一种微波介质波导滤波器的制作方法

本发明涉及介质滤波器技术领域，具体的，涉及一种微波介质波导滤波器。

背景技术：

随着无线通信技术的发展，特别是5g时代的到来，5g大规模天线技术使天线的数量成倍数增长，通道数可能达到64甚至128个，而每个天线都需要配备相应的双工器，并由相应的滤波器进行信号频率选择和处理，因此对于滤波器的需求量将大量增加；同时5g基站的高度集成化和小型化发展对于滤波器的尺寸的和发热性能提出了更高的要求。微波介质波导滤波器尤其微波介质波导谐振器滤波器凭借高q值、低损耗、体积小、重量轻、成本低、抗温漂性能好等优点成为5g时代微波介质波导滤波器的主流，拥有广阔的应用前景。

现代通信技术高速发展，可利用的频谱资源日益紧张，因此对微波介质波导滤波器频率选择特性的要求越来越高。为了提高通信容量和避免相邻信道间的干扰，要求微波介质波导滤波器必须有陡峭的带外抑制。微波介质波导滤波器提高带外抑制的有效方法是增加微波介质波导滤波器的阶数，微波介质波导滤波器的阶数增加了，其体积和重量也随着增加，给微波介质波导滤波器的小型化和轻量化设计带来了难度，增加微波介质波导滤波器的阶数的方法在实际应用中存在局限性，有必要加以改进。

技术实现要素：

本发明提出一种微波介质波导滤波器，解决了相关技术中的微波介质波导滤波器问题。

本发明的技术方案如下：

一种微波介质波导滤波器，包括介质块；设置在所述介质块表面的导电层；所述介质块具有多个微波介质波导谐振器，

每相邻的两个所述微波介质波导谐振器之间均设置有耦合结构，其中，

所述耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，所述负耦合结构包括槽体结构式的电场膜片，且所述电场膜片的槽底为封闭式结构。

可选地，所述电场膜片的边缘与所述介质块的边缘距离为d，且d大于零。

可选地，所述正耦合结构为电感膜片或者销钉；所述电感膜片包括单电感膜片、对称双电感膜片和非对称双电感膜片；且

所述电感膜片为槽体结构，所述电感膜片的槽底为封闭结构；

所述的销钉为通孔，包含单销钉和双销钉。

可选地，所述微波介质波导谐振器表面设置有调谐孔，所述调谐孔为盲孔，用于调谐所述微波介质波导谐振器的谐振频率。

可选地，所述微波介质波导谐振器之间还设置有耦合孔，所述耦合孔为盲孔。

可选地，还包括设置在所述介质块上的输入端和输出端，所述输入端和输出端均为盲孔，所述输入端和所述输出端的盲孔的开口方向与所述调谐孔盲孔的开口方向相反。

可选地，首微波介质波导谐振器和尾微波介质波导谐振器之间设置隔离槽，用于阻断信号传输。

可选地，所述电场膜片槽体开口方向与调谐孔开口方向相同或相反。

一种cq拓扑结构滤波器，包括cq拓扑结构单元，所述cq拓扑结构单元包括介质块；设置在所述介质块表面的导电层；每个所述cq拓扑结构单元包括如权利要求1-8中任一项所述的耦合结构和微波介质波导谐振器。

可选地，所述cq拓扑结构滤波器至少包括两组所述cq拓扑结构单元。

本发明的工作原理及有益效果为：

本发明中一种微波介质波导滤波器，相邻的两个所述谐振器之间设置有耦合结构，耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，其中，正耦合结构通过磁耦合结构实现，负耦合结构通过电耦合结构实现。其中，磁耦合的耦合极性为正，电耦合的耦合极性为负，电耦合结构为槽体结构式的电场膜片包括单电场膜片和双电场膜片。进一步地，微波介质波导滤波器的多个微波介质谐振器之间的耦合极性不同，使微波介质波导滤波器产生双传输零点，提高微波介质波导滤波器的带外衰减特性和频率选择特性，在不增加微波介质波导滤波器阶数的前提下，使微波介质波导滤波器获得良好的矩形系数，结构相对简单，利于微波介质波导滤波器的小型化，且易于微波介质波导滤波器大规模制备和调试。一种cq拓扑结构滤波器，包括至少两组cq拓扑结构单元，且cq拓扑结构单元包括上述的耦合结构。这种结构相对简单，利于微波介质波导滤波器的小型化，具有调试方便，利于大批量生产的优点。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

