光电器件及其制作方法与流程

[0001]
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种光电器件及其制作方法。


背景技术：

[0002]
目前，光电器件例如发光二极管封装结构有采用双层点胶工艺，其具体是：在安装有蓝光发光二极管芯片的镜面铝基底上形成一个环形结构，以及在所述环形结构内点第一层荧光胶(例如含红色荧光粉的封装胶)并烘干后、再点第二层荧光胶(例如含绿色或黄色荧光粉的封装胶)并烘干。然而，在第一层荧光胶点入所述环形结构内后，由于所述环形结构与第一层荧光胶之间的表面张力，所述第一层荧光胶会在所述环形结构侧壁爬胶形成弧面，导致所述第一层荧光胶呈现中间低四周高的内凹状态；这样一来，所述第二荧光胶会出现中间厚四周薄的情形，从而严重影响发光二极管封装结构的发光均匀性，出射的光斑呈现中心与外圈颜色差异很大的情况。此外，如果所述双层点胶工艺采用自然沉淀或离心沉淀等双层点胶沉淀工艺，不但会有发光均匀性问题，若所述第一层荧光胶中荧光粉用量低，还可能会产生侧漏蓝光问题。因此，有必要改善现有光电器件例如发光二极管封装结构的出光质量。


技术实现要素：

[0003]
有鉴于此，为克服现有技术中的至少部分缺陷和不足，本发明实施例提供一种光电器件及其制作方法，以提升光电器件例如发光二极管封装结构的出光质量。
[0004]
具体地，本发明实施例提出的一种光电器件，包括：基底；多个发光芯片，设置在所述基底上、且电连接所述基底；第一环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置；第一波长转换层，设置在所述第一环形结构内、且覆盖所述多个发光芯片；第二环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置、且与所述第一环形结构接触连接；以及第二波长转换层，设置在所述第二环形结构内、且覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片，其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同。
[0005]
在本发明的一个实施例中，所述第一环形结构与所述第二环形结构依次层叠设置在所述基底上，从而所述第一环形结构位于所述第二环形结构与所述基底之间；以及所述第一环形结构的侧壁内外表面之间的最大距离大于或等于所述第二环形结构的侧壁内外表面之间的最大距离。
[0006]
在本发明的一个实施例中，所述第二波长转换层与所述第一波长转换层远离所述基底的顶面直接接触，且所述第一波长转换层的所述顶面的边缘不高于所述第二环形结构的侧壁内表面与所述第一环形结构的侧壁内表面之间的接合线。
[0007]
在本发明的一个实施例中，所述第一波长转换层的所述顶面为平面或外凸面。
[0008]
在本发明的一个实施例中，所述第二环形结构环绕所述第一环形结构设置、且与所述第一环形结构的侧壁外表面接触；以及所述第二环形结构在所述基底上的厚度大于所
述第一环形结构在所述基底上的厚度。
[0009]
在本发明的一个实施例中，所述第一环形结构的材料与所述第二环形结构的材料不同。
[0010]
在本发明的一个实施例中，所述第一环形结构为可见光透明材料，且所述第二环形结构为可见光不透明材料。
[0011]
在本发明的一个实施例中，所述光电器件还包括：第三环形结构，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置；以及封装胶，填充在所述第三环形结构内、且不包含荧光粉；其中，所述第三环形结构位于所述第一环形结构与所述基底之间，且所述封装胶接触并覆盖所述多个发光芯片；或者，所述第三环形结构位于所述第二环形结构远离所述第一环形结构的一侧，所述封装胶接触并覆盖所述第二波长转换层远离所述基底的顶面，且所述封装胶包含有光扩散粒子。
[0012]
在本发明的一个实施例中，所述基底包括金属基材、绝缘层、电路层和保护层；所述绝缘层位于所述金属基材与所述电路层之间，所述电路层位于所述绝缘层与所述保护层之间，且所述保护层局部暴露出所述电路层；以及所述多个发光芯片电连接所述电路层。
[0013]
