1.一种n型分片太阳能电池结构的制作方法，其特征在于包括：
提供n型太阳能电池基体，并至少在所述基体一侧表面加工形成用于裂片的切槽；
至少在所述基体的一侧表面形成连续的钝化层，并使所述切槽的切槽壁被钝化层覆盖；
沿所述的切槽对所述基体进行裂片，形成分片电池，且使所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区上形成自然氧化层；
以氢等离子体对所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区及所述自然氧化层进行钝化处理。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于具体包括：在所述基体的第一表面加工出所述的切槽，在所述基体的第一表面形成连续的第一钝化层、在所述第二基体的第二表面形成连续的第二钝化层，并使所述切槽的槽壁也被所述第一钝化层覆盖，所述第一钝化层与所述基体构成异质p-n结，其中，所述第一表面和第二表面背对设置；和/或，所述钝化层包括叠层设置的化学钝化层和场钝化层。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于具体包括：采用n型单晶硅片作为所述的基体，在所述基体的第一表面沉积本征氢化非晶硅薄膜与p型氢化非晶硅薄膜的叠层作为第一钝化层，在所述基体的第二表面沉积本征氢化非晶硅薄膜与n型氢化非晶硅薄膜的叠层作为第二钝化层，所述p型氢化非晶硅薄膜与所述基体构成异质p-n结，从而形成n型异质结电池；优选的，所述本征氢化非晶硅薄膜的厚度为1-10nm；优选的，所述p型氢化非晶硅薄膜的厚度为1-15nm。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于具体包括：采用n型单晶硅片作为所述的基体，在所述基体的第一表面扩散或离子注入硼形成同质p-n结，再沉积第一钝化层，以及在所述基体的第二表面生长超薄氧化硅膜和n型多晶硅或微晶硅薄膜的叠层，形成钝化接触结构作为第二钝化层，从而形成单面n型topcon电池；优选的，所述超薄氧化硅膜的厚度为0.1-2nm；优选的，所述n型多晶硅或微晶硅薄膜的厚度为5-20nm；优选的，对所述基体第一表面扩散或离子注入硼形成的b掺杂层的厚度为0.1-0.4μm；优选的，所述第一钝化层包括叠层设置的al2o3层和氮化硅层，所述al2o3层和氮化硅层的总厚度为60-90nm。
5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于具体包括：采用n型单晶硅片作为所述的基体，在所述基体的第一表面生长超薄氧化硅膜和p型多晶硅或微晶硅薄膜的叠层作为第一钝化层，在所述基体的第二表面生长超薄氧化硅膜和n型多晶硅薄膜的叠层作为第二钝化层，所述p型多晶硅或微晶硅薄膜与所述基体构成异质p-n结，从而形成双面n型topcon电池；优选的，所述超薄氧化硅膜的厚度为0.1-2nm；优选的，所述p型多晶硅或微晶硅薄膜的厚度为5-20nm；优选的，所述n型多晶硅薄膜的厚度为5-20nm。
6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于还包括：在所述钝化层上形成保护层；优选的，所述保护层包括tco层或氮化硅层；更优选的，所述tco层包括ito薄膜、iwo薄膜、itio薄膜中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基体采用电阻率为0.1-3ω.cm的n型硅片；和/或，所述切槽的宽度为0.2-10μm，优选为0.2-1μm，深度为0.5-50μm，优选为0.5-15μm。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于具体包括：采用氢等离子体处理的方式对所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区及所述自然氧化层进行处理，使氢等离子体渗入所述自然氧化层以及所述准中性区的局部；和/或，所述自然氧化层的厚度为1-2nm。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于还包括制作与所述基体连接的太阳能电池电极的步骤。
10.由权利要求1-9中任一项所述方法制作形成的n型分片太阳能电池结构。