为波长转换部220_3包围发光二极管芯片210的前面及侧面，透明部230_3包围波长转换部220_3的前面及侧面。并且，壳体240_3可以形成为包围透明部230_3的侧面。在这种情况下，波长转换部220_3及透明部230_3分别可以接触于第一上部导电层131及第二上部导电层132。

另外，上述的说明仅为示意性的，应该理解本发明的技术思想并非局限于此。例如，如图3f所示，光源单元200也可以实现为不包括透明部。在不配备透明部的情况下，光源单元200的结构与图3b至图3e相似，为了说明的简洁性，省略其详细说明。

图4a至图4d较为更详细地图示了光源单元200的发光二极管芯片210。图4a图示了根据本发明的一实施例的发光二极管芯片210的概括性平面图，图4b、图4c及图4d分别图示了沿图4a的截取线a-a'、b-b'、c-c'截取的示意性剖面图。

参照图4a至图4d，所述发光二极管芯片210包括基板21、第一发光单元c1、第二发光单元c2、反射结构体31、第一接触层35a、第二接触层35b、第三接触层35c、第一电极垫39a及第二电极垫39b。并且，所述发光二极管芯片210可以包括预绝缘层29、下部绝缘层33及树脂层37。并且，第一发光单元c1及第二发光单元c2分别包括n型半导体层23、活性层25、p型半导体层27。在此，对发光二极管芯片具有串联多结结构的情形进行了说明，然而这仅为一示例，本发明的另一实施例可以提供为其他形态。

基板21作为用于使iii-v族氮化物系半导体生长的生长基板，例如可以是蓝宝石基板，尤其可以是图案化的蓝宝石基板。基板21优选为绝缘基板，但并不局限于绝缘基板。但是，在布置于基板21上的发光单元相互串联的情况下，基板21必须与发光单元绝缘。因此，基板21为绝缘性，或基板21为导电性的情况下，绝缘物质层布置于发光单元c1、c2与基板21之间，使得基板21与发光单元c1、c2绝缘。如图4a所示，基板21可以具有矩形的外形。基板21的侧面可以通过激光划线以及利用激光划线的开裂(cracking)而形成。并且，所述基板21也可以利用激光剥离、化学剥离或研磨等技术从发光单元c1、c2去除。

第一发光单元c1及第二发光单元c2布置于基板21上。第一发光单元c1及第二发光单元c2通过使基板21暴露的分离区域i而相互分离。在此，分离区域i表示用于将发光单元c1、c2相互分离的区域，并且区别于用于分离基板21的划线或切割区域。第一发光单元c1与第二发光单元c2的半导体层通过分离区域i相互隔开。第一发光单元c1及第二发光单元c2可以彼此相向地布置且可以分别具有正方形或矩形形状。尤其，第一发光单元c1及第二发光单元c2可以具有沿彼此相向的方向长的矩形形状。

第一发光单元c1及第二发光单元c2分别包括n型半导体层23、活性层25、p型半导体层27。n型半导体层23、活性层25、p型半导体层27可以利用iii-v族氮化物系半导体形成，例如，可以利用(al、ga、in)n等氮化物系半导体形成。n型半导体层23、活性层25及p型半导体层27可以利用如金属有机化学气相沉积法(mocvd)等公知方法在腔室内生长在基板21上而形成。并且，n型半导体层23包括n型杂质(例如，si、ge、sn)，p型半导体层27包括p型杂质(例如，mg、sr、ba)。例如，在一实施例中，n型半导体层23可以包括含有si作为掺杂剂的gan或algan，p型半导体层27可以包括含有mg作为掺杂剂的gan或algan。虽然在附图中，图示了n型半导体层23及p型半导体层27分别为单层的情形，但是这些层也可以是多层，并且也可以包括超晶格层。活性层25可以包括单量子阱结构或多量子阱结构，并且调节氮化物系半导体的组成比以使其发出所期望的波长。例如，活性层25可以发出蓝色光或紫外光。