此外，本发明实施例提供的一种光电器件的制作方法，包括：(i)提供基底；(ii)在所述基底上设置多个发光芯片，并使所述多个发光芯片电连接所述基底；(iii)在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置第一环形结构；(iv)在所述第一环形结构内设置第一波长转换层，并使所述第一波长转换层覆盖所述多个发光芯片；(v)在设置所述第一波长转换层之后，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置第二环形结构，并使所述第二环形结构与所述第一环形结构接触连接；以及(vi)在所述第二环形结构内设置第二波长转换层，并使所述第二波长转换层覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片，其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同(例如所述第二波长转换层与所述第一波长转换层分别采用不同颜色荧光粉作为波长转换物质)。
[0014]
由上可知，本发明实施例的光电器件及其制作方法，其采用双环形结构和双波长转换层，所述第一波长转换层在形成过程中不会因为表面张力而爬胶至所述第二环形结构的侧壁内表面；简而言之，所述第一波长转换层的形貌可控，从而所述光电器件的出光效果可控，可以改善出光均匀度，有利于提升所述光电器件的出光质量。
附图说明
[0015]
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]
图1为本发明第一实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0017]
图2为本发明第二实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0018]
图3为本发明第三实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0019]
图4为本发明第四实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0020]
图5为本发明第五实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0021]
图6为本发明第六实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0022]
图7为本发明第七实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0023]
图8为本发明第八实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0024]
图9为本发明第九实施例提供的一种光电器件的剖面结构示意图。
[0025]
图10为图9所述光电器件的俯视示意图。
[0026]
图11为本发明第十实施例提供的一种光电器件的制作方法的流程示意图。
[0027]
图12a-12e为相关本发明第十实施例的光电器件的制作方法的多个步骤的结构示意图。
具体实施方式
[0028]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0029]
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
[0030]
【第一实施例】
[0031]
请参见图1，本发明第一实施例提出的一种光电器件10，包括：基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环形结构15和第二波长转换层16。
[0032]
其中，所述基底11设置有电路层(图1未绘出)。作为示意性举例，所述电极层包括一个或者多个电极对、且每一个电极对包括正电极和负电极。
[0033]
所述多个发光芯片12设置在所述基底11上、且电连接所述基底11例如电连接所述基底11的所述电路层。作为示意性举例，所述发光芯片12例如是蓝光发光二极管芯片，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他颜色发光二极管芯片。
[0034]
所述第一环形结构13在所述基底11上环绕所述多个发光芯片12设置，其内部容置空间定义出用于安装所述多个发光芯片12的固晶区域。具体地，所述第一环形结构13具有相对的侧壁内表面131和侧壁外表面133，所述侧壁内表面131与所述侧壁外表面133之间的最大距离为d1，所述第一环形结构13在所述基底11上的厚度为t1。再者，作为示意性举例，所述第一环形结构13的材料可以采用市售的ker2020乳白色硅胶，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他合适有机材料。
[0035]
