一种硅基OLED显示面板、及其制备方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种硅基oled显示面板、及其制备方法、显示装置。

背景技术：

oled(organiclight-emittingdiodes)显示技术作为新型的显示技术，已广泛应用于智能手表、手机、平板电脑、显示器等领域。硅基oled显示因为采用单晶硅晶圆作为有源驱动背板，具有高像素密度、高度集成、体积小、易于携带、抗震性能好、超低功耗等优异特性，是目前显示技术研究的热点之一。

现有的硅基oled结构中，在硅基衬底上的晶圆顶层设置有金属层，金属层之上设有透明阳极层结构，金属层与透明阳极层结构之间设有绝缘层，并且金属层与透明阳极层结构之间通过连接过孔连接，连接过孔中设置有连接金属，在制备加工过程中，由于化学机械研磨对绝缘层和连接金属之的研磨速率不同，对绝缘层的研磨速率高于对连接金属的研磨速率，导致连接金属通常会凸起而高于绝缘层表面，且阳极层结构包括依次叠置绝缘层上的金属反射层、钝化层、以及与金属反射层电连接的透明阳极金属层，由于连接金属通常会凸起而高于绝缘层表面，所以，后续透明阳极层结构中的每层膜层结构与连接金属对应的部位会形成凸起，所以，连接金属凸起导致的不平整问题会转移到透明阳极层金属层，从而造成透明阳极层金属层不平整，现有技术中，通常解决此问题的方法是将连接金属排列在像素区边缘位置，并用像素定义层pdl(pixeldefinitionlayer)覆盖住不平整区域，但此解决方法会导致工艺步骤的增加，同时还会导致发光面积的减小，因此，如何解决连接金属凸起导致的透明阳极层金属层不平整的问题是目前亟需解决的问题。

技术实现要素：

本发明公开了一种硅基oled显示面板、及其制备方法、显示装置，该硅基oled显示面板中，金属反射层上的第一绝缘层的中与金属反射层对应的表面与凸起的顶面平齐以形成平坦的表面，使设置在第一绝缘层上的透明阳极层不受凸起的影响，使透明阳极层比较平整，且膜层设置结构简单，不会增加制备工艺流程，有利于保证发光单元的发光面积不会减小。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种硅基oled显示面板，包括：

晶圆基底，所述晶圆基底具有晶体管开关；

金属反射层，所述金属反射层设于所述晶圆基底上、且与所述晶圆基底上的晶体管开关电连接，所述金属反射层中具有朝向背离所述晶圆基底方向凸出的凸起；

第一绝缘层，所述第一绝缘层设于金属反射层背离所述晶圆基底的一侧，且所述第一绝缘层中与所述金属反射层对应的部位背离所述金属反射层的表面与所述凸起的顶面平齐，以使所述凸起背离所述第一绝缘层的表面裸露；

透明阳极层，所述透明阳极层设于所述第一绝缘层背离所述金属反射层的一侧，且所述透明阳极层与所述凸起的顶面接触连接。

上述硅基oled显示面板中，晶圆基底上包括多个子像素单元，每个子像素单元中具有晶体管开关，为便于说明，以垂直于晶圆基底的方向为竖直方向，以晶圆基底上设置晶体管开关的一侧为的晶圆基底的顶侧(或者上侧)，在晶圆基底设置晶体管开关的一侧设置有发光单元，发光单元具体包括在晶圆基底设置晶体管开关的一侧设置的与晶体管开关电连接的金属反射层，金属反射层背离晶圆基底的一侧具有凸起，在金属反射层上面形成第一绝缘层，其中，设置第一绝缘层中与金属反射层对应的部位的上表面与凸起的顶面平齐，且使凸起的顶面裸露，使第一绝缘层中与金属反射层对应的部位的表面与凸起的顶面形成一平坦的表面，则在第一绝缘层上设置透明阳极层时，透明阳极层直接设置在第一绝缘层上，且直接与凸起顶面接触电连接，且透明阳极层可以形成平坦的透明阳极层，不会有受反射金属层中凸起影响而导致不平整的问题，缓解了现有技术中由于解决阳极层不平整而导致发光单元的发光面积减小的问题。

因此，上述硅基oled显示面板中，金属反射层上的第一绝缘层的中与金属反射层对应的表面与凸起的顶面平齐以形成平坦的表面，使设置在第一绝缘层上的透明阳极层不受凸起的影响，使透明阳极层比较平整，且膜层设置结构简单，不会增加制备工艺流程，有利于保证发光单元的发光面积不会减小。

可选地，沿垂直于所述晶圆基底的方向上，所述第一绝缘层的厚度与所述凸起的高度相等。

可选地，所述晶圆基底包括多个子像素单元，且所述晶圆基底的顶侧具有位于所述子像素单元的晶体管开关之上且与所述晶体管开关电连接的金属导线层，以及位于所述金属导线层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层中设有过孔，所述过孔内设有与所述金属导线连接的连接金属，沿垂直于所述晶圆基底的方向，所述连接金属的顶面高于所述第二绝缘层背离所述金属导线层一侧的表面；