分离区域i将发光单元c1、c2相互分离。基板21通过半导体层暴露于分离区域i。分离区域i可以利用光刻及蚀刻工序而形成，此时，利用高温烘焙工序而使光致抗蚀剂(photoresist)回流，从而形成具有平缓的倾斜面的光致抗蚀剂图案，并将其用作掩膜而对半导体层进行蚀刻，从而可以在分离区域i形成相对平缓地倾斜的侧面。尤其，如图4d所示，可以在分离区域i形成阶梯式的倾斜面。首先，执行使n型半导体层23暴露的台面形成工序，之后形成使基板21暴露的分离区域，从而可以在分离区域i形成台阶式的倾斜面。

发光单元c1、c2将所述分离区域i置于中间而彼此相向。彼此相向的发光单元c1、c2的侧面定义为内侧面。另外，所述发光单元的除了所述内侧面以外的侧面定义为外侧面。因此，第一发光单元c1及第二发光单元c2内的n型半导体层23也分别包括内侧面及外侧面。

例如，n型半导体层23可以包括一个内侧面及三个外侧面。如图4d所示，n型半导体层23的外侧面相比于所述内侧面可以急剧地倾斜。虽然在本实施例中，对n型半导体层23的外侧面全部相比于内侧面而急剧地倾斜的情形进行了说明，但是本发明并不限定于此，包括至少一个外侧面相比于内侧面急剧地倾斜的情形。并且，也可以是仅有垂直于分离区域i的两侧外侧面相对急剧地倾斜，与分离区域平行的外侧面与分离区域i相同地平缓倾斜。

进而，相对急剧倾斜的外侧面可以与基板21的侧面对齐。例如，n型半导体层23的外侧面可以通过与基板21一同对n型半导体层23进行划线而形成，因此，可以与基板21的侧面一同形成。

在各个n型半导体层23上布置有台面m。台面m可以限定位于被n型半导体层23包围的区域内侧，因此，邻近于n型半导体层23的外侧面的边缘部位附近区域不被台面m所覆盖而暴露于外部。并且，台面m的侧面与n型半导体层23的侧面可以在分离区域i的侧壁彼此不连续，而形成如上所述的台阶式倾斜面。

台面m包括p型半导体层27及活性层25。所述活性层25存在于n型半导体层23与p型半导体层27之间。虽然在附图中图示了台面m的内侧面与外侧面相同地倾斜的情形，但是本发明并不限定于此，台面m的内侧面可以相比于外侧面更平缓。因此，能够进一步提高后述的第二接触层35b的稳定性。

台面m可以包括贯通所述p型半导体层27及活性层25的贯通孔27a。在台面m可以形成有多个贯通孔，然而也可以如图4a所示地形成有单一的贯通孔27a。在这种情况下，贯通孔27a可以在台面m的中央附近具有圆形形状，然而并不一定局限于此，也可以具有穿过台面m中央的长的形状。

在第一发光单元c1及第二发光单元c2的p型半导体层27上分别布置有反射结构体31。反射结构体31接触于p型半导体层27。反射结构体31可以具有使贯通孔27a暴露的开口部，并且在台面m上部区域遍布台面m的几乎全部区域而布置。例如，反射结构体31可以覆盖台面m上部区域的80％以上，进而90％以上。

反射结构体31可以包括具有反射性的金属层，因此，可以将在活性层25生成而向反射结构体31行进的光向基板21侧反射。例如，所述反射金属层可以包括ag或al。并且，为了有助于所述反射结构体31欧姆接触于p型半导体层27，ni层可以在反射金属层与p型半导体层27之间形成。与此不同，所述反射结构体31也可以包括诸如ito(indidumtinoxide)或zno等透明氧化物层。