图1为本发明实施例一微波介质波导滤波器立体结构示意图；

图2为本发明实施例一微波介质波导滤波器主视图；

图3为本发明实施例一微波介质波导滤波器后视图；

图4为本发明实施例二微波介质波导滤波器立体结构示意图；

图5为本发明实施例二微波介质波导滤波器主视图；

图6为本发明实施例二微波介质波导滤波器后视图；

图7为本发明实施例二微波介质波导滤波器的s参数响应曲线；

图8为本发明实施例三微波介质波导滤波器立体结构示意图；

图9为本发明实施例三微波介质波导滤波器主视图；

图10为本发明实施例三微波介质波导滤波器后视图；

图11为本发明实施例四微波介质波导滤波器立体结构示意图；

图12为本发明实施例四微波介质波导滤波器主视图；

图13为本发明实施例四微波介质波导滤波器后视图；

图14为本发明实施例五微波介质波导滤波器立体结构示意图；

图15为本发明实施例五微波介质波导滤波器主视图；

图16为本发明实施例五微波介质波导滤波器后视图；

图17为本发明实施例五微波介质波导滤波器的s参数响应曲线；

图18为本发明实施例六微波介质波导滤波器立体结构示意图；

图19为本发明实施例六微波介质波导滤波器主视图；

图20为本发明实施例六微波介质波导滤波器后视图；

图中：

1介质块，201～210微波介质波导谐振器，4调谐孔，501电场膜片，502单电感膜片，503对称双电感膜片，504单销钉，505双销钉，506非对称双电感膜片，6耦合孔，7输入端，8输出端。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都涉及本发明保护的范围。

一种微波介质波导滤波器，包括介质块1；设置在介质块1表面的导电层；介质块1具有多个微波介质波导谐振器，

每相邻的两个微波介质波导谐振器之间均设置有耦合结构，其中，

耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，负耦合结构包括槽体结构式的电场膜片501，且电场膜片501的槽底为封闭式结构。

本发明实施例中，相邻的两个微波介质波导谐振器之间设置有耦合结构，耦合结构包括正耦合结构和至少一个负耦合结构，其中，正耦合结构通过磁耦合结构实现，负耦合结构通过电耦合结构实现。其中，磁耦合的耦合极性为正，电耦合的耦合极性为负，电耦合结构为槽体结构式的电场膜片包括单电场膜片和双电场膜片。进一步地，微波介质波导滤波器的多个微波介质谐振器之间的耦合极性不同，使微波介质波导滤波器产生双传输零点，提高微波介质波导滤波器的带外衰减特性和频率选择特性，在不增加微波介质波导滤波器阶数的前提下，使微波介质波导滤波器获得良好的矩形系数，结构相对简单，利于微波介质波导滤波器的小型化，且易于微波介质波导滤波器大规模制备和调试。

可选地，电场膜片501的边缘与介质块1的边缘距离为d，且d大于零。

本发明实施例中，采用的电场膜片的结构为半单电场膜片结构，具体而言，电场膜片的结构为槽体结构，电场膜片501的边缘与介质块1的边缘距离为d，且d大于零，也就是说电场膜片501槽体的边缘不贯穿介质块的边缘，这样的结构可以增强电场膜片的机械强度。

可选地，正耦合结构为电感膜片或者销钉；电感膜片包括单电感膜片502、对称双电感膜片503和非对称双电感膜片506；且

电感膜片为槽体结构，电感膜片的槽底为封闭结构；

销钉为通孔，包含单销钉504和双销钉505。

本发明实施例中，电感膜片或者销钉都用来使谐振器之间产生耦合极性为正的磁耦合，具体地结构设置通过以下实施例来示例说明。

实施例一

本发明实施例一中，具体地，如图1-3所示，201和202之间通过对称双电感膜片503分隔，对称双电感膜片503为纵向贯穿波导上下宽面的两个长方形通槽，两个通槽大小相同，在微波介质波导谐振器201与202之间两侧波导窄面对称设置，对称双电感膜片503实现磁耦合，耦合极性为正。

