1.一种半导体成型方法，其特征在于，包括：
先对基材正面进行处理，再对基材背面进行蚀刻形成散热片和引脚；
对蚀刻后的基材背面刷油墨，并对油墨进行烘烤，使得油墨由液态转为固态；
去除散热片和引脚的表面的油墨，其中，蚀刻后的基材背面的其他区域存留有油墨；
对蚀刻后的基材背面的其他区域存留的油墨进行固化；之后对散热片和引脚的表面进行电镀。
2.根据权利要求1所述的一种半导体成型方法，其特征在于，对基材正面进行处理的具体过程为：先对基材正面进行蚀刻得到基岛上部和管脚上部，再对蚀刻后的基材正面进行电镀，之后在基岛上部进行芯片安装并进行打线，而后对蚀刻后的基材正面进行塑封。
3.根据权利要求1所述的一种半导体成型方法，其特征在于，对蚀刻后的基材背面刷油墨的具体过程为：在蚀刻后的基材背面刷油墨刷一层阻焊油墨，该层阻焊油墨的厚度为20～180um。
4.根据权利要求1所述的一种半导体成型方法，其特征在于，对蚀刻后的基材背面的油墨进行烘烤的温度为70～80℃，烘烤的时间为40～60min。
5.根据权利要求1所述的一种半导体成型方法，其特征在于，对散热片和引脚的表面的油墨进行显影处理，使得散热片和引脚完全露出。
6.根据权利要求1所述的一种半导体成型方法，其特征在于，对蚀刻后的基材背面的其他区域存留的油墨进行固化的的具体过程为：先对蚀刻后的基材背面的其他区域存留的油墨进行uv光照，再对油墨进行烘烤，使得油墨完全交联固化。
7.根据权利要求2所述的一种半导体成型方法，其特征在于，还包括：基岛上部和散热片组成基岛，管脚上部和引脚组成管脚，将电镀后的基岛和管脚作为整体进行切割得到单个半导体封装件。
8.根据权利要求5所述的一种半导体成型方法，其特征在于，显影温度为23～27℃，显影压力为1.5～2.5kgf/cm2。
9.根据权利要求1～8任一项所述的一种半导体成型方法，其特征在于，对散热片和引脚的表面镀锡得到镀锡层。
10.根据权利要求9所述的一种半导体成型方法，其特征在于，镀锡层厚度为5～12um。