另外，预绝缘层29可以覆盖所述反射结构体31周围的台面m。预绝缘层29例如可以通过化学气相沉积技术而利用sio2形成，并且可以覆盖台面m侧面，进而覆盖n型半导体层23的一部分区域。如图4d所示，在分离区域i的台阶式倾斜面，预绝缘层29可以从下部侧倾斜面去除并残留于上部侧倾斜面及台阶部上。

下部绝缘层33覆盖台面m且覆盖反射结构体31及预绝缘层29。并且，下部绝缘层33覆盖分离区域i及台面m侧壁，并且覆盖台面m周围的n型半导体层23的一部分。如图4d的放大剖面图所示，在基板21是图案化蓝宝石基板的情况下，下部绝缘层33可以在分离区域i内沿基板21上的凸出部的形状形成。

下部绝缘层33可以布置于第一接触层35a、第二接触层35b及第三接触层35c与第一发光单元c1及第二发光单元c2之间，并且提供能够使第一接触层35a、第二接触层35b及第三接触层35c连接于n型半导体层23或反射结构体31的通路。例如，下部绝缘层33可以具有：孔33a，在第一发光单元c1上使反射结构体31暴露；孔33b，在第二发光单元上使反射结构体31暴露；以及开口部33c，在贯通孔27a内使n型半导体层23暴露。并且，下部绝缘层33覆盖台面m周围，并使n型半导体层23的边缘部位附近区域暴露。

如图4a所示，所述孔33a可以具有平行于分离区域i的长的形状，并且相比于贯通孔27a更靠近分离区域i而布置。因此，可以从较宽的区域将电流注入第一发光单元c1上的反射结构体31。在本实施例中，虽然对单个的孔33a使第一发光单元c1上的反射结构体31暴露的情形进行了说明，但是也可以提供多个孔33a。

另外，孔33b布置于第二发光单元c2上，且如图4a所示，可以提供为多个。在本实施例中虽然图示了五个孔33b，然而并不限定于此，也可以布置更多或更少的孔33b。孔33b整体的中心相比于台面m的中心更远离分离区域i而布置。因此，能够防止电流集中于分离区域i附近，并可以使电流分散于第一发光单元c2的较宽的区域。

开口部33c在贯通孔27a内使n型半导体层23暴露，进而提供第一接触层35a及第二接触层35b能够连接于n型半导体层23的通路。

下部绝缘层33可以利用sio2或si3n4等绝缘物质形成，并且可以形成为单层或多层。进而，下部绝缘层33也可以包括将折射率互不相同材料层(例如，sio2/tio2)反复层叠而形成的分布式布拉格反射器。在下部绝缘层33包括分布式布拉格反射器的情况下，能够使入射至除了反射结构体31以外的区域的光反射，从而能够进一步改善光提取效率。

第一接触层35a布置于第一发光单元c上而欧姆接触于n型半导体层23。第一接触层35a可以沿台面m周围而在n型半导体层23的外侧面与台面m之间的区域欧姆接触于n型半导体层23。并且，第一接触层35a可以在台面m的贯通孔27a内欧姆接触于通过下部绝缘层33的开口部33c暴露的n型半导体层23。进而，第一接触层35a可以覆盖除了孔33a周围的一部分区域以外的台面m上部区域及侧面。

第二接触层35b欧姆接触于第二发光单元c2的n型半导体层23，并同时连接于所述第一发光单元c1的反射结构体31。因此，第二接触层35b电连接第一发光单元c1的p型半导体层27与第二发光单元c2的n型半导体层23。

