1.一种半导体激光器巴条，其特征在于，所述半导体激光器巴条包括：
衬底；
第一绝缘层，设置于所述衬底上；
多个半导体激光器单元，设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的表面上，每个所述半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；
连接层，设置于相邻的两个所述半导体激光器单元之间，用于连接所述半导体激光器单元的第一电极和另一所述半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接所述半导体激光器单元的第二电极和另一所述半导体激光器单元的第一电极。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器巴条，其特征在于，每个所述半导体激光器单元包括：
导电层，设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的表面上；
有源区，设置于所述导电层远离所述第一绝缘层的表面上；
第二绝缘层，设置于所述导电层与所述有源区上，所述连接层设置于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面上。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器巴条，其特征在于，
相邻设置的两个所述半导体激光器单元之间设置有沟槽，以使多个所述半导体激光器单元间隔设置。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器巴条，其特征在于，
所述有源区在所述衬底上的投影面积小于所述导电层在所述衬底上的投影面积，以在所述导电层上形成台阶。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器巴条，其特征在于，所述第二绝缘层设置有第一窗口和第二窗口；
所述第一窗口位于所述有源区远离所述第一绝缘层的表面上，所述第一电极通过所述第一窗口连接所述有源区；
所述第二窗口位于所述导电层远离所述第一绝缘层的表面上，所述第二电极通过所述第二窗口连接所述导电层。
6.根据权利要求2所述的半导体激光器巴条，其特征在于，
所述连接层设置于所述第二绝缘层上，且位于所述第一电极和所述第二电极之间，用于将多个所述半导体激光器单元依次连接在一起。
7.根据权利要求2所述的半导体激光器巴条，其特征在于，
所述有源区包括依次层叠设置的n型包层、n型波导层、第一量子阱层、势垒层、第二量子阱层、p型波导层以及p型包层。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器巴条，其特征在于，
所述连接层的材质为导电金属。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-8任意一项所述的半导体激光器巴条。
10.一种半导体激光器巴条的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上设置第一绝缘层；
在所述第一绝缘层远离所述衬底的表面上设置多个半导体激光器单元，其中每个所述半导体激光器单元设有第一电极和第二电极；
通过连接层连接所述半导体激光器单元的第一电极和相邻设置的所述半导体激光器单元的第二电极，或者用于连接所述半导体激光器单元的第二电极和相邻设置的所述半导体激光器单元的第一电极。