技术特征：
1.一种结构的形成方法，所述方法包括：提供基板，所述基板任选地包括其上的一个或多个中间层；在所述基板上或在所述一个或多个中间层(如果存在)上施涂组合物，以形成硅硬掩膜层，所述组合物包含聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包含：粘附促进单体，其具有选自以下一种或两种的结构：其中：每个r独立地选自c1～约c6烷基和氢，n为1～约6，每个x独立地选自环氧丙氧基、环氧、环氧环烷基、琥珀酸酐、乙酰胺和异氰脲酸酯部分；以及一种或两种以下单体：表面改性单体，其具有选自以下一种或两种的结构：其中：每个r1独立地选自c1～约c6烷基和c6～约c
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芳基，每个r2独立地选自c1～约c6烷基和氢，每个r3独立地选自c1～约c6烷基和氢，m为1～约6，每个y独立地选自乙酰氧基、酯和芳基部分，以及致密化单体，其具有选自以下一种、两种或三种的结构：
其中每个r4独立地选自c1～约c6烷基和氢；任选地在所述硅硬掩膜层上形成六甲基二硅氮烷底漆层；在所述六甲基二硅氮烷底漆层(如果存在)上形成光刻胶层，或者如果不存在六甲基二硅氮烷底漆层则在所述硅硬掩膜层上形成光刻胶层；以及对所述光刻胶层的至少一部分进行euv辐射。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚硅氧烷同时包含所述表面改性单体和所述致密化单体。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚硅氧烷包含：约2mol％～约50mol％的粘附促进单体；约5mol％～约90mol％的表面改性单体；和约0mol％～约80mol％的致密化单体。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚硅氧烷包含：约2mol％～约50mol％的粘附促进单体；约0mol％～约70mol％的表面改性单体；和约2mol％～约90mol％的致密化单体。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚硅氧烷包含：约0.01mol％～约30mol％的粘附促进单体；约0mol％～约70mol％的表面改性单体；和约30mol％～约95mol％的致密化单体。6.如权利要求1～5中任一项所述的方法，其中，所述基板选自硅、sige、sio2、si3n4、sion、sico:h、铝、钨、硅化钨、砷化镓、锗、钽、氮化钽、ti3n4、铪、hfo2、钌、磷化铟、玻璃及其混合物。7.如权利要求1～6中任一项所述的方法，还包括在对所述光刻胶层进行euv辐射后在所述光刻胶层中形成图案。8.如权利要求1～7中任一项所述的方法，还包括将所述图案转印至所述硅硬掩膜层、转印至所述中间层(如果存在)、以及转印至所述基板。9.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其中，存在中间层，并且所述中间层是富碳层。10.一种结构的形成方法，所述方法包括：提供基板，所述基板任选地包括其上的一个或多个中间层；在所述基板上或在所述一个或多个中间层(如果存在)上施涂组合物，以形成硅硬掩膜层，所述组合物包含聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包含：粘附促进单体，其包含环氧官能化三烷氧基硅烷、酸酐官能化三烷氧基硅烷、乙酰胺基官能化三烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷基异氰脲酸酯及其混合物，以及一种或两种以下单体：四烷氧基硅烷；和选自二烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷及其组合的表面改性单体；任选地在所述硅硬掩膜层上形成六甲基二硅氮烷底漆层；在所述六甲基二硅氮烷底漆层(如果存在)上形成光刻胶层，或者如果不存在六甲基二
硅氮烷底漆层则在所述硅硬掩膜层上形成光刻胶层；以及对所述光刻胶层的至少一部分进行euv辐射。11.如权利要求10所述的方法，其中，所述四烷氧基硅烷选自四乙氧基硅烷或原硅酸四甲酯中的一种或两种。12.如权利要求10或11所述的方法，其中，所述粘附促进单体选自(3-环氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷、5,6-环氧己基-三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)-乙基三甲氧基硅烷、[3-(三乙氧基硅基)丙基]-琥珀酸酐、(3-乙酰胺基丙基)-三甲氧基硅烷、(1,3-二-2-丙烯-1-基)-5-(([3-三乙氧基硅基丙基]-(1,3,5-三嗪-2,4,6(1h,3h,5h)-三酮)及其混合物。13.如权利要求10～12中任一项所述的方法，其中，所述聚硅氧烷同时包含所述四烷氧基硅烷和所述表面改性单体。14.如权利要求10～13中任一项所述的方法，其中，所述表面改性单体选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯乙基三甲氧基硅烷、2-(甲氧羰基)乙基三甲氧基硅烷、乙酰氧基乙基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷及其混合物。15.如权利要求10～12或14中任一项所述的方法，其中，所述聚硅氧烷包含：约2mol％～约50mol％的粘附促进单体；约5mol％～约90mol％的表面改性单体；和约0mol％～约80mol％的致密化单体。16.如权利要求10～12或14中任一项所述的方法，其中，所述聚硅氧烷包含：约2mol％～约50mol％的粘附促进单体；约0mol％～约70mol％的表面改性单体；和约2mol％～约90mol％的致密化单体。17.如权利要求10～12或14中任一项所述的方法，其中，所述聚硅氧烷包含：约0.01mol％～约30mol％的粘附促进单体；约0mol％～约70mol％的表面改性单体；和约30mol％～约95mol％的致密化单体。18.如权利要求10～17中任一项所述的方法，其中，所述基板选自硅、sige、sio2、si3n4、sion、sico:h、铝、钨、硅化钨、砷化镓、锗、钽、氮化钽、ti3n4、铪、hfo2、钌、磷化铟、玻璃及其混合物。19.如权利要求10～18中任一项所述的方法，还包括在对所述光刻胶层进行euv辐射后在所述光刻胶层中形成图案。20.如权利要求10～19中任一项所述的方法，其中，存在中间层，并且所述中间层是富碳层。
技术总结
提供了用作EUV硅硬掩膜层的新型光刻组合物。本发明提供了制造微电子结构的方法以及使用EUV光刻工艺而由此形成的结构。该方法包括利用光刻胶层正下方的硅硬掩膜层。硅硬掩膜层可以直接施涂于基板，也可以施涂于任何可施涂于基板的中间层。优选的硅硬掩膜层由可旋涂的聚合组合物形成。本发明的方法提高了粘附并减少或消除了图案塌陷问题。少或消除了图案塌陷问题。少或消除了图案塌陷问题。
技术研发人员：梁懿宸 A
受保护的技术使用者：布鲁尔科技公司
技术研发日：2020.08.21
技术公布日：2022/5/31