第二接触层35b可以沿台面m周围而在n型半导体层23的外侧面与台面m之间的区域欧姆接触于n型半导体层23。并且，第二接触层35b可以在台面m的贯通孔27a内欧姆接触于通过下部绝缘层33的开口部33c暴露的n型半导体层23。进而，第二接触层35b与暴露于孔33a的反射结构体31连接。为此，第二接触层35b跨过分离区域i上部而从第二发光单元c2延伸至第一发光单元c1。此时，如图4a所示，跨过所述分离区域i上部的第二接触层35b限定于台面m的宽度以内。因此，能够防止第二接触层35b短路于第一发光单元c1的n型半导体层23。并且，由于第二接触层35b跨过相对平缓地倾斜的台阶式分离区域i，因此能够改善工序稳定性。所述第二接触层35b可以在分离区域i上布置于下部绝缘层33上，并且可以根据下部绝缘层33的形状而形成为具有凹凸形态。

第三接触层35c在第二发光单元c2上布置于下部绝缘层33上。第三接触层35c通过下部绝缘层33的孔33b连接于反射结构体31，并通过反射结构体31电连接于p型半导体层27。第三接触层35c可以布置于被第二接触层35b包围的区域内，并且可以具有局部地包围第二贯通孔27a的形状。第三接触层35c位于与第一接触层35a和第二接触层35b相同的水平面上，从而有助于能够使形成于其上的树脂层37和第一电极垫39a、第二电极垫39b易于形成。第三接触层35c也可以被省略。

第一接触层35a、第二接触层35b及第三接触层35c可以利用同一种物质通过同一个工序形成。第一接触层35a、第二接触层35b及第三接触层35c可以包括如a1层等高反射金属层，高反射金属层可以在ti、cr或ni等的粘结层上形成。并且，在高反射金属层上可以形成有ni、cr、au等的单层或复合层结构的保护层。第一接触层35a、第二接触层35b及第三接触层35c例如可以具有cr/al/ni/ti/ni/ti/au/ti的多层结构。

树脂层37布置于第一接触层35a及第二接触层35b上，并且具有使第一接触层35a暴露的第一通孔(viahole)37a以及使第三接触层35c暴露的第二通孔37b。从平面图观察，第一通孔37a及第二通孔37b形成为局部地包围所述第一贯通孔27a及第二贯通孔27b的形状。在省略第三接触层35c的情况下，下部绝缘层33及下部绝缘层的孔33b通过第二通孔37b暴露。

树脂层37在第一贯通孔27a及第二贯通孔27b上可以具有凹陷部37c。凹陷部37c可以对应于第一贯通孔27a及第二贯通孔27b而形成。

并且，树脂层37在台面m周围覆盖连接于n型半导体层23的第一接触层35a及第二接触层35b。如图4b至图4d中明显地图示，第一接触层35a及第二接触层35b与n型半导体层23的边缘部分之间的区域可以被树脂层37覆盖。因此，第一接触层35a及第二接触层35b可以被树脂层37保护而免受水分等外部环境的影响。并且，树脂层37可以在分离区域i上覆盖第二接触层35b，并且可以根据第二接触层35b的形状而在分离区域i上形成为具有凹陷部37d的形态。

树脂层37可以利用光致抗蚀剂等感光性树脂形成，例如可以利用旋涂(spincoating)等技术形成。另外，所述第一通孔37a及第二通孔37b可以通过光刻及显影等形成。

第一电极垫39a填充树脂层37的第一通孔37a，并且电连接于第一接触层35a。并且，第二电极垫填充第二通孔37b，并且电连接于第三接触层35c。在省略第三接触层35c的情况下，第二电极垫39b可以直接连接于反射结构体31。如在图4a中明显地图示，从平面图观察，第一电极垫39a及第二电极垫39b可以分别局部地包围第一贯通孔27a及第二贯通孔27b。因此，第一电极垫39a及第二电极垫39b局部地包围凹陷部37c。第一电极垫39a及第二电极垫39b可以包围第一贯通孔27a及第二贯通孔27b的圆周的1/2以上，进而包围2/3以上。并且，第一电极垫39a及第二电极垫39b可以向树脂层37上部凸出。据此，如果在所述第一贯通孔27a及第二贯通孔27b区域上形成较深的槽，并通过该槽利用焊料等导电性粘结剂键合发光二极管210，则焊料等被限制于所述槽内，从而能够防止焊料向外部溢出。第一电极垫39a及第二电极垫39b可以分别限定布置于台面m上部区域内。

