具有过电流保护的COB器件的制作方法

具有过电流保护的cob器件
技术领域
1.本实用新型涉及cob光源技术领域，尤其涉及一种具有过电流保护的cob器件。


背景技术：

2.led是一种电压敏感型半导体器件，在达到正常工作电流条件下，工作电压的微小波动就可以导致其工作电流大幅度变化。在led的实际使用过程中，经常会遇到led光源被过电流烧毁，而驱动电源却是正常工作的情况，但过电流输出的原因却无法明确，可能是干扰导致电流的短暂失控，也可能是温度导致器件的工作不正常，这些原因都极难被避免。因此，亟需一种具有过电流保护性能的cob产品来解决上述问题。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提出一种具有过电流保护的cob器件，能有效避免cob器件被过电流烧毁，有利于延长cob器件的使用寿命，结构简单，安装快捷，成本低，以克服现有技术中的不足之处。
4.为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
5.具有过电流保护的cob器件，包括基板和发光模组，所述发光模组安装于所述基板的上表面；
6.所述发光模组包括led芯片、围坝胶层和ptc电阻芯片，所述围坝胶层用于覆盖所述led芯片，所述ptc电阻芯片电连接于所述led芯片，且所述ptc电阻芯片的电压为12～36v，所述ptc电阻芯片的电流为0.1～4a。
7.优选的，所述ptc电阻芯片采用裸晶方式一体封装于所述围坝胶层。
8.优选的，所述ptc电阻芯片的电流为0.1～1a。
9.优选的，所述ptc电阻芯片采用贴片方式焊接于所述基板的上表面，且所述ptc电阻芯片位于所述围坝胶层的外部。
10.优选的，所述ptc电阻芯片的电流为0.5～4a。
11.优选的，所述led芯片为正装led芯片或倒装led芯片。
12.优选的，还包括第一焊盘，所述第一焊盘安装于所述基板的上表面，且所述第一焊盘用于与所述led芯片电连接。
13.优选的，还包括第二焊盘，所述第二焊盘安装于所述基板的上表面，且所述第二焊盘用于与所述ptc电阻芯片电连接。
14.优选的，所述基板为陶瓷基板或金属基板。
15.优选的，所述led芯片和所述ptc电阻芯片均设置有多个。
16.本实用新型的有益效果：
17.本技术方案在cob器件上集成了ptc电阻芯片，ptc电阻芯片是一种正温度系数的热敏电阻，在正常温度状态下，其阻值较小，可以看成是短路状态，但是一旦电流过大，由公式p＝i2r可知，其内部发热会呈指数提升，而由于电流变化，led芯片上的电压基本保持不
变，由公式p＝ui可知，发热只是呈线性提升，最终ptc电阻芯片会提前达到居里温度，电阻阶跃性增加至低温下的1000倍甚至百万倍，这个时候就可以看成是断路状态，而这个状态会随着温度降低恢复到短路状态，cob器件又可以自动恢复工作。从而使得本技术方案具有过电流保护的cob器件，能有效避免cob器件被过电流烧毁，有利于延长cob器件的使用寿命，结构简单，安装快捷，成本低。
附图说明
18.附图对本实用新型做进一步说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。
19.图1是本实用新型具有过电流保护的cob器件中一个实施例的结构示意图。
20.图2是本实用新型具有过电流保护的cob器件中另一个实施例的结构示意图。
21.其中：基板1、发光模组2、围坝胶层21、ptc电阻芯片22、第一焊盘3、第二焊盘4。
具体实施方式
22.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
23.具有过电流保护的cob器件，包括基板1和发光模组2，所述发光模组2安装于所述基板1的上表面；
24.所述发光模组包括led芯片、围坝胶层21和ptc电阻芯片22，所述围坝胶层21用于覆盖所述led芯片，所述ptc电阻芯片22电连接于所述led芯片，且所述ptc电阻芯片22的电压为12～36v，所述ptc电阻芯片22的电流为0.1～4a。
