1.一种功率半导体模块，包括：
功率半导体芯片，所述功率半导体芯片布置于第一衬底和第二衬底之间并且电耦合到所述第一衬底和所述第二衬底，
温度传感器，所述温度传感器布置于所述功率半导体芯片和所述第二衬底之间，使得所述温度传感器的第一侧面向所述功率半导体芯片，并且所述温度传感器的第二侧面向所述第二衬底，
其中，所述温度传感器的第一电接触部和第二电接触部布置于所述第二侧上并且电耦合到所述第二衬底。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
导电间隔体，所述导电间隔体布置于所述功率半导体芯片和所述第二衬底之间，并且将所述功率半导体芯片的功率电极电耦合到所述第二衬底。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述温度传感器布置于所述间隔体中的腔体内。
4.根据权利要求3所述的功率半导体模块，还包括：
电绝缘层，所述电绝缘层形成于所述温度传感器和所述间隔体之间以使所述温度传感器与所述间隔体电绝缘。
5.根据权利要求2所述的功率半导体模块，还包括：
电绝缘载体，所述电绝缘载体布置于所述功率半导体芯片和所述第二衬底之间，横向地在所述间隔体旁边，
其中，所述温度传感器布置于所述载体上，并且通过所述载体与所述功率半导体芯片电绝缘。
6.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其中，所述载体包括陶瓷或由陶瓷构成。
7.一种功率半导体模块，包括：
功率半导体芯片，所述功率半导体芯片布置于第一衬底和第二衬底之间并且电耦合到所述第一衬底和所述第二衬底，
温度传感器，所述温度传感器布置于所述第一衬底和所述第二衬底之间并且横向地布置在所述功率半导体芯片旁边，使得所述温度传感器的第一侧面向所述第一衬底，并且所述温度传感器的第二侧面向所述第二衬底，
其中，所述温度传感器的第一电接触部布置于所述第一侧上并且电耦合到所述第一衬底，并且其中，所述温度传感器的第二电接触部布置于所述第二侧上并且电耦合到所述第二衬底。
8.根据权利要求7所述的功率半导体模块，还包括：
第一散热器和第二散热器，所述第一散热器布置于所述温度传感器的所述第一侧和所述第一衬底之间，并且所述第二散热器布置于所述第二侧和所述第二衬底之间。
9.根据权利要求8所述的功率半导体模块，其中，所述第一散热器是第一金属块，并且其中，所述第二散热器是第二金属块。
10.根据权利要求8或9所述的功率半导体模块，其中，所述温度传感器在所有横向方向上延伸超出所述第一散热器和所述第二散热器的周界。
11.根据权利要求8到10中任一项所述的功率半导体模块，其中，所述温度传感器使用扩散焊料耦合到所述第一散热器和所述第二散热器。
12.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块，其中，所述温度传感器包括具有负热系数的电阻器。
13.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块，其中，所述第一衬底和所述第二衬底是以下类型之一的衬底：直接铜键合、直接铝键合或活性金属钎焊。
14.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块，还包括：
焊料球，所述焊料球布置于所述功率半导体芯片和所述第二衬底之间，并且将所述功率半导体芯片的控制电极电耦合到所述第二衬底。
15.一种用于制造功率半导体模块的方法，所述方法包括：
在第一衬底和第二衬底之间布置功率半导体芯片，并且将所述功率半导体芯片电耦合到所述第一衬底和所述第二衬底，
在所述第一衬底和所述第二衬底之间并且横向地在所述功率半导体芯片旁边布置温度传感器，使得所述温度传感器的第一侧面向所述第一衬底，并且所述温度传感器的第二侧面向所述第二衬底，
其中，所述温度传感器的第一电接触部布置于所述第一侧上并且电耦合到所述第一衬底，并且其中，所述温度传感器的第二电接触部布置于所述第二侧上并且电耦合到所述第二衬底。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在所述温度传感器的所述第一侧和所述第一衬底之间布置第一散热器，以及在所述第二侧和所述第二衬底之间布置第二散热器。
17.一种用于制造功率半导体模块的方法，所述方法包括：
在第一衬底和第二衬底之间布置功率半导体芯片，并且将所述功率半导体芯片电耦合到所述第一衬底和所述第二衬底，
在所述功率半导体芯片和所述第二衬底之间布置温度传感器，使得所述温度传感器的第一侧面向所述功率半导体芯片，并且所述温度传感器的第二侧面向所述第二衬底，
其中，所述温度传感器的第一电接触部和第二电接触部布置于所述第二侧上并且电耦合到所述第二衬底。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在所述功率半导体芯片和所述第二衬底之间布置导电间隔体，并且使用所述间隔体将所述功率半导体芯片的功率电极电耦合到所述第二衬底。