所述第一波长转换层14设置在所述第一环形结构13内、且覆盖所述多个发光芯片12。具体地，所述第一波长转换层14的远离所述基底11的顶面142为具有本技术领域可接受表面粗糙度的平面，所述顶面142的边缘1420与所述第一环形结构13的所述侧壁内表面131相接，且所述顶面142高于所述发光芯片12的远离所述基底11的顶面。再者，所述第一波长转换层14包含的波长转换物质可以是荧光粉；作为示意性举例，所述第一波长转换层14的
材料可以采用市售oe6351硅胶与市售br102q红色荧光粉的混合物，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他有机材料与红色荧光粉或其他颜色荧光粉的混合物。
[0036]
所述第二环形结构15在所述基底11上环绕所述多个发光芯片12设置、且与所述第一环形结构13接触连接。具体地，所述第二环形结构15与所述第一环形结构13依次层叠设置在所述基底11上，从而所述第一环形结构13位于所述基底11与所述第二环形结构15之间；所述第二环形结构15具有相对的侧壁内表面151和侧壁外表面153，所述侧壁内表面151与所述侧壁外表面153之间的最大距离为d2，此处的d2例如等于d1；以及所述第二环形结构15在所述基底11上的厚度为t2，此处的t2例如等于t1。再者，所述第二环形结构15与所述第一环形结构13在所述基底11上的总厚度为t，此处的t的取值范围例如为0.5mm-1mm。此外，值得一提的是，t1的取值范围可以是总厚度t的10％-80％，t2的取值范围可以是总厚度t的20％-90％；以t的取值范围为0.5mm-1mm为例，t1的取值范围可以是0.1mm-0.8mm，t2的取值范围可以是0.2mm-0.9mm。另外，作为示意性举例，所述第二环形结构15的材料例如与所述第一环形结构13的材料相同，比如采用市售ker2020乳白色硅胶，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他合适的有机材料。
[0037]
所述第二波长转换层16设置在所述第二环形结构15内、且覆盖所述第一波长转换层14和所述多个发光芯片12。具体地，所述第二波长转换层16与所述第一波长转换层14的所述顶面142直接接触，其例如填满所述第二环形结构15的内部容置空间。再者，所述第二波长转换层16包含的波长转换物质与所述第一波长转换层14包含的波长转换物质的材料不同，此处的波长转换物质例如是荧光粉；作为示意性举例，所述第二波长转换层16的材料例如采用市售oe6351硅胶与市售gal535黄绿荧光粉及nyag445黄色荧光粉的混合物，也即所述第二波长转换层16与所述第一波长转换层14分别采用不同颜色荧光粉作为波长转换物质，但本发明实施例并不以此为限，所述第二波长转换层16的材料也可以采用其他有机材料与黄绿及黄色荧光粉或其他颜色荧光粉的混合物。
[0038]
值得说明的是，由于本实施例所述的光电器件10采用双环形结构和双波长转换层，所述第一波长转换层14在形成过程中不会因为表面张力而爬胶至所述第二环形结构15的所述侧壁内表面151，其可以使得所述第一波长转换层14的所述顶面142的所述边缘1420不高于所述第二环形结构15的所述侧壁内表面151与所述第一环形结构13的所述侧壁内表面131之间的接合线1513。简而言之，所述第一波长转换层14的形貌可控，从而所述光电器件10的出光效果可控，可以改善出光均匀度，有利于提升所述光电器件10的出光质量。
[0039]
【第二实施例】
[0040]
参见图2，本发明第二实施例的光电器件20与前述第一实施例的光电器件10的结构基本相同，也包括基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环形结构15和第二波长转换层16。不同之处在于：所述第一环形结构13的侧壁内表面131与侧壁外表面133之间的最大距离d1大于所述第二环形结构15的侧壁内表面151与侧壁外表面153之间的最大距离d2，所述第一环形结构13的截面形状例如大致为梯形；如此一来，可以进一步提升层叠设置的所述第一环形结构13与所述第二环形结构15的整体结构稳定性。此外，值得一提的是，所述第一环形结构13与所述第二环形结构15的材料可以相同，也可以不同。
[0041]
【第三实施例】
[0042]
参见图3，本发明第三实施例的光电器件30与前述第一实施例的光电器件10的结构基本相同，也包括基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环形结构15和第二波长转换层16。不同之处在于：所述第二环形结构15在所述基底11上的厚度t2与所述第一环形结构13在所述基底11上的厚度t1，例如t2小于t1，当然t2也可以大于t1。本实施例通过对所述厚度t1、t2的调控，可进一步控制所述光电器件30的光色特性指标。
