技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面暴露出所述第一导电结构表面；位于第一导电结构表面的第一防散射层；位于第一防散射层表面的第二导电结构。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一防散射层的材料包括二维晶体材料。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述二维晶体材料包括石墨烯或类石墨烯材料。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一防散射层的厚度范围为1纳米～2纳米。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于衬底表面的初始防散射材料层；位于初始防散射材料层上的停止结构；位于停止结构上的介质层；位于介质层内的第一开口；位于第一开口内的第二导电结构。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述初始防散射材料层的材料包括含碳有机材料，所述含碳有机材料包括非晶态碳。7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口暴露出部分或全部所述第一防散射层表面；所述第二导电结构位于部分所述第一防散射层表面。8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口暴露出部分或全部所述第一导电结构表面；所述第二导电结构位于部分所述第一导电结构表面。9.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一开口内壁表面的阻挡层；位于阻挡层表面的浸润层；位于浸润层表面的粘附层。10.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述停止结构包括第一停止层和位于第一停止层表面的第二停止层，所述第一停止层和第二停止层的材料不同。11.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口包括第一凹槽和位于第一凹槽上的第二凹槽，所述第一凹槽的孔径小于所述第二凹槽的孔径，且所述第一凹槽和第二凹槽相互贯通。12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二导电结构表面的第二防散射层。13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第二防散射层的厚度范围为1纳米～2纳米。14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面暴露出所述第一导电结构表面；在第一导电结构表面形成第一防散射层；在第一防散射层上形成第二导电结构。15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一防散射层的材料包括二维晶体材料。16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述二维晶体材料包括石墨烯或类石墨烯材料。
17.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一防散射层的形成方法包括：在衬底上形成初始防散射材料层；对所述初始防散射材料层进行热转化，在所述第一导电结构表面形成第一防散射层。18.如权利要求17所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成初始防散射材料层的工艺包括化学气相沉积工艺；所述化学气相沉积工艺的参数包括：反应气体包括ch4、c3h6、c2h2、c2h4和c4h8中的一种或多种的组合；反应气体流量范围为50标准毫升每分钟～1000标准毫升每分钟；反应温度范围为200摄氏度～450摄氏度。19.如权利要求17所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始防散射材料层的材料包括含碳有机材料，所述含碳有机材料包括非晶态碳。20.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一防散射层的厚度范围为1纳米～2纳米。21.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一防散射层上形成第二导电结构之前，还包括：在第一防散射层上形成停止结构；在停止结构上形成介质层，所述第二导电结构位于所述介质层内，且所述介质层暴露出所述第二导电结构顶部表面。22.如权利要求21所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一防散射层位于全部所述第一导电结构表面。23.如权利要求22所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构的形成方法包括：在介质层上形成图形化结构，所述图形化结构暴露出部分所述介质层表面；以所述图形化结构为掩膜刻蚀所述介质层和停止结构，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出部分或全部所述第一防散射层表面；在所述第一开口内形成第二导电结构，所述第二导电结构位于部分所述第一导电结构上。24.如权利要求23所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口内形成第二导电结构之前，还包括：在所述第一开口内壁表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成浸润层；在浸润层表面形成粘附层。25.如权利要求23所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口包括第一凹槽和位于第一凹槽上的第二凹槽，所述第一凹槽的孔径小于所述第二凹槽的孔径，且所述第一凹槽和第二凹槽相互贯通。26.如权利要求21所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一防散射层位于部分所述第一导电结构表面。27.如权利要求26所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构的形成方法包括：在介质层上形成图形化结构，所述图形化结构暴露出部分所述介质层表面；以所述图形化结构为掩膜刻蚀所述介质层、停止结构和第一防散射层，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出部分或全部所述第一导电结构表面；在所述第一开口内形成第二导电结构，所述第二导电结构位于部分或全部所述第一防散射层上。28.如权利要求27所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开口内形成第二导电结构之前，还包括：在所述第一开口内壁表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成浸润层；在浸润层表面形成粘附层。29.如权利要求27所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口包括第一凹槽和位于第一凹槽上的第二凹槽，所述第一凹槽的孔径小于所述第二凹槽的孔径，且所
述第一凹槽和第二凹槽相互贯通。30.如权利要求21所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述停止结构包括第一停止层和位于第一停止层表面的第二停止层，所述第一停止层和第二停止层的材料不同。31.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在第二导电结构表面形成第二防散射层。32.如权利要求31所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二防散射层的厚度范围为1纳米～2纳米。
技术总结
一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面暴露出所述第一导电结构表面；位于第一导电结构表面的第一防散射层；位于第一防散射层表面的第二导电结构。所述半导体结构的性能得到了提升。的性能得到了提升。的性能得到了提升。
技术研发人员：刘继全
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.04.01
技术公布日：2021/10/11