微波介质波导谐振器202与203之间通过双销钉505分隔，双销钉505为纵向贯穿微波介质波导谐振器202与203之间波导上下宽面的两个圆形通孔，两个通孔关于波导宽面的中心横向对称分布。双销钉505实现磁耦合，耦合极性为正。

单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器203与204之间波导上下宽面的长方形通槽，开口在波导窄面。单电感膜片502实现磁耦合，耦合极性为正。

微波介质波导谐振器204与205之间通过电场膜片501分隔，电场膜片501为位于介质块1上且开口在微波介质波导谐振器204与205之间波导宽面的长方形槽，槽底为封闭结构，槽的内侧一端与非对称双电感膜片506中相邻槽孔相连通，另一端在介质块1上为封闭结构。电场膜片501实现电耦合，耦合极性为负。

微波介质波导谐振器205与206之间通过单销钉504分隔，单销钉504为纵向贯穿波导上下宽面的圆形通孔。单销钉504实现磁耦合，耦合极性为正。

微波介质波导谐振器203与206之间通过非对称双电感膜片506分隔，非对称双电感膜片506为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器203与206之间波导上下宽面的两个长方形槽孔，两个槽孔大小不同。微波介质波导谐振器203与206间存在非相邻谐振腔的耦合，这种耦合是交叉耦合，非对称双电感膜片506实现磁耦合，耦合极性为正。

电场膜片501实现两个微波介质波导谐振器之间的信号的电耦合，使微波介质波导滤波器的多个微波介质谐振器之间的耦合极性不同，进而使微波介质波导滤波器的不同传输路径之间的相位不同，从而产生所需求的双传输零点，以提高微波介质波导滤波器的频率选择特性。

实施例二

本发明实施例二中，如图4-6所示，微波介质波导谐振器间的通过单电感膜片502实现，单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿波导上下宽面的长方形槽孔。微波介质波导谐振器203与206间存在非相邻谐振腔的交叉耦合，也通过单电感膜片502实现。

如图7所示，实施例中的滤波器s参数响应曲线通带外有双传输零点。电场膜片501实现电耦合，耦合极性为负，电感膜片实现磁耦合，耦合极性为正。电场膜片501在微波介质波导谐振器间产生必要的耦合极性，使交叉耦合微波介质波导滤波器的多个微波介质谐振器之间的耦合极性不同，进而使交叉耦合微波介质波导滤波器的不同传输路径之间的相位不同，从而产生所需求的双传输零点，以提高微波介质波导滤波器的频率选择特性。

实施例三

本发明实施例三中，如图8-10所示，微波介质波导滤波器包括六个微波介质波导谐振器，微波介质波导谐振器201与202之间通过对称双电感膜片503分隔，对称双电感膜片503为纵向贯穿波导上下宽面的两个长方形通槽，两个通槽大小相同，在微波介质波导谐振器201与202之间两侧波导窄面对称设置。对称双电感膜片503实现磁耦合，耦合极性为正。

微波介质波导谐振器202与203之间通过单销钉504分隔，单销钉504为纵向贯穿波导上下宽面的圆形通孔。单销钉504实现磁耦合，耦合极性为正。

微波介质波导谐振器203与204之间通过电场膜片501分隔，电场膜片501为位于介质块1上且开口在微波介质波导谐振器203与204之间波导宽面的长方形槽，槽底为封闭结构，槽的内侧一端与非对称双电感膜片506中相邻槽孔相连通，另一端在介质块1上为封闭结构。电场膜片501实现电耦合，耦合极性为负。

微波介质波导谐振器204与205之间通过单电感膜片502分隔。

单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器204与205之间波导上下宽面的长方形通槽，开口在波导窄面。单电感膜片502实现磁耦合，耦合极性为正。

微波介质波导谐振器205与206之间通过双销钉505分隔，双销钉505为纵向贯穿微波介质波导谐振器205与206之间波导上下宽面的两个圆形通孔，两个通孔关于波导宽面的中心横向对称分布。双销钉505实现磁耦合，耦合极性为正。

微波介质波导谐振器202与205之间通过非对称双电感膜片506分隔，非对称双电感膜片506为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器202与205之间波导上下宽面的两个长方形槽孔，两个槽孔大小不同。微波介质波导谐振器202与205间存在非相邻谐振腔的耦合，这种耦合是交叉耦合，单电感膜片506实现磁耦合，耦合极性为正。

