技术特征：
1.一种透明导电膜，所述透明导电膜包括透明聚合物衬底、由所述衬底支撑的稀疏金属导电层和与所述稀疏金属导电层相邻的聚合物外涂层，其中所述透明导电膜具有至少约88％的可见光透射率和不超过约120欧姆/sq的薄层电阻，并且其中所述聚合物外涂层包含聚合物和约0.01重量％至约20重量％的贵金属离子。2.权利要求1所述的透明导电膜，其中所述外涂层具有约5nm至约250nm的平均厚度。3.权利要求1或权利要求2所述的透明导电膜，其中所述外涂层的聚合物包括聚硅氧烷、聚倍半硅氧烷、聚氨酯、丙烯酸树脂、丙烯酸共聚物、纤维素醚和/或酯、硝化纤维素、其他非水溶性结构多糖、聚醚、聚酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、含氟聚合物、苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚物、聚硫化物、含环氧基的聚合物、它们的共聚物以及它们的混合物。4.权利要求1-3中任一项所述的透明导电膜，其中所述聚合物外涂层包含约0.1重量％至约9重量％的钒(+5)稳定化组合物。5.权利要求1-4中任一项所述的透明导电膜，其中所述聚合物外涂层具有约10nm至约125nm的平均厚度，其中所述外涂层的聚合物包括聚丙烯酸酯，并且其中所述聚合物外涂层包含约0.5重量％至约5重量％的钒(+5)稳定化组合物，所述钒(+5)稳定化组合物包括偏钒酸铵(nh4vo3)、四丁基钒酸铵(nbu4vo3)、偏钒酸钾(kvo3)、偏钒酸钠(navo3)、原钒酸钠(na3vo4)、三丙醇氧化钒、三乙醇氧化钒、三异丙醇氧化钒、三丁醇氧化钒或它们的混合物。6.权利要求1-5中任一项所述的透明导电膜，其中所述稀疏金属导电结构包括包含银的熔合金属纳米结构化网络，并且其中所述贵金属离子包括银离子。7.权利要求1-6中任一项所述的透明导电膜，其中所述透明导电膜具有至少约90％的透射率和不超过约90欧姆/sq的薄层电阻。8.权利要求1-7中任一项所述的透明导电膜，其中所述聚合物外涂层包含约0.25重量％至约12重量％的银离子，所述银离子作为四氟硼酸银(agbf4)、六氟磷酸银(agpf6)、高氯酸银(agclo4)、六氟锑酸银(agsbf6)、三氟乙酸银(cf3coo)、七氟丁酸银(agc4hf6o2和甲磺酸银(agch3so3)、甲苯磺酸银(agch3c6h4so3)或它们的混合物提供。9.权利要求1-8中任一项所述的透明导电膜，其中所述稀疏金属导电层是图案化的。10.一种用于降低透明导电膜的薄层电阻的方法，所述透明导电膜包括衬底、透明导电层和聚合物涂层，所述透明导电层包括熔合金属纳米线网络和聚合物多元醇粘结剂，其中所述聚合物外涂层具有约5nm至约250nm的平均厚度，所述方法包括：将所述透明导电片加热到至少约55℃的温度，持续至少约10分钟，以将所述薄层电阻降低至少约5％。11.权利要求10所述的方法，其中在所述加热步骤期间，所述透明导电片在辊上，其中所述聚合物涂层是外涂层，并且其中所述外涂层被离型层覆盖。12.权利要求10或权利要求11所述的方法，其中所述加热步骤在调节到至少约60％的相对湿度下进行。13.权利要求10或权利要求11所述的方法，其中所述加热在约60℃至约100℃的温度、在至少约60％的相对湿度下进行约20分钟至约50小时的时间，并且其中所述透明导电膜不含光学透明的粘合剂。14.权利要求10-13中任一项所述的方法，其中所述熔合金属纳米结构化网络包含银，
并且所述膜具有不超过120欧姆/sq的薄层电阻和至少约88％的可见光透射率。15.权利要求10-14中任一项所述的方法，所述方法还包括：在涂布所述聚合物外涂层之前，将具有溶剂、金属纳米线和金属离子的涂层的所述衬底加热到约45℃至约130℃的温度，持续至少约2分钟，以干燥所述涂层并且形成所述熔合金属纳米结构化网络。16.权利要求15所述的方法，其中所述涂层包含钒(+5)稳定化组合物和银离子。17.权利要求10-16中任一项所述的方法，其中所述聚合物外涂层具有约20nm至约125nm的平均厚度，其中所述聚合物外涂层的聚合物包括聚丙烯酸酯，并且其中所述聚合物外涂层包含约0.5重量％至约5重量％的钒(+5)稳定化组合物。18.权利要求17所述的方法，其中所述聚合物外涂层包含约0.1重量％至约20重量％的贵金属离子。19.权利要求10-18中任一项所述的方法，其中所述熔合金属纳米结构化网络包含银，并且其中所述聚合物外涂层包含聚合物和约0.25重量％至约15重量％的银离子。20.一种透明导电膜，所述透明导电膜包括衬底、包含熔合金属纳米结构化网络的透明导电层和聚合物外涂层，其中所述透明导电膜具有至少约88％的透射率和不超过约120欧姆/sq的薄层电阻，其中所述透明导电膜已经通过在加热和任选的湿度下处理至少约10分钟来改性，从而将所述薄层电阻降低至少约5％。21.权利要求20所述的透明导电膜，其中所述聚合物外涂层和/或底涂层包含金属离子。22.权利要求21所述的透明导电膜，其中所述金属离子包括浓度为大约从约0.01重量％至约20重量％的银离子。23.权利要求21或权利要求22所述的透明导电膜，其中所述金属离子包括浓度为约0.5重量％至约5重量％的钒(+5)。24.权利要求20所述的透明导电膜，其中所述熔合金属纳米结构化网络包含银，并且其中所述处理包括在约60℃至约100℃的温度、在至少约60％的相对湿度下加热，同时所述透明导电膜不含光学透明的粘合剂。25.权利要求24所述的透明导电膜，其中所述外涂层具有约5nm至约250nm的平均厚度，并且包含交联的聚丙烯酸酯和浓度为约0.5重量％至约5重量％的钒(+5)离子。
技术总结
将包括稀疏金属导电层的透明导电膜在用外涂层涂覆后进行处理以降低该膜的薄层电阻。稀疏金属导电层可以包括熔合金属纳米结构化网络。涂层(比如聚合物外涂层或聚合物底涂层)可以包含在施加加热和任选的湿度的情况下能够进一步降低薄层电阻的贵金属离子。特别地，证明了涂层中的银离子在施加加热和湿度时无论是否熔合都提供重要的稀疏金属导电层稳定化。涂层还可以包含金属盐稳定化组合物。涂层还可以包含金属盐稳定化组合物。涂层还可以包含金属盐稳定化组合物。
技术研发人员：杨希强 阿贾伊
受保护的技术使用者：C3奈米有限公司
技术研发日：2020.11.17
技术公布日：2022/8/19