[0043]
【第四实施例】
[0044]
参见图4，本发明第四实施例的光电器件40与前述第一实施例的光电器件10的结构基本相同，也包括基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环形结构15和第二波长转换层16。不同之处在于：所述第一波长转换层14的远离所述基底11的顶面142为内凹面，相应地，所述第二波长转换层16的与所述顶面142相接触的底面为内凸面。本实施例由于采用双环形结构和双波长转换层，其使得所述第一波长转换层14与所述第二波长转换层16之间的接合面曲率可控，进而可以控制所述光电器件40出射光斑的颜色分布；以所述第一波长转换层14包含红色荧光粉为例，其可以使得出射光斑的周边区域相对于中心区域偏红。
[0045]
【第五实施例】
[0046]
参见图5，本发明第五实施例的光电器件50与前述第一实施例的光电器件10的结构基本相同，也包括基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环形结构15和第二波长转换层16。不同之处在于：所述第一波长转换层14的远离所述基底11的顶面142为外凸面，相应地，所述第二波长转换层16的与所述顶面142相接触的底面为外凹面。本实施例由于采用双环形结构和双波长转换层，其使得所述第一波长转换层14与所述第二波长转换层16之间的接合面曲率可控，进而可以控制所述光电器件50出射光斑的颜色分布；以所述第一波长转换层14包含红色荧光粉为例，其可以使得出射光斑的中心区域相对于周边区域偏红。
[0047]
【第六实施例】
[0048]
请参见图6，本发明第六实施例提出的一种光电器件60，包括：基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环形结构15和第二波长转换层16。
[0049]
其中，所述基底11设置有电路层(图6未绘出)。作为示意性举例，所述电极层包括一个或者多个电极对、且每一个电极对包括正电极和负电极。
[0050]
所述多个发光芯片12设置在所述基底11上、且电连接所述基底11例如电连接所述基底11的所述电路层。作为示意性举例，所述发光芯片12例如是蓝光发光二极管芯片，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他颜色发光二极管芯片。
[0051]
所述第一环形结构13在所述基底11上环绕所述多个发光芯片12设置，其内部容置空间定义出用于安装所述多个发光芯片12的固晶区域。具体地，所述第一环形结构13具有相对的侧壁内表面131和侧壁外表面133，所述侧壁内表面131与所述侧壁外表面133之间的最大距离为d1，所述第一环形结构13在所述基底11上的厚度为t1。再者，作为示意性举例，所述第一环形结构13的材料可以采用市售的ker2020乳白色硅胶(对可见光不透明)或市售ss-678透明硅胶(对可见光透明)，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他合适的有机材料。此外，所述第一环形结构13的截面形状并不限于图6所示的矩形，其也可以采
用其他截面形状例如梯形。
[0052]
所述第一波长转换层14设置在所述第一环形结构13内、且覆盖所述多个发光芯片12。具体地，所述第一波长转换层14的远离所述基底11的顶面142为具有本技术领域可接受表面粗糙度的平面，所述顶面142的边缘1420与所述第一环形结构13的所述侧壁内表面131相接，且所述顶面142高于所述多个发光芯片12的远离所述基底11的顶面。当然，所述顶面142也可以采用如图4所示的内凹面或如图5所示的外凸面。再者，所述第一波长转换层14包含的波长转换物质可以是荧光粉；作为示意性举例，所述第一波长转换层14的材料可以采用市售oe6351硅胶与市售br102q红色荧光粉的混合物，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他有机材料与红色荧光粉或其他颜色荧光粉的混合物。
[0053]
