一种基于变压器组的多晶硅还原炉的制作方法

1.本实用新型涉及多晶硅技术领域，特别是涉及一种基于变压器组的多晶硅还原炉。


背景技术：

2.随着社会的不断进步以及科技的不断发展，多晶硅在人们日常生活中的应用越来越广泛，相应的用于生产多晶硅的多晶硅还原炉也在不断的发展。在现阶段，多晶硅还原炉通常需要连接三相变压器，以便于实现多晶硅还原炉在不同情况下运行。通常情况下，针对多晶硅还原炉不同情况的运行，通常需要三相变压器在正常状态或缺相状态运行。
3.而在现有技术中，多晶硅还原炉通常与三相低压双分裂变压器连接。但是随着多晶硅还原炉单套系统容量不断增大，伴随着为多晶硅生产提供电源的变压器容量也随之不断增大，相应的变压器尺寸和重量也随之增加，进而制造难度和运输限制问题进一步突出。所以如何便于多晶硅还原炉以及配套设备的制备和运输时本领域技术人员急需解决的问题。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是提供一种基于变压器组的多晶硅还原炉，便于多晶硅还原炉以及配套设备的制备和运输。
5.为解决上述技术问题，本实用新型提供一种基于变压器组的多晶硅还原炉，包括多晶硅还原炉本体，以及与所述多晶硅还原炉本体连接的三相变压器组；
6.所述三相变压器组包括三台单相变压器，任一所述单相变压器均包括左柱变压单元和右柱变压单元，所述左柱变压单元的高压绕组与所述右柱变压单元的高压绕组并联连接；三个所述单相变压器之间角接，所述三相变压器组中各个低压绕组相互独立。
7.可选的，还包括多个调功柜，任一所述单相变压器包括两个低压绕组，所述低压绕组与所述调功柜一一对应，任一所述低压绕组通过对应的所述调功柜与所述多晶硅还原炉连接。
8.可选的，所述左柱变压单元的高压绕组与所述右柱变压单元的高压绕组之间通过单相并接铜排并联连接。
9.可选的，三个所述单相变压器之间通过连接铜排角接。
10.可选的，所述连接铜排与对应的所述单相并接铜排相接触，以角接三个所述单相变压器。
11.可选的，所述连接铜排位于所述三相变压器组的同一侧。
12.本实用新型所提供的一种基于变压器组的多晶硅还原炉，包括多晶硅还原炉本体，以及与多晶硅还原炉本体连接的三相变压器组；三相变压器组包括三台单相变压器，任一单相变压器均包括左柱变压单元和右柱变压单元，左柱变压单元的高压绕组与右柱变压单元的高压绕组并联连接；三个单相变压器之间角接，三相变压器组中各个低压绕组相互
独立。通过三个单相变压器相互角接的方式可以连接成符合要求的三相变压器组，在满足多晶硅还原炉本体正常工作的前提下，任一单相变压器的容量为传统三相变压器的三分之一，重量和尺寸大大降低，制造难度和运输受限问题得到彻底解决。并且变压器组结构的三相变压器，每组低压绕组与高压绕组不论在何种运行工况下，漏磁场均不会发生变化，线圈温升可以得到有效控制，多晶硅还原炉的可靠性可以得到保障，从而可以解决三相变压器缺相运行的安全风险。
附图说明
13.为了更清楚的说明本实用新型实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
14.图1为本实用新型实施例所提供的一种基于变压器组的多晶硅还原炉的结构示意图；
15.图2为图1中三相变压器组的结构示意图；
16.图3为图2中单相变压器的结构示意图。
17.图中：1.多晶硅还原炉本体、2.三相变压器组、21.单相并接铜排、22.连接铜排、23.低压绕组、24.高压绕组。
具体实施方式
18.本实用新型的核心是提供一种基于变压器组的多晶硅还原炉。在现有技术中，多晶硅还原炉通常与三相低压双分裂变压器连接。但是随着多晶硅还原炉单套系统容量不断增大，伴随着为多晶硅生产提供电源的变压器容量也随之不断增大，相应的变压器尺寸和重量也随之增加，进而制造难度和运输限制问题进一步突出。且传统三相变压器在缺相运行时，横向漏磁产生的涡轮损耗会使线圈温升升高，而大容量变压器受此影响会更明显，进而威胁变压器的可靠运行。
19.而本实用新型所提供的一种基于变压器组的多晶硅还原炉，包括多晶硅还原炉本体，以及与多晶硅还原炉本体连接的三相变压器组；三相变压器组包括三台单相变压器，任一单相变压器均包括左柱变压单元和右柱变压单元，左柱变压单元的高压绕组与右柱变压单元的高压绕组并联连接；三个单相变压器之间角接，三相变压器组中各个低压绕组相互独立。通过三个单相变压器相互角接的方式可以连接成符合要求的三相变压器组，在满足多晶硅还原炉本体正常工作的前提下，任一单相变压器的容量为传统三相变压器的三分之一，重量和尺寸大大降低，制造难度和运输受限问题得到彻底解决。并且变压器组结构的三相变压器，每组低压绕组与高压绕组不论在何种运行工况下，漏磁场均不会发生变化，线圈温升可以得到有效控制，多晶硅还原炉的可靠性可以得到保障，从而可以解决三相变压器缺相运行的安全风险。
20.为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做