图5a至图5d是示出使用图1的发光二极管10形成的发光二极管模块的图。具体而言，图5a是示出使用焊膏1将发光二极管10粘结于基板300的过程的一例的图。图5b是示出完成的发光二极管模块的一例的图。图5c是示出沿图5b的截取线a-a'截取的剖面的图。图5d是示出沿图5b的截取线b-b'截取的剖面的图。

首先，参照图5a，提供了发光二极管10、基板300以及将所述发光二极管10粘结于所述基板300的焊膏1。

焊膏1设置于发光二极管10的第一焊料孔171及第二焊料孔172。第一引脚端子191通过设置于第一焊料孔171的焊膏1电连接于基板300上的第一电极310，第二引脚端子192通过设置于第二焊料孔172的焊膏1电连接于基板300上的第二电极320。

并且，焊膏1设置于发光二极管10的虚设焊料孔173。虚设端子193(参照图5d)通过设置于虚设焊料孔173的焊膏1电连接于基板300上的金属板330。

在根据本申请的技术思想的实施例中，焊膏1电连接于在第一焊料孔171暴露的第一中间导电层141，从而基板300的第一电极310与第一中间导电层141之间能够形成散热路径。并且，焊膏1电连接于在第二焊料孔172暴露的第二中间导电层142，从而基板300的第二电极320与第二中间导电层142之间能够形成散热路径。据此，能够提高发光二极管封装件及发光二极管模块的散热特性。

进一步，发光二极管10通过设置于虚设焊料孔173的焊膏1粘结于基板300上的金属板300，从而能够较为更牢固地固定于基板。并且，设置于虚设焊料孔173的焊膏1电连接于中间虚设层143，从而基板300的金属板330与中间虚设层143能够形成散热路径，因此，能够进一步提高散热特性。

并且，焊膏1插入在引脚框架单元100的内侧形成的焊料孔171～173，从而对于根据本发明的技术思想的发光二极管模块而言，能够最小化焊膏1所占据的面积，并且具有实现小型化的优点。

另外，“焊膏”表示使用作为金属粉末、助熔剂及有机物的混合物的膏形成的最终粘结层。但是，在对发光二极管模块的制造方法进行说明的情况下，“焊膏”可以用于表示作为金属粉末、助熔剂及有机物的混合物的膏。例如，焊膏1可以包含sn和其他金属。焊膏1可以含有相对于总金属重量50％以上、60％以上或90％以上的sn。例如，焊膏可以是含铅焊料合金，例如sn-pb或sn-pb-ag系，或者是无铅焊料合金，例如sn-ag系合金、sn-bi系合金、sn-zn系合金、sn--sb系或sn-ag-cu合金。

参照图5b，图示了根据本申请的实施例的发光二极管模块的一例。如图所示，发光二极管模块可以沿与基板300平行的方向照射光，因此，发光二极管模块可以成为侧面型发光二极管模块。

参照图5c，在第一焊料孔171设置有焊膏1。如图所示，焊膏1粘结于第一中间导电层141的下面、第二绝缘基板120的内侧面、第一下部导电层151的内侧面，从而将发光二极管10粘结于基板300。并且，第一中间导电层141通过焊膏1连接于第一电极310，因此，发光二极管10的热量能够通过第一中间导电层141释放于基板300。

参照图5d，在虚设焊料孔173设置有焊膏1。如图所示，焊膏1粘结于中间虚设层143的下面、第二绝缘基板120的内侧面、下部虚设层153的内侧面，从而将发光二极管10粘结于基板300。并且，焊膏1能够电连接于中间虚设层143及下部虚设层153而形成虚设端子193，发光二极管10的热量能够通过虚设端子193释放于基板300。