所述第二环形结构15在所述基底11上环绕所述多个发光芯片12设置、且与所述第一环形结构13接触连接。具体地，所述第二环形结构15环绕所述第一环形结构13设置、且与所述第一环形结构13的所述侧壁外表面133接触；所述第二环形结构15具有相对的侧壁内表面151和侧壁外表面153，所述侧壁内表面151与所述侧壁外表面153之间的最大距离为d2，d2与d1可以相同也可以不同；以及所述第二环形结构15在所述基底11上的厚度为t2，此处的t2大于t1。举例来说，t2的取值范围例如为0.5mm-1mm，t1的取值范围可以是厚度t2的10％-80％，比如是0.1mm-0.8mm。另外，所述第二环形结构15的材料例如与所述第一环形结构13的材料相同或不同，比如所述第二环形结构15的材料采用市售ker2020乳白色硅胶，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他合适的有机材料。
[0054]
所述第二波长转换层16设置在所述第二环形结构15内、且覆盖所述第一波长转换层14和所述多个发光芯片12。具体地，所述第二波长转换层16与所述第一波长转换层14的所述顶面142直接接触，其例如填满所述第二环形结构15的内部容置空间。再者，所述第二波长转换层16包含的波长转换物质与所述第一波长转换层14包含的波长转换物质的材料不同，此处的波长转换物质例如是荧光粉；作为示意性举例，所述第二波长转换层16的材料例如采用市售oe6351硅胶与市售gal535黄绿荧光粉及nyag445黄色荧光粉的混合物，也即所述第二波长转换层16与所述第一波长转换层14分别采用不同颜色荧光粉作为各自的波长转换物质，但本发明实施例并不以此为限，所述第二波长转换层16的材料也可以采用其他合适的有机材料与黄绿及黄色荧光粉或其他颜色荧光粉的混合物。
[0055]
值得说明的是，由于本实施例所述的光电器件60采用双环形结构和双波长转换层，所述第一波长转换层14在形成过程中不会因为表面张力而爬胶至所述第二环形结构15的所述侧壁内表面151。简而言之，所述第一波长转换层14的形貌可控，从而所述光电器件60的出光效果可控，可以改善出光均匀度，有利于提升所述光电器件10的出光质量。再者，当所述第一环形结构13采用对所述发光芯片12出射光透明的材料(例如可见光透明的市售ss-678透明硅胶)、且所述第二环形结构15采用对所述发光芯片12出射光不透明的材料(例如可见光不透明的市售ker2020乳白色硅胶)时，其允许所述第二环形结构15与所述第一环形结构13的整体宽度(d1+d2)较大，从而有利于提升双环形结构的整体结构稳定性及降低制作难度。
[0056]
【第七实施例】
[0057]
参见图7，本发明第七实施例的光电器件70与前述第一实施例的光电器件10的结构基本相同，也包括基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环
形结构15和第二波长转换层16。不同之处在于：所述光电器件70还包括第三环形结构17以及封装胶19。其中，所述第三环形结构17在所述基底11上环绕所述多个发光芯片12设置，所述封装胶19填充在所述第三环形结构17内且不包含波长转换物质比如荧光粉。更具体地，所述第三环形结构17位于所述第一环形结构13与所述基底11之间，所述封装胶19接触并覆盖所述多个发光芯片12，且所述封装胶19的远离所述基底11的顶面高于所述多个发光芯片12的远离所述基底11的顶面，当然也可以低于所述多个发光芯片12的远离所述基底11的顶面。作为示意性举例，所述第三环形结构17的材料可以采用市售ker2020乳白色硅胶，所述封装胶19的材料可以采用市售oe6351硅胶，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他合适的有机材料。
[0058]
本实施例中所述第三环形结构17和所述封装胶19的设置，若所述第一波长转换层14为ksf(k2sif6:mn4+，氟化物)荧光粉，设置所述封装胶19可保护所述基板11；若所述第一波长转换层14为普通荧光粉(例如为非氟化物荧光粉)，平面的所述封装胶19可以让所述第一波长转换层14沉淀下来的荧光粉较均匀，可减轻光斑。
[0059]
【第八实施例】
[0060]
参见图8，本发明第八实施例的光电器件80与前述第一实施例的光电器件10的结构基本相同，也包括基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环形结构15和第二波长转换层16。不同之处在于：所述光电器件80还包括第三环形结构17以及封装胶19。其中，所述第三环形结构17在所述基底11上环绕所述多个发光芯片12设置，所述封装胶19填充在所述第三环形结构17内且不包含波长转换物质比如荧光粉。更具体地，所述第三环形结构17位于所述第二环形结构15远离所述第一环形结构13的一侧，从而所述第一环形结构13、所述第二环形结构15和所述第三环形结构17依次层叠于所述基底11上；所述封装胶19接触并覆盖所述第二波长转换层15远离所述基底11的顶面，且所述封装胶19包含有光扩散粒子191。作为示意性举例，所述第三环形结构17的材料可以采用市售ker2020乳白色硅胶，所述封装胶19的材料可以采用市售oe6351硅胶与硫酸钡、二氧化硅和/或碳酸钙等光扩散粒子的混合物，但本发明实施例并不以此为限，其也可以采用其他合适的材料。