电场膜片501实现两个微波介质波导谐振器之间的信号的电耦合，使交叉耦合微波介质波导滤波器的多个微波介质谐振器之间的耦合极性不同，进而使交叉耦合微波介质波导滤波器的不同传输路径之间的相位不同，从而产生所需求的双传输零点，以提高微波介质波导滤波器的频率选择特性。

可选地，微波介质波导谐振器表面设置有调谐孔4，调谐孔4为盲孔，用于调谐微波介质波导谐振器的谐振频率。

本发明实施例一中，具体地，如图1-3所示，微波介质波导滤波器包括六个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上设置有调谐孔4，调谐孔4为圆形盲孔，开口在滤波器上表面，用于调谐所在微波介质波导谐振器的谐振频率。

本发明实施例二中，如图4-6所示，其结构与实施例1相同，微波介质波导滤波器包括六个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上设置有调谐孔4，调谐孔4为圆形盲孔，开口在滤波器上表面，用于调谐所在微波介质波导谐振器的谐振频率。

本发明实施例三中，如图8-10所示，微波介质波导滤波器包括六个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上设置有调谐孔4，调谐孔4为圆形盲孔，开口在滤波器上表面，用于调谐所在微波介质波导谐振器的谐振频率。

可选地，微波介质波导谐振器之间还设置有耦合孔6，耦合孔6为盲孔。

本发明实施例中，如图1-3所示，在实施例一中，微波介质波导谐振器203与204之间通过电感膜片502和耦合孔6分隔。耦合孔6为位于微波介质波导谐振器203与204上两个调谐孔之间的圆形盲孔，用于调谐微波介质波导谐振器203与204间的耦合能量。

如图8-10所示，在实施例三中，耦合孔6为位于微波介质波导谐振器204与205上两个调谐孔之间的圆形盲孔，用于调谐微波介质波导谐振器204与205之间的耦合能量。

可选地，还包括设置在介质块1上的输入端7和输出端8，输入端7和输出端8均为盲孔，输入端7和输出端8的盲孔的开口方向与调谐孔4盲孔的开口方向相反。

本发明实施例中，如图1-3所示，在实施例一中，微波介质波导谐振器201和206的背面分别设置有输入端7和输出端8，皆为圆形盲孔。与实施例一中结构相同，在实施例二中，微波介质波导谐振器201和206的背面分别设置有输入端7和输出端8，皆为圆形盲孔。如图8-10所示，在实施例三中，微波介质波导谐振器201和206的背面分别设置有输入端7和输出端8，皆为圆形盲孔。需要说明的是，输入端7和输出端8一般分别设置在首调谐孔和尾调谐孔相对的一面。

可选地，首微波介质波导谐振器和尾微波介质波导谐振器之间设置隔离槽，用于阻断信号传输。

本发明实施例中，首微波介质波导谐振器和尾微波介质波导谐振器指位于隔离槽两侧的微波介质波导谐振器，具体地，在图1-2，4-5和图8-10中首谐振器指微波介质波导谐振器201，尾谐振器指微波介质波导谐振器206，在图11-12,14-15中首微波介质波导谐振器指微波介质波导谐振器201，尾微波介质波导谐振器指微波介质波导谐振器210，在图18-19中首微波介质波导谐振器指微波介质波导谐振器201，尾微波介质波导谐振器指微波介质波导谐振器208。

微波介质波导谐振器201和微波介质波导谐振器206之间有纵向贯穿波导上下宽面的长方形槽孔，为隔离槽，位于介质块1的上。隔离槽与对称双电感膜片503内侧通槽和非对称双电感膜片506的一个槽孔垂直相交，在介质块1的上形成一个“t”形通槽。直接将隔离槽和双电感膜片506连通是为了加工方便，同时也能提高介质块的机械强度。

可选地，电场膜片501槽体开口方向与调谐孔4开口方向相同或相反。

本发明实施例中，开口方向指的是开口方向的朝向，电场膜片501和调谐孔4的开口方向相同，开口都在微波介质波导滤波器的波导宽面上表面，这样开口方向在同一表面加工起来比较方便，当然电场膜片501和调谐孔4的开口方向也可以相反。