出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.请参考图1，图2以及图3，图1为本实用新型实施例所提供的一种基于变压器组的多晶硅还原炉的结构示意图；图2为图1中三相变压器组的结构示意图；图3为图2中单相变压器的结构示意图。
22.参见图1，图2以及图3，在本实用新型实施例中，基于变压器组的多晶硅还原炉包括多晶硅还原炉本体1，以及与所述多晶硅还原炉本体1连接的三相变压器组2；所述三相变压器组2包括三台单相变压器，任一所述单相变压器均包括左柱变压单元和右柱变压单元，所述左柱变压单元的高压绕组24与所述右柱变压单元的高压绕组24并联连接；三个所述单相变压器之间角接，所述三相变压器组2中各个低压绕组23相互独立。
23.上述多晶硅还原炉本体1即多晶硅还原炉系统中用于直接生产多晶硅的部件，有关多晶硅还原炉的具体结构可以额参考现有技术，在此不再进行赘述。
24.上述多晶硅还原炉本体1会与三相变压器组2连接，其中三相变压器组2的高压会与外界的高压线缆连接以接收高压电，而三相变压器组2的低压绕组23会与多晶硅还原炉本体1连接从而向多晶硅还原炉本体1供电，以使多晶硅还原炉本体1工作。
25.在本实用新型实施例中，三相变压器组2包括三台单相变压器，任一所述单相变压器均包括左柱变压单元和右柱变压单元。上述左柱变压单元以及右柱变压单元均设置有一高压绕组24跟一低压绕组23，使得任一单相变压器具有两高压绕组24以及两低压绕组23。在单相变压器中左柱变压单元和右柱变压单元之间通过磁芯相互连接，而在单相变压器中左柱变压单元的高压绕组24与右柱变压单元的高压绕组24并联连接。
26.在本实用新型实施例中，为了使得三个单相变压器可以构成一三相变压器组2，该三个单相变压器之间角接，通常是三个单相变压器的高压绕组24之间角接，从而构成三相变压器组2。在本实用新型实施例中，三相变压器组2中各个低压绕组23相互独立，以保证多晶硅还原炉本体1对供电的要求。
27.具体的，在本实用新型实施例中，还包括多个调功柜，任一所述单相变压器包括两个低压绕组23，所述低压绕组23与所述调功柜一一对应，任一所述低压绕组23通过对应的所述调功柜与所述多晶硅还原炉连接。上述调功柜通常为低压调功柜，每一个低压绕组23均通过一一对应的调功柜与多晶硅还原炉本体1对应的接口连接，以向多晶硅还原炉本体1供电。有关调功柜的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。每个上述低压绕组23具体可以连接多种低压抽头，以满足多晶硅整个生产过程中不同阶段对电压、电流的不同要求。
28.具体的，在本实用新型实施例中，还可以包括三个高压进线柜，每台单相变压器一一对应一高压进线柜，该高压进线柜会与对应的单相变压器中任一高压绕组24连接，每台单相变压器会通过对应的高压进线柜与高压进线电缆连接，以实现高压电的输入。
29.具体的，在本实用新型实施例中，所述左柱变压单元的高压绕组24与所述右柱变压单元的高压绕组24之间通过单相并接铜排21并联连接。通常情况下，任一单相变压器中两个高压绕组24之间会通过两根单相并接铜排21实现并联连接，该单相并接铜排21会与高压绕组24直接接触。
30.具体的，在本实用新型实施例中，三个所述单相变压器之间通过连接铜排22角接，以使三台单相变压器可以构成三相变压器组2。有关角接的具体内容可以参考现有技术，在
此不再进行赘述。具体的，上述连接铜排22可以与对应的所述单相并接铜排21相接触，以角接三个所述单相变压器，使得三个单相变压器的高压绕组24角接。为了便于上述连接铜排22的设置，所述连接铜排22可以位于所述三相变压器组2的同一侧，以便于连接铜排22的安装。
31.本实用新型实施例所提供的一种基于变压器组的多晶硅还原炉，包括多晶硅还原炉本体1，以及与多晶硅还原炉本体1连接的三相变压器组2；三相变压器组2包括三台单相变压器，任一单相变压器均包括左柱变压单元和右柱变压单元，左柱变压单元的高压绕组24与右柱变压单元的高压绕组24并联连接；三个单相变压器之间角接，三相变压器组2中各个低压绕组23相互独立。通过三个单相变压器相互角接的方式可以连接成符合要求的三相变压器组2，在满足多晶硅还原炉本体1正常工作的前提下，任一单相变压器的容量为传统三相变压器的三分之一，重量和尺寸大大降低，制造难度和运输受限问题得到彻底解决。并且变压器组结构的三相变压器，每组低压绕组23与高压绕组24不论在何种运行工况下，漏磁场均不会发生变化，线圈温升可以得到有效控制，多晶硅还原炉的可靠性可以得到保障，从而可以解决三相变压器缺相运行的安全风险。
32.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
33.最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
34.以上对本实用新型所提供的一种基于变压器组的多晶硅还原炉进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。