技术总结
本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，包括以下步骤：S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥离工艺将所述感光性干膜和其上的金属进行剥离，保留所述金属电极区域内的金属。该具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺可以使具有高台阶结构的硅片上的金属剥离干净，避免造成产品异常。避免造成产品异常。避免造成产品异常。
技术研发人员：耿增华 宋厚伟
受保护的技术使用者：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
技术研发日：2020.12.11
技术公布日：2021/3/28