如参照图1至图5d所述，根据本发明的实施例的发光二极管10包括引脚框架单元100以及贴装于所述引脚框架单元100的光源单元200，引脚框架单元100包括设置于互不相同的层的至少三个导电层。尤其，根据本申请的实施例的发光二极管10通过所述至少三个导电层将发光二极管10内部的热量释放到外部，从而能够提供改善的散热效果。

另外，上述说明仅为示意性的，应该理解本发明的技术思想并不局限于此。在本申请的技术思想的范围内，技术人员能够进行多样的设计及结构变更。以下，追加说明属于本发明的技术思想的范围内的多种变形例。

图6a至图6d是示出根据本发明的另一实施例的发光二极管20的图。具体而言，图6a是示出根据本发明的另一实施例的发光二极管20的整体模样的立体图。图6b至图6d分别图示图6a的引脚框架单元100'中所包括的第一导电层130、第二导电层140及第三导电层150的平面图。

图6a至图6d的发光二极管20与图1至图4d的发光二极管10相似。因此，相同或相似的构成要素使用相同或相似的附图符号进行说明，为了说明的明确性，以下省略反复或重复的说明。

与图1至图4d的发光二极管10具有半圆形态的焊料孔171～173的情形相比，图6a至图6d的发光二极管20的焊料孔中的至少一个具有绝缘基板的边缘部位一部分被蚀刻的扇形形态的焊料孔。

换言之，与图1至图4d的发光二极管10具有按半圆形态去除第二绝缘基板120的一部分而形成的焊料孔171～173的情形相比，图6a至图6d的发光二极管20具有切割第二绝缘基板120'边角中的至少一个边角而形成的焊料孔。

例如，参照图6a至图6d，第二绝缘基板120'的边角中的两个边角被切割而可以形成第一焊料孔171'及第二焊料孔172'。在这种情况下，如图所示，第一下部导电层151'具有与第一焊料孔171'对应的形状，即边角被切割的形状。第二下部导电层152'具有与第二焊料孔172'对应的形状。

图7a及图7b是示出使用图6a至图6d的发光二极管20形成的发光二极管模块的图。具体而言，图7a是示出使用焊膏2将发光二极管20粘结于基板300的情形的一例的图。图7b是示出完成的发光二极管模块的一例的图。

参照图7a及图7b，图示了图6a至图6d的发光二极管20、设置于发光二极管20侧面的基板300以及将发光二极管20粘结于基板300的焊膏2。焊膏2设置于第一焊料孔171'、第二焊料孔172'及虚设焊料孔173'。

在根据本发明的技术思想的实施例中，设置于第一焊料孔171'的焊膏2设置为包围第二绝缘基板120'的一侧面，从而能够将发光二极管20较为更牢固地粘结于基板300。同样地，设置于第二焊料孔172'的焊膏2设置为包围第二绝缘基板120'的另一侧面，从而能够将发光二极管20较为更稳定地粘结于基板300。

如此，在第一焊料孔171'及第二焊料孔172'分别通过切割第二绝缘基板120'的一部分而形成的情况下，焊膏2能够接触的面积变宽，从而能够将发光二极管20较为更稳定地粘结于基板300。

图8a至图8d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管30的图。具体而言，图8a是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管30的整体模样的立体图。图8b至图8d分别是示出图8a的引脚框架单元100”中所包括的第一导电层130、第二导电层140及第三导电层150的平面图。

图8a至图8d的发光二极管30与图1至图4d的发光二极管10相似。因此，相同或相似的构成要素使用相同或相似的附图符号进行说明，为了说明的明确性，以下省略反复或重复的说明。

与在图1至图4d的发光二极管10形成有虚设焊料孔173的情形相比，在图8a至图8d的发光二极管30未形成虚设焊料孔。即，在图8a至图8d的发光二极管30的第二绝缘基板120”未形成中间虚设孔。