[0061]
本实施例中所述第三环形结构17和所述封装胶19的设置，其能够提供光扩散功能，有利于提升所述光电器件80的出光均匀性。
[0062]
【第九实施例】
[0063]
参见图9及10，本发明第九实施例的光电器件90与前述第一实施例的光电器件10的结构基本相同，也包括基底11、多个发光芯片12、第一环形结构13、第一波长转换层14、第二环形结构15和第二波长转换层16。不同之处在于：所述第九实施例示出了所述光电器件90的所述基底11的一种具体结构实施方式。
[0064]
如图9和图10所示，所述基底11包括金属基材11、绝缘层113、电路层115和保护层117。所述绝缘层113位于所述金属基材111与所述电路层115之间，所述电路层115位于所述绝缘层113与所述保护层117之间，且所述保护层117局部暴露出所述电路层115；以及所述多个发光芯片12电连接所述电路层115，例如通过打线方式(wire bonding)电连接所述电路层115。作为示意性举例，所述金属基材111例如为铝板，所述绝缘层113例如为bt(bismaleimide triazine，双马来酰亚胺三嗪)材料层，所述电路层115例如为铜层且包括
至少一个电极对(图10中示出一个电极对，当然在其他实施方式中也可以设置多个电极对以实现电极对的冗余设置)，以及所述保护层117例如为阻焊层，但本发明实施例并不以此为限。
[0065]
本实施例所述的光电器件90采用双环形结构和双波长转换层，所述第一波长转换层14在形成过程中不会因为表面张力而爬胶至所述第二环形结构15的所述侧壁内表面，其可以使得所述第一波长转换层14的所述顶面142的边缘不高于所述第二环形结构15的所述侧壁内表面与所述第一环形结构13的所述侧壁内表面之间的所述接合线。简而言之，所述第一波长转换层14的形貌可控，从而所述光电器件90的出光效果可控，可以改善出光均匀度，有利于提升所述光电器件90的出光质量。
[0066]
【第十实施例】
[0067]
参见图11，本发明第十实施例提供一种光电器件的制作方法，其例如包括以下步骤：
[0068]
s101：提供基底；
[0069]
s103：在所述基底上设置多个发光芯片，并使所述多个发光芯片电连接所述基底；
[0070]
s105：在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置第一环形结构；
[0071]
s107：在所述第一环形结构内设置第一波长转换层，并使所述第一波长转换层覆盖所述多个发光芯片；
[0072]
s109：在设置所述第一波长转换层之后，在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置第二环形结构，并使所述第二环形结构与所述第一环形结构接触连接；
[0073]
s111：在所述第二环形结构内设置第二波长转换层，并使所述第二波长转换层覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片，其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同。
[0074]
为便于更清楚地理解本实施例的制作方法，下面以制作图1所述光电器件10为例结合图12a-12e进行详细说明。
[0075]
具体地，在步骤s101中，提供如图12a所示的基底11，而所述基底11的具体结构可以采用图9所示的结构，也即包括所述金属基材111、所述绝缘层113、所述电路层115和所述保护层117。
[0076]
在步骤s103中，例如图12a所示，在所述基底11上设置多个发光芯片12，此处的发光芯片12例如发光二极管芯片，比如蓝光发光二极管芯片或其他颜色发光二极管芯片；这些发光芯片12可以通过导电胶例如银胶贴附于所述基底11的上表面。
[0077]
在步骤s105中，例如图12b所示，在所述基底11的上表面设置第一环形结构13；所述第一环形结构13的材料例如是硅胶等有机材料比如市售ker2020乳白色硅胶。
[0078]
