一种耐高温抗微波穿透的磁铁的制作方法

文档序号:24848970发布日期:2021-04-27 19:53阅读:205来源:国知局
一种耐高温抗微波穿透的磁铁的制作方法

1.本实用新型涉及磁铁制品技术领域,尤其是涉及一种耐高温抗微波穿透的磁铁。


背景技术:

2.微波炉作为小家电产品的特殊种类,是靠腔体内产生看不见的微波来加热,烹调食物。同时微波具有它自己独有的特性,容易穿透网孔,产生“漏波”;另外容易在金属之间的小间隙和尖锐的金属角上产生高温的火花放电,俗称“打火”;由于微波固有的这些缺陷,致使在微波炉的开发过程中,不允许对腔体作部分的更改,例如增加活动机构,产生一些新功能,因为装配结构中的螺钉、小缝隙都可以使微波产生“漏波”和“打火”。因此有必要予以改进。


技术实现要素:

3.针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的是提供一种耐高温抗微波穿透的磁铁,在不对微波炉腔体进行打孔更改的同时,满足在微波炉腔体内进行功能组件的加装,避免因腔体更改而造成火花放电,提高微波炉在新增功能组件后的安全性。
4.为了实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:一种耐高温抗微波穿透的磁铁,包括磁铁本体,磁铁本体设置有上下设置的第一磁体和第二磁体,第一磁体和第二磁体一体成型,第二磁体的径宽大于第一磁体的径宽,第二磁体的顶面与第一磁体的侧面之间形成用作连接微波炉附加组件的定位台阶,第二磁体的边缘部沿圆周方向间隔设置有多个定位卡口,其中,磁铁本体的外表面从内向外依次设置有第一保护层和第二保护层,第一保护层位于磁铁本体的外表面;第二保护层位于第二磁体的外表面以及第一磁体的侧面。与现有技术相比,该磁铁具有更好的耐高温、耐腐蚀以及抗微波穿透的特性,适用于微波炉内腔的吸附装置。
5.在进一步的技术方案中,第一保护层包括具有耐高温性的镀氧化树脂层,镀氧化树脂层的厚度为10μm~100μm;所示第二保护层包括镀铜层,镀铜层的厚度为50μm~250μm。
6.在进一步的技术方案中,定位台阶的宽度为0.5cm~1.5cm、高度为0.2cm~0.5cm。
7.在进一步的技术方案中,第二磁体的边缘部沿圆周方向间隔设置有四个或四个以上定位卡口,定位卡口的分别贯穿第二磁体的顶面以及底面,定位卡口的横截面呈圆弧形或椭圆弧形设置。
8.在进一步的技术方案中,第一磁体和第二磁体分别为同心设置的圆柱形磁体,第一磁体的直径为10cm~15cm、高度为0.2cm~0.5cm;第二磁体的直径为10.5cm~16.5cm、高度为0.5cm~1cm。
9.采用上述结构后,本实用新型和现有技术相比所具有的优点是:本实用新型提供了一种耐高温抗微波穿透的磁铁,通过该磁铁与微波炉腔体磁吸配合进行微波炉的功能组件的添加安装,具有更好的耐高温、耐腐蚀以及抗微波穿透的特性,适用于微波炉内腔的吸附装置,无须对微波炉腔体进行打孔改动,换装快速,使用安全。
附图说明
10.下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
11.图1是本实用新型的结构示意图。
12.图2是本实用新型的截面示意图。
具体实施方式
13.以下仅为本实用新型的较佳实施例,并不因此而限定本实用新型的保护范围。
14.一种耐高温抗微波穿透的磁铁,包括磁铁本体,磁铁本体设置有上下设置的第一磁体1和第二磁体2,第一磁体1和第二磁体2一体成型,第二磁体2的径宽大于第一磁体1的径宽,第二磁体2的顶面与第一磁体1的侧面之间形成用作连接微波炉附加组件的定位台阶3,第二磁体2的边缘部沿圆周方向间隔设置有多个定位卡口4,其中,磁铁本体的外表面从内向外依次设置有第一保护层11和第二保护层12,第一保护层11位于磁铁本体的外表面;第二保护层12位于第二磁体2的外表面以及第一磁体1的侧面。本实用新型提供了一种耐高温抗微波穿透的磁铁,通过该磁铁与微波炉腔体磁吸配合进行微波炉的功能组件的添加安装,具有更好的耐高温、耐腐蚀以及抗微波穿透的特性,适用于微波炉内腔的吸附装置,无须对微波炉腔体进行打孔改动,换装快速,使用安全。由第一磁体1和第二磁体2一体成型的磁铁本体中,设有定位台阶3以及定位卡口4,供微波吸附装置的连接使用。磁铁本体的外表面设置有第一保护层11和第二保护层12复合形成的保护结构,使磁铁本体具有很好的抗微波穿透的特性以及耐高温、耐腐蚀的性能,使其适用于微波炉内腔的工作环境。在保持磁铁本体的磁吸性能的同时,还能保证磁铁本体不被微波炉内部运行环境所破坏,提高其有效使用时间。
15.具体地,第一保护层11包括具有耐高温性的镀氧化树脂层,镀氧化树脂层的厚度为10μm~100μm;所示第二保护层12包括镀铜层,镀铜层的厚度为50μm~250μm。第二保护层12还能设置为镀锌层等具有抗微波穿透性能的电镀层。
16.具体地,定位台阶3的宽度为0.5cm~1.5cm、高度为0.2cm~0.5cm。
17.具体地,第二磁体2的边缘部沿圆周方向间隔设置有四个或四个以上定位卡口4,定位卡口4的分别贯穿第二磁体2的顶面以及底面,定位卡口4的横截面呈圆弧形或椭圆弧形设置。
18.具体地,第一磁体1和第二磁体2分别为同心设置的圆柱形磁体,第一磁体1的直径为10cm~15cm、高度为0.2cm~0.5cm;第二磁体2的直径为10.5cm~16.5cm、高度为0.5cm~1cm。
19.以上内容仅为本实用新型的较佳实施例,对于本领域的普通技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
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