1.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述处理装置包括：
反应腔，所述反应腔的腔壁设有开口；
基座，位于所述反应腔内，用于承载晶圆；
边缘环，在所述反应腔内环绕所述基座设置；所述边缘环设有容纳部；
末端执行器，穿过所述反应腔腔壁的开口进出所述反应腔；所述末端执行器包括晶圆承载部和边缘环承载部；所述晶圆承载部包含晶圆承载面，通过所述晶圆承载面运载晶圆进出所述反应腔；所述边缘环承载部包含边缘环承载面，通过所述边缘环承载面与所述边缘环的容纳部配合，运载所述边缘环进出所述反应腔。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘环承载部位于所述晶圆承载部的两侧。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，当所述末端执行器在水平方向进出反应腔时，所述晶圆承载面不低于所述边缘环承载面。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述末端执行器同时运载所述晶圆和所述边缘环进出所述反应腔。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述末端执行器运载所述晶圆或所述边缘环进出所述反应腔。
6.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘环承载部穿入所述边缘环的容纳部，所述边缘环承载面对所述边缘环进行承载。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘环承载部与所述边缘环上相应地设有定位机构，包含：
所述边缘环承载面设有定位销，所述容纳部内壁上对应定位销的位置开设有定位槽；
或者，所述容纳部内壁设有定位销，所述边缘环承载面上对应定位销的位置开设有定位槽；
或者，所述边缘环和所述边缘环承载部内部设有磁铁，且至少所述边缘环或所述边缘环承载部内的磁铁为电磁铁，通过电流通断控制电磁铁的磁性有无，实现所述边缘环的取放。
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述末端执行器通过升高或降低在不同的高度进出所述反应腔。
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘环为聚焦环。
10.一种末端执行器，用于权利要求1～9中任意一项所述等离子体处理装置，包括执行器本体，所述执行器本体与外部机械手臂配合，通过所述机械手臂驱动所述末端执行器，其特征在于，
所述末端执行器还包括晶圆承载部和边缘环承载部；
所述晶圆承载部包含晶圆承载面，通过所述晶圆承载面运载晶圆进出所述处理装置反应腔；
所述边缘环承载部包含边缘环承载面，通过所述边缘环承载面与边缘环的容纳部配合，运载所述边缘环进出所述处理装置反应腔。
11.如权利要求10所述末端执行器，其特征在于，所述晶圆承载部设置于所述执行器本体远离机械手臂的一端，所述晶圆承载部的两侧分别设置有所述边缘环承载部。
12.如权利要求10所述末端执行器，其特征在于，所述边缘环承载部上设有第一定位机构，与所述边缘环上相应的定位机构配合，在取放所述边缘环时进行定位。
13.如权利要求12所述末端执行器，其特征在于，所述第一定位机构包含：设置于所述边缘环承载面的定位销或定位槽，或设置于所述边缘环承载部内的磁铁。
14.一种边缘环，其在权利要求1～9中任意一项所述等离子体处理装置的反应腔内，环绕基座设置，其特征在于，所述边缘环设有容纳部；所述处理装置的末端执行器将边缘环承载部穿入所述边缘环的容纳部，通过边缘环承载面与所述边缘环的容纳部配合，运载所述边缘环进出所述处理装置的反应腔。
15.如权利要求14所述边缘环，其特征在于，所述容纳部为环形凹槽，或非连续凹槽或通孔。
16.如权利要求14所述边缘环，其特征在于，所述容纳部开设在所述边缘环的外壁上；
或者，所述容纳部设置于第二凸台，所述第二凸台位于所述边缘环的顶面；
或者，所述容纳部位于一遮盖环与第一凸台之间，所述遮盖环在所述第一凸台下方、环绕所述边缘环设置；所述第一凸台位于所述边缘环外壁。
17.如权利要求14所述边缘环，其特征在于，所述边缘环上设有第二定位机构，与所述边缘环承载部上相应的定位机构配合，在取放所述边缘环时进行定位。
18.如权利要求17所述边缘环，其特征在于，所述定位机构包含：设置于所述容纳部内壁上的定位销或定位槽，或设置于所述边缘环内的磁铁。