例如，参照图8a至图8d，在第二绝缘基板120”未形成中间虚设孔。并且，在第二绝缘基板120”的下表面未形成下部虚设层，在第一绝缘基板110与第二绝缘基板120”之间未形成中间虚设层。即，图8a至图8d的发光二极管30不包括虚设端子。

如上所述，在第二绝缘基板120”未形成中间虚设孔，从而能够增加第二绝缘基板120”的强度，因此，也能够增加发光二极管30自身封装件强度。

另外，图8a至图8d所示的第二导电层140及第三导电层150为示例性的，本发明的技术思想并不局限于此。例如，第二导电层140及第三导电层150可以形成为多样的形状及尺寸。参照以下的图9a及图9b，对此进行较为更详细的说明。

图9a及图9b分别是示出根据本申请的另一实施例的第二导电层140”及第三导电层150”的平面图的图。

首先，参照图9a，在第二导电层140”未形成中间虚设层。即，与图8b相似，图9a的第二导电层140”仅包括第一中间导电层141”及第二中间导电层142”。

在这种情况下，第一中间导电层141”及第二中间导电层142”的形态以及第一中间导电层141”与第二中间导电层142”的距离d1可以多样化地形成。例如，如图9a所示，第一中间导电层141”及第二中间导电层142”可以形成为面积大于图2a至图2e的第一中间导电层141及第二中间导电层142。在这种情况下，第一中间导电层141”与第二中间导电层142”的距离d1可以等于彼此不会发生短路的程度或以上。

参照图9b，在第三导电层150”未形成下部虚设层。在这种情况下，与图9a相似，第一下部导电层151”及第二下部导电层152”的形态以及第一下部导电层151”与第二下部导电层152”的距离d2可以多样化地形成。例如，如图所示，为了增大与焊膏的接触面积，第一下部导电层151”及第二下部导电层152”形成为具有尽可能宽的面积。

图10a至图10d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管40的图。具体而言，图10a是示出根据本发明的另一实施例的发光二极管40的整体模样的立体图。图10b至图10d分别是示出图10a的引脚框架单元100”'中所包括的第一导电层130”'、第二导电层140”'及第三导电层150”'的平面图。

图10a至图10d的发光二极管40与图1至图4d的发光二极管10相似。因此，相同或相似的构成要素使用相同或相似的附图符号进行说明，为了说明的明确性，以下省略反复或重复的说明。

与在图1至图4d的发光二极管10的第一导电层130及第二导电层140的一部分暴露于外部的情形相比，图10a至图10d的发光二极管40的第一导电层130”'及第二导电层140”'不暴露于外部。

例如，参照图10a及图10b，第一导电层130”'的宽度方向的长度形成为小于第一绝缘基板110的宽度方向的长度。在这种情况下，第一导电层130”'的侧面被光源单元200的壳体包围，因此，第一导电层130”'能够不暴露于外部。

并且，参照图10a及图10c，第二导电层140”'的宽度方向的长度形成为小于第一绝缘基板110的宽度方向的长度。在这种情况下，第二导电层140”'的侧面被粘结层180包围，因此，第二导电层140”'能够不暴露于外部。

如此，使第一导电层130”'及第二导电层140”'的一部分不暴露于外部，从而根据本发明的实施例的发光二极管40能够阻断外部湿气，从而提高可靠性并延长寿命。

图11a至图11d是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管50的图。具体而言，图11a是示出根据本申请的另一实施例的发光二极管50的整体模样的立体图。图11b至图11d分别是示出图11a的引脚框架单元100””中所包括的第一导电层130、第二导电层140””及第三导电层150””的平面图。

图11a至图11d的发光二极管50与图1至图4d的发光二极管10相似。因此，相同或相似的构成要素使用相同或相似的附图符号进行说明，且为了说明的明确性，以下省略反复或重复的说明。