在步骤s107中，例如图12c所示，在所述第一环形结构13形成后，将硅胶与荧光粉的混合物以点胶方式填入所述第一环形结构13的内部容置空间并烘干，以得到所述第一波长转换层14。所述第一波长转换层14的远离所述基底11的顶面142的边缘1420与所述第一环形结构13的侧壁内表面131相接。此处值得一提的是，硅胶与荧光粉的混合物例如是市售oe6351硅胶与市售br102q红色荧光粉的混合物，但本发明实施例并不以此为限，也可以是其他透明有机材料与红色或其他颜色荧光粉的混合物。此外，所述第一波长转换层14的形成可以基于现有成熟的沉淀工艺以得到具有荧光粉浓度梯度分布的波长转换层，或基于现
有成熟的非沉淀工艺以得到具有荧光粉浓度均匀分布的波长转换层。
[0079]
在步骤s109中，例如图12d所示，在所述第一环形结构13上层叠设置第二环形结构15，所述第二环形结构15的材料对所述发光芯片12出射的光不透明，其例如是硅胶等有机材料比如市售ker2020乳白色硅胶。值得一提的是，由于本实施例的第二环形结构15是在所述第一波长转换层14之后形成，因此所述第一波长转换层14在形成过程中不会因为表面张力而爬胶至所述第二环形结构15的侧壁内表面151，其可以使得所述第一波长转换层14的所述顶面142的所述边缘1420不高于所述第二环形结构15的所述侧壁内表面151与所述第一环形结构13的所述侧壁内表面131之间的接合线1513。简而言之，所述第一波长转换层14的形貌可控，其使得最终制得的光电器件的出光效果可控，可以改善出光均匀度，有利于提升光电器件的出光质量。
[0080]
在步骤s111中，例如图12e所示，在所述第二环形结构15形成后，将硅胶与荧光粉的混合物以点胶方式填入所述第二环形结构15的内部容置空间并烘干，以得到所述第二波长转换层16。所述第二波长转换层14直接接触所述第一波长转换层14的所述顶面142。此处值得一提的是，硅胶与荧光粉的混合物例如是市售oe6351硅胶与市售gal535黄绿荧光粉及nyag4454黄色荧光粉的混合物，但本发明实施例并不以此为限，也可以是其他透明有机材料与黄绿及黄色荧光粉或其他颜色荧光粉的混合物。此外，所述第二波长转换层16的形成可以基于现有成熟的沉淀工艺以得到具有荧光粉浓度梯度分布的波长转换层，或基于现有成熟的非沉淀工艺以得到具有荧光粉浓度均匀分布的波长转换层。
[0081]
至此，通过步骤s101-s111，可以制得如图1所示的光电器件10。
[0082]
在一个具体实施方式中，若需要制作图6所示的光电器件60，则可以在步骤s109中，将第二环形结构15设置在所述第一环形结构13的外围并与所述第一环形结构13的侧壁外表面接触、且使所述第二环形结构15的厚度大于所述第一环形结构13的厚度，以替换将所述第二环形结构15层叠设置于所述第一环形结构13上。值得一提的是，所述第一环形结构13可以采用可见光透明材料，也可以采用可见光不透明材料。
[0083]
在另一个具体实施方式中，若需要制作图7所示的光电器件70，则可以在步骤s105之前，增设步骤：在所述基底11上环绕所述多个发光芯片12设置第三环形结构，以及在所述第三环形结构内填充不包含波长转换物质比如荧光粉的封装胶。具体而言，所述第三环形结构位于所述第一环形结构13与所述基底11之间，且所述封装胶接触并覆盖所述多个发光芯片12。作为示意性举例，所述第三环形结构采用对所述发光芯片12出射光不透明的材料例如市售ker2020乳白色硅胶，所述封装胶采用透明硅胶比如市售oe6351硅胶，但本发明实施例并不以此为限。
[0084]
在又一个具体实施方式中，若需要制作图8所示的光电器件80，则可以在步骤s111之后，增设步骤：在所述基底11上环绕所述多个发光芯片12设置第三环形结构，以及在所述第三环形结构内填充不包含波长转换物质比如荧光粉的封装胶。具体而言，所述第三环形结构位于所述第二环形结构15远离所述第一环形结构13的一侧，从而所述第一环形结构13、所述第二环形结构15和所述第三环形结构依次层叠设置于所述基底11上；所述封装胶接触并覆盖所述第二波长转换层16远离所述基底11的顶面，且所述封装胶包含有光扩散粒子。作为示意性举例，所述第三环形结构采用对所述发光芯片12出射光不透明的材料例如市售ker2020乳白色硅胶，所述封装胶采用透明硅胶比如市售oe6351硅胶与硫酸钡、二氧化
硅和/或碳酸钙等光扩散粒子的混合物，但本发明实施例并不以此为限。
[0085]
可以理解的是，前述各个实施例仅为本发明的示例性说明，在技术特征不冲突、结构不矛盾、不违背本发明的发明目的前提下，各个实施例的技术方案可以任意组合、搭配使用。
[0086]
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。