一种cq拓扑结构滤波器，包括cq拓扑结构单元，cq拓扑结构单元包括介质块1；设置在介质块1表面的导电层；每个cq拓扑结构单元包括如权利要求1-8中任一项的耦合结构和微波介质波导谐振器。

可选地，cq拓扑结构滤波器至少包括两组cq拓扑结构单元。

本发明实施例中，cq拓扑结构滤波器，包括表面设置有导电层的介质块1，介质块1由微波元件构成的电磁耦合结构分隔成至少八个微波介质波导谐振器，微波元件包括电场膜片、电感膜片、销钉和耦合孔，滤波器包含两组cq拓扑结构单元电路，每组cq拓扑结构包含一个电场膜片构成的耦合结构。

采用电场膜片在微波介质波导谐振器间产生必要的耦合极性，使cq拓扑结构产生两个传输零点，进一步使交叉耦合微波介质波导滤波器产生两对传输零点，从而提高微波介质波导滤波器的带外衰减特性；在不增加微波介质波导滤波器阶数的前提下，使微波介质波导滤波器获得良好的矩形系数，这种结构相对简单，利于微波介质波导滤波器的小型化，具有调试方便，利于大批量生产的优点。

本发明为具有电场膜片的交叉耦合微波介质波导滤波器，包括表面设置有导电层的介质块1，介质块1由微波元件构成的电磁耦合结构分隔成至少八个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上设置有调谐孔，微波元件包括电场膜片、电感膜片、销钉和耦合孔，滤波器包含两组cq拓扑结构单元电路，每组cq拓扑结构包含一个电场膜片构成的耦合结构，其它微波介质波导谐振器间的耦合结构由电感膜片、销钉和耦合孔构成。

实施例四，如图11-13所示，具有电场膜片的交叉耦合微波介质波导滤波器包括十个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上设置有调谐孔4，调谐孔4为圆形盲孔，开口在滤波器上表面，用于调谐所在微波介质波导谐振器的谐振频率。

微波介质波导谐振器201与202之间通过单电感膜片502分隔。单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器201与202之间波导上下宽面的长方形槽孔。

微波介质波导谐振器202与203之间通过电场膜片501分隔，电场膜片501为位于介质块1上且开口在微波介质波导谐振器202与203之间波导宽面的长方形槽，槽底为封闭结构，槽的内侧一端与对称双电感膜片503中相邻槽孔相连通，另一端在介质块1上为封闭结构。

微波介质波导谐振器203与204之间通过单电感膜片502分隔。单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器203与204之间波导上下宽面的长方形槽孔。

微波介质波导谐振器204与205之间通过单销钉504分隔，单销钉504为纵向贯穿波导上下宽面的圆形通孔。

微波介质波导谐振器205与206之间通过双销钉505分隔，双销钉505为纵向贯穿微波介质波导谐振器205与206之间波导上下宽面的两个圆形通孔，两个通孔关于波导宽面的中心横向对称分布。

微波介质波导谐振器206与207之间通过单电感膜片502和耦合孔6分隔。单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器206与207之间波导上下宽面的长方形通槽，开口在波导窄面。耦合孔6为位于微波介质波导谐振器206与207上两个调谐孔之间的圆形盲孔，用于调谐微波介质波导谐振器206与207间的耦合能量。

微波介质波导谐振器207与208之间通过电场膜片501分隔，电场膜片501为位于介质块1上且开口在微波介质波导谐振器207与208之间波导宽面的长方形槽，槽底为封闭结构，槽的内侧一端与非对称双电感膜片506中相邻槽孔相连通，另一端在介质块1上为封闭结构。

微波介质波导谐振器208与209之间通过单电感膜片502分隔。单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器208与209之间波导上下宽面的长方形通槽，开口在波导窄面。

微波介质波导谐振器209与210之间通过单电感膜片502分隔。单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器209与210之间波导上下宽面的长方形槽孔。

微波介质波导谐振器201和210之间有纵向贯穿波导上下宽面的长方形槽孔，为隔离槽，位于介质块1的上。微波介质波导谐振器201和210的背面分别设置有输入端8和输出端9，皆为圆形盲孔。