25.led是一种电压敏感型半导体器件，在达到正常工作电流条件下，工作电压的微小波动就可以导致其工作电流大幅度变化。在led的实际使用过程中，经常会遇到led光源被过电流烧毁，而驱动电源却是正常工作的情况，但过电流输出的原因却无法明确，可能是干扰导致电流的短暂失控，也可能是温度导致器件的工作不正常，这些原因都极难被避免。
26.为了防止cob器件被过电流烧毁，本技术方案在cob器件上集成了ptc电阻芯片22，使得在cob器件出现过电流时呈高阻态，从而断开led芯片的电流通路，保护cob器件不会被烧毁，而在电流恢复正常之后，cob器件又可以自动恢复工作，从而有效提升了cob器件的可靠性。
27.具体地，具有过电流保护的cob器件包括基板1和发光模组2，发光模组2安装于基板1的上表面；其中，发光模组包括led芯片、围坝胶层21和ptc电阻芯片22，围坝胶层21用于覆盖led芯片，ptc电阻芯片22电连接于led芯片，ptc电阻芯片是一种正温度系数的热敏电阻，在正常温度状态下，其阻值较小，可以看成是短路状态，但是一旦电流过大，由公式p＝i2r可知，其内部发热会呈指数提升，而由于电流变化，led芯片上的电压基本保持不变，由公式p＝ui可知，发热只是呈线性提升，最终ptc电阻芯片会提前达到居里温度，电阻阶跃性增加至低温下的1000倍甚至百万倍，这个时候就可以看成是断路状态，而这个状态会随着温度降低恢复到短路状态，cob器件又可以自动恢复工作。本技术方案具有过电流保护的cob器件，能有效避免cob器件被过电流烧毁，有利于延长cob器件的使用寿命，结构简单，安装快捷，成本低。
28.进一步地，本技术方案中所采用的ptc电阻芯片22的电压为12～36v，所述ptc电阻
芯片22的电流为0.1～4a，使得本技术方案中的ptc电阻芯片22可以达到较宽的电功率范围，有利于提高具有过电流保护的cob器件的兼容性。
29.更进一步说明，所述ptc电阻芯片22采用裸晶方式一体封装于所述围坝胶层21。
30.如图1所示，在本技术方案的一个实施例中，ptc电阻芯片22采用裸晶方式一体封装于围坝胶层21，该封装方式可适用于小型化、低功率的cob器件产品，便于使用。进一步地，本技术方案中的ptc电阻芯片采用裸晶方式一体封装于cob器件上，使得ptc电阻芯片的封装可以不改变原有cob产品的外观，方便设计和生产，且能有效兼容现有的灯具和配件，直接替换现有产品。
31.更进一步说明，所述ptc电阻芯片22的电流为0.1～1a。
32.更进一步说明，所述ptc电阻芯片22采用贴片方式焊接于所述基板1的上表面，且所述ptc电阻芯片22位于所述围坝胶层21的外部。
33.如图2所示，在本技术方案的另一个实施例中，ptc电阻芯片22采用贴片方式焊接于基板1的上表面，且ptc电阻芯片22位于围坝胶层21的外部，该封装方式可适用于较大功率的cob器件产品，生产成本较低，且生产方便。
34.更进一步说明，所述ptc电阻芯片22的电流为0.5～4a。
35.更进一步说明，所述led芯片为正装led芯片或倒装led芯片。
36.更进一步说明，还包括第一焊盘3，所述第一焊盘3安装于所述基板1的上表面，且所述第一焊盘3用于与所述led芯片电连接。
37.在本技术方案的一个实施例中，还包括第一焊盘3，第一焊盘3安装于基板1的上表面，且第一焊盘3用于与led芯片电连接，结构简单，可靠性强。
38.更进一步说明，还包括第二焊盘4，所述第二焊盘4安装于所述基板1的上表面，且所述第二焊盘4用于与所述ptc电阻芯片22电连接。
39.在本技术方案的另一个实施例中，还包括第二焊盘4，第二焊盘4安装于基板1的上表面，且第二焊盘4用于与ptc电阻芯片22电连接，结构紧凑，性能可靠。
40.更进一步说明，所述基板1为陶瓷基板或金属基板。
41.在本技术方案的一个实施例中，所述基板1为陶瓷基板或金属基板，具体可根据实际需要选择基板1的类型。
42.更进一步说明，所述led芯片和所述ptc电阻芯片22均设置有多个。
43.作为本技术方案的一个优选，具有过电流保护的cob器件可设置有多个led芯片和ptc电阻芯片22，且多个led芯片之间通过并联方式进行连接，多个ptc电阻芯片22之间也通过并联方式进行连接，有利于进一步提升cob器件的适用性。
44.以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。