与图1至图4d的发光二极管10具有焊料孔171～173的情形相比，图11a至图11d的发光二极管50不具有焊料孔。即，在图11a至图11d的发光二极管50的引脚框架单元100””未形成焊料孔。如此，在引脚框架单元100””不具有多个焊料孔的情况下，无需用于形成焊料孔的制造工序，从而简化工序，并且具有增加引脚框架单元100””的强度的优点。并且，在这种情况下，如图11a及图11c所示，也能够不形成中间虚设层及下部虚设层。

图12a至图12b是示出使用图11a至图11d的发光二极管50形成的发光二极管模块的图。具体而言，图12a是示出使用焊膏3将发光二极管50粘结于基板300的情形的一例的图。图12b是示出完成的发光二极管模块的一例的图。

参照图12a及图12b，焊膏3在发光二极管50的背面方向覆盖第一下部导电层151””，从而能够使第一下部导电层151””粘结于基板300的第一电极310。同样地，焊膏3在发光二极管50的背面方向覆盖第二下部导电层152””，从而能够使第二下部导电层152””粘结于基板300的第二电极320。

另外，上述的说明是示意性的，本发明的技术思想并不局限于此。例如，为了提高基板300(参照图12a)的粘合力，也可以在第二绝缘基板120””的下表面追加形成下部虚设层。

图13a至图13d是示出根据本发明的另一实施例的发光二极管60的图。具体而言，图13a是示出根据本发明的另一实施例的发光二极管60的整体模样的立体图。图13b至图13d分别是示出图13a的引脚框架单元100””'中所包括的第一导电层130、第二导电层140及第三导电层150的平面图。

图13a至图13d的发光二极管60与图1至图4d的发光二极管10相似。因此，相同或相似的构成要素使用相同或相似的附图符号进行说明，为了说明的明确性，以下省略反复或重复的说明。

与在图1至图4d的发光二极管10包括多个焊料孔171～173的情形相比，图13a至图13d的发光二极管60仅包括虚设焊料孔173。即，在图13a至图13d的第二绝缘基板120””'仅形成虚设焊料孔173。

在这种情况下，参照图13a至图13d，下部虚设层153””'对应于虚设焊料孔173包括开口部，然而，在第一下部导电层151””'及第二下部导电层152””'未形成开口部。

如此，在仅形成虚设焊料孔173的情况下，不仅能够通过虚设端子改善散热特性，并且能够防止由于焊料孔造成引脚框架单元100””'强度减弱。

图14是示出设置有本发明的发光二极管模块的显示装置1000的一例的剖面图。参照图14，显示装置1000包括液晶面板1110、背光单元1120、支撑主体1130、盖底1150及顶盖1140。

液晶面板1110作为在图像显示中起关键作用的部分，包括：第一基板1112及第二基板1114，在其之间置有液晶层并面对面进行粘合。在液晶面板1110后方配备有背光单元1120。

背光单元1120包括：发光二极管模块1160，沿支撑主体1130的至少一侧边缘部位长度方向排列；白色或银色的反射板1125，安装于盖底1150上；导光板1123，安装于这样的反射板1125上；以及多个光学片1121，设置于这些构成要素的上部。

在本发明的一实施例中，发光二极管模块1160可以包括参照图1至图9b所述的发光二极管10、20、30，并且实现为侧面型发光二极管模块。

因此，设置于背光单元1120的发光二极管模块1160有效地进行散热，从而图14的显示装置1000即使长时间使用，温度上升的幅度也可以较小，并且能够稳定地显示图像而不改变辉度。

以上，虽然参照本发明的优选实施例进行了说明，但是可以理解为只要是对相关技术领域熟悉的技术人员，或者在相关技术领域具备通常知识的人，就能够在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想及技术领域的范围内对本发明进行多种修改及变更。

因此，本发明的技术范围应仅通过权利要求书范围决定，并被说明书的详细说明中所记载的内容所限定。