1.一种极片，其特征在于，包括：
集流体；以及
膜片，所述膜片包括设置于所述集流体表面的底涂层和设置于所述底涂层表面的活性物质层，所述底涂层包括第一粘结剂和第一导电剂；
其中，所述膜片与所述集流体的粘结力为≥20n/m。
2.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述底涂层的厚度为100nm至2μm；优选为100nm至1000nm。
3.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述极片具有以下特征中的至少一个：
a.所述膜片与所述集流体的粘结力为≥80n/m；
b.所述膜片的压实密度为1.30g/cm3至1.80g/cm3；
c.所述膜片的孔隙率为20％至50％；
d.所述膜片的电阻为3mω至50mω。
4.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述极片具有以下特征中的至少一个：
e.所述底涂层中的第一粘结剂的质量含量为20％至95％；所述底涂层中的第一导电剂的质量含量为5％至80％；
f.所述第一粘结剂包括碳碳双键、羧基、羰基、碳氮单键、羟基、酯基、酰基或芳基官能团中的至少一种；
g.所述第一粘结剂包括丁苯橡胶、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮或聚丙烯酰胺中的至少一种；
h.所述第一导电剂包括导电炭黑、柯琴黑、单壁碳纳米管或多壁碳纳米管中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述第一导电剂的颗粒平均粒径或管平均直径d与所述底涂层厚度h的关系满足：
d与h的比值d/h为0.25～1.5；优选为0.5～1.25。
6.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，
所述活性物质层包括活性物质和第二粘结剂；其具有以下特征中的至少一个：
i.所述活性物质包括石墨类材料或硅基材料中的至少一种，所述硅基材料包括硅、硅氧化物、硅碳复合物或硅合金中的至少一种；
j.所述活性物质层包括质量含量为80％至99％的活性物质、0.8％至20％的第二粘结剂和0至5％的第二导电剂。
7.一种电化学装置，包括：
正极极片；
负极极片；
隔离膜，设置于所述正极极片和所述负极极片之间；
其特征在于，所述负极极片为根据权利要求1-6任一项所述的极片。
8.根据权利要求7所述的电化学装置，其特征在于，所述电化学装置包括电解液，所述电解液包括含s＝o双键的化合物。
9.根据权利要求8所述的电化学装置，其特征在于，所述电化学装置具有以下特征中的至少一个：
k.所述含s＝o双键的化合物包括环状硫酸酯、链状硫酸酯、链状磺酸酯、环状磺酸酯、链状亚硫酸酯或环状亚硫酸酯中的至少一种；
l.所述含s＝o双键化合物包括式1所示化合物中的至少一种，
其中：
w选自
l选自单键或亚甲基；
m为1至4的整数；
n为0至2的整数；且
p为0至6的整数。
10.根据权利要求9所述的电化学装置，所述含s＝o双键的化合物在所述电解液中的质量百分含量y与膜片孔隙率v的关系满足：
0.01≤y/v≤0.07。
11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求7-10任一项所述的电化学装置。