微波介质波导谐振器205和210之间有纵向贯穿波导上下宽面的长方形隔离槽，隔离槽的两端分别与对称双电感膜片503和非对称双电感膜片506中的相邻槽孔相连通。

微波介质波导谐振器201与204之间通过对称双电感膜片503分隔，对称双电感膜片503为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器201与204之间波导上下宽面的两个长方形槽孔，两个槽孔大小相同。微波介质波导谐振器201与204间存在交叉耦合，这样微波介质波导谐振器201～204级联而成一个cq拓扑结构单元电路。

微波介质波导谐振器206与209之间通过非对称双电感膜片506分隔，非对称双电感膜片506为位于介质块1上且纵向贯穿微波介质波导谐振器206与209之间波导上下宽面的两个长方形槽孔，两个槽孔大小不同。微波介质波导谐振器206与209间存在交叉耦合，这样微波介质波导谐振器206～209级联而成一个cq拓扑结构单元电路。

此实施例中滤波器的拓扑结构包括两组cq拓扑结构单元电路，每组cq拓扑结构包括一个电场膜片构成的耦合结构。电场膜片501实现电耦合，耦合极性为负，电感膜片和销钉实现磁耦合，耦合极性为正。电场膜片501在微波介质波导谐振器间产生必要的耦合极性，使cq拓扑结构产生两个传输零点，进一步使交叉耦合微波介质波导滤波器产生两对传输零点，从而提高微波介质波导滤波器的带外衰减特性。

实施例五，如图14-16所示，排腔结构与具体实施例五相同，包括十个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上设置有调谐孔4，调谐孔4为圆形盲孔，开口在滤波器上表面，用于调谐所在微波介质波导谐振器的谐振频率。

与具体实施例五不同的地方是除微波介质波导谐振器202与203间和微波介质波导谐振器207与208间通过电场膜片501分隔实现耦合外，其余微波介质波导谐振器间的主耦合通过单电感膜片502实现，单电感膜片502为位于介质块1上且纵向贯穿波导上下宽面的长方形槽孔。

微波介质波导谐振器201与204间和微波介质波导谐振器206与209间存在非相邻谐振腔的交叉耦合，也通过单电感膜片502实现。

如图17所示，实施例的滤波器s参数响应曲线有两对传输零点。此实施例中滤波器的拓扑结构包含两组cq拓扑结构单元电路，每组cq拓扑结构包含一个电场膜片构成的耦合结构。电场膜片501实现电耦合，耦合极性为负，电感膜片实现磁耦合，耦合极性为正。电场膜片501在微波介质波导谐振器间产生必要的耦合极性，使cq拓扑结构产生两个传输零点，进一步使交叉耦合微波介质波导滤波器产生两对传输零点，从而提高微波介质波导滤波器的带外衰减特性。

实施例六，如图18-20所示，具有电场膜片的交叉耦合微波介质波导滤波器包括八个微波介质波导谐振器，每个微波介质波导谐振器上设置有调谐孔4，调谐孔4为圆形盲孔，开口在滤波器上表面，用于调谐所在微波介质波导谐振器的谐振频率。

除微波介质波导谐振器202与203间和微波介质波导谐振器206与207间通过电场膜片501分隔实现耦合外，其余微波介质波导谐振器间的主耦合通过单电感膜片502实现。

微波介质波导谐振器201与204间存在交叉耦合，通过单电感膜片502实现。微波介质波导谐振器205与208间存在交叉耦合，通过单电感膜片502实现。

微波介质波导谐振器201和208之间有纵向贯穿波导上下宽面的长方形槽孔，为隔离槽，位于介质块1的上。微波介质波导谐振器201和208的背面分别设置有输入端8和输出端9，皆为圆形盲孔。

本发明实施例描述中有关波导宽面、窄面的定义，不代表严格数学意义上的尺寸长短。有时因折叠排腔、输入输出结构的设置、消逝模(凋落模)波导的采用，这种物理尺寸的长短可能会发生变化。只要能满足微波介质波导谐振器的微波电磁场的谐振条件、边界条件及相互间的耦合即可。另外，图及文中所谓的上下等位置关系仅是对于实际图中发明物体特例摆放情况，为了便于说明和理解的一种相对关系。

本发明文字描述中涉及的相关名词，如传输零点、电场膜片(槽)、电感(感性)膜片(槽)、销钉(孔)、耦合孔、cq拓扑结构和主耦合及交叉耦合的含义与电磁场与微波技术理论领域相关人员所熟知或教科书所定义的相同。