所述金属反射层位于所述第二绝缘层背离所述金属导线层的一侧，且所述金属反射层通过所述连接金属与所述金属导线层电连接，所述金属反射层中的凸起与所述连接金属相对。

可选地，所述连接金属包括钨。

可选地，所述透明阳极层包括ito。

可选地，所述硅基oled显示面板还包括依次所述透明阳极层之上的有机发光器件层和透明阴极层。

基于相同的发明构思，本发明还提供了一种硅基oled显示面板的制备方法，包括：

形成晶圆基底，所述晶圆基底具有晶体管开关；

在晶圆基底上形成图案化的金属反射层，所述金属反射层与所述晶圆基底上的晶体管开关电连接，且所述金属反射层中具有朝向背离所述晶圆基底的方向凸出的凸起；

在所述金属反射层背离所述晶圆基底的一侧形成第一绝缘层，且通过掩膜工艺对所述第一绝缘层进行处理，以使所述第一绝缘层中与所述金属反射层对应的部位背离所述金属反射层的表面与所述凸起顶面平齐，所述凸起的顶面裸露；

在所述第一绝缘层背离所述金属反射层的一侧形成图案化的透明阳极层，所述透明阳极层与所述凸起的顶面接触连接。

可选地，沿垂直于所述晶圆基底的方向上，所述第一绝缘层的厚度与所述凸起的高度相等。

可选地，形成所述晶圆基底具体包括：

在晶圆上形成多个子像素单元，每个所述子像素单元包括晶体管开关；

在所述晶体管开关背离所述晶圆的一侧形成有与所述晶体管开关电连接且图案化的金属导线层；

在所述金属导线层背离所述晶圆的一侧形成第二绝缘层，并在所述第二绝缘层中形成过孔，在过孔中形成连接金属；

采用化学机械研磨方法对所述第一绝缘层和连接金属的表面进行处理。

本发明还提供了一种显示装置，包括如上述技术方案中提供的任意一种硅基oled显示面板。

附图说明

图1-图4为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的制备过程中的膜层变化示意图；

图5为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的制备方法流程图；

图标：1-晶圆基底；2-金属反射层；3-第一绝缘层；4-透明阳极层；11-金属导线层；12-第二绝缘层；13-连接金属；21-凸起。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图4为本发明实施例体统的一种硅基oled显示面板的局部膜层结构示意图，参考图4所示，本发明实施例提供了一种硅基oled显示面板，包括：晶圆基底1，晶圆基底1具有晶体管开关；金属反射层2，金属反射层2设于晶圆基底1上、且与晶圆基底1上的晶体管开关电连接，金属反射层2中具有朝向背离晶圆基底方向凸出的凸起21；第一绝缘层3，第一绝缘层3设于金属反射层2背离晶圆基底1的一侧，且第一绝缘层3中与金属反射层2对应的部位背离金属反射层的表面与凸起21的顶面平齐，以使凸起21背离第一绝缘层3的表面裸露；透明阳极层4，透明阳极层4设于第一绝缘层3背离金属反射层2的一侧，且透明阳极层4与凸起21的顶面接触连接。

上述硅基oled显示面板中，晶圆基底上包括多个子像素单元，每个子像素单元中具有晶体管开关，为便于说明，以垂直于晶圆基底的方向为竖直方向，以晶圆基底上设置晶体管开关的一侧为的晶圆基底的顶侧(或者上侧)，在晶圆基底设置晶体管开关的一侧设置有发光单元，发光单元具体包括在晶圆基底设置晶体管开关的一侧设置的与晶体管开关电连接的金属反射层，金属反射层背离晶圆基底的一侧具有凸起，在金属反射层上面形成第一绝缘层，其中，设置第一绝缘层中与金属反射层对应的部位的上表面与凸起的顶面平齐，且使凸起的顶面裸露，使第一绝缘层中与金属反射层对应的部位的表面与凸起的顶面形成一平坦的表面，则在第一绝缘层上设置透明阳极层时，透明阳极层直接设置在第一绝缘层上，且直接与凸起顶面接触电连接，且透明阳极层可以形成平坦的透明阳极层，不会有受反射金属层中凸起影响而导致不平整的问题，缓解了现有技术中由于解决阳极层不平整而导致发光单元的发光面积减小的问题。

因此，上述硅基oled显示面板中，金属反射层上的第一绝缘层的中与金属反射层对应的表面与凸起的顶面平齐以形成平坦的表面，使设置在第一绝缘层上的透明阳极层不受凸起的影响，使透明阳极层比较平整，且膜层设置结构简单，不会增加制备工艺流程，有利于保证发光单元的发光面积不会减小。

具体地，如图4所示，沿垂直于晶圆基底1的方向上，第一绝缘层2的厚度与凸起21的高度相等。在设置第一绝缘层时，是第一绝缘层的厚度与凸起的高度相等，则，在制备时，只要将第一绝缘层涂覆在凸起顶面上的部分去除，就可以使第一绝缘层的表面与凸起的顶面平齐，在设置透明阳极层之前得到平整的表面，制备工艺简单，有利于保证第一绝缘层的表面平整性良好，进而有利于保证透明阳极层的平整度良好。

上述硅基oled显示面板中，晶圆基底1的结构具体包括由多个子像素单元，且晶圆基底1的顶侧具有位于子像素单元的晶体管开关之上且与晶体管开关电连接的金属导线层11，以及位于金属导线层11上的第二绝缘层12，第二绝缘层中设有过孔，过孔内设有与金属导线连接的连接金属13，由于制备过程的必要工艺，在制备过程中会对第二绝缘层和连接金属的表面进行化学物理研磨处理，则会导致，在垂直于晶圆基底的方向上，连接金属的顶面高于第二绝缘层背离金属导线层一侧的表面，金属反射层设置在第二绝缘层之上，金属反射层与连接金属电连接，且金属反射层与连接金属相对的部位形成凸起。

其中，上述金属导线层可以包括层叠设置的第二金属层、金属铝层和第三金属层，且金属铝层位于金属铝背离晶圆基底的晶体管开关的一侧，其中，第二金属层可以为金属钛层或氮化钛层，或者金属钛层与氮化钛层的双层结构；第三金属层可以为金属钛层或氮化钛层，或者金属钛层与氮化钛层的双层结构。

上述硅基oled显示面板中，上述连接金属可以为钨，也可以是其它金属，本实施例不做局限。另外，透明阳极层可以为ito，第一绝缘层可以为氧化硅，第二绝缘层可以为氧化硅。

具体地，针对金属反射层的结构设置，金属反射层可以为依次叠置的第一金属层、铝金属层和氮化钛层，且铝金属层位于所述第一金属层背离所述第一绝缘层的一侧；其中，第一金属层可以为金属钛层，或者，第一金属层也可为层叠设置的金属钛层与氮化钛层的双层结构，金属反射层设置为多层金属结构，有利于增强金属反射层的导电性以及光反射性能。

具体地，硅基oled显示面板中的发光单元还包括依次透明阳极层之上的有机发光器件层和透明阴极层，以使硅基oled显示面板实现发光功能。

本发明还提供了一种显示装置，包括如上述实施例中提供的任意一种硅基oled显示面板。

基于相同的发明构思，结合图1、图2、图3以及图4，如图5所示，本发明还提供了一种硅基oled显示面板的制备方法，包括：

步骤s101，形成晶圆基底1，其中，晶圆基底1上具有晶体管开关；

步骤s102，在晶圆基底1上形成图案化的金属反射层2，金属反射层2与晶圆基底1上的晶体管开关电连接，且金属反射层2中具有朝向背离晶圆基底1的方向凸出的凸起21；

步骤s103，在金属反射层2背离晶圆基底1的一侧形成图案化的第一绝缘层3，且通过掩膜工艺对第一绝缘层3进行处理，以使第一绝缘层3中与金属反射层2对应的部位背离金属反射层的表面与凸起21顶面平齐，凸起21的顶面裸露；

步骤s104，在第一绝缘层3背离金属反射层2的一侧形成图案化的透明阳极层4，透明阳极层4与凸起21的顶面接触连接。

具体地，在步骤s103中，形成第一绝缘层时，沿垂直于晶圆基底的方向上，使第一绝缘层的厚度与凸起的高度相等，则在进行掩膜工艺对第一绝缘层进行曝光、刻蚀时，仅去除第一绝缘层中在凸起顶面上的部分，既可以使第一绝缘层的上表面与凸起顶面平齐，在形成透明阳极层之前得到平整的表面。

具体地，在步骤s101中，形成晶圆基底具体包括：

步骤s201，在晶圆上形成多个子像素单元，每个子像素单元包括晶体管开关；

步骤s202，在晶体管开关背离晶圆的一侧形成有与晶体管开关电连接且图案化的金属导线层；

步骤s203，在金属导线层背离晶圆的一侧形成第二绝缘层，并在第二绝缘层中形成过孔，在过孔中形成连接金属；

步骤s204，采用化学机械研磨方法对第一绝缘层和连接金属的表面进行处理，由于第二绝缘层与连接金属的研磨速率不相同，第一绝缘层的研磨速率大于连接金属的研磨速率，研磨之后连接金属的顶面会高于第一绝缘层的表面，即连接金属会凸出第一绝缘层的表面，进而会导致后续制备的金属反射层中与连接金属对应的部位形成凸起。

具体地，上述硅基oled显示面板的制备方法还包括在透明阳极层之上依次形成有机发光器件层和透明阴极层，使硅基oled显示面板实现发光功能。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。