技术特征：
1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；气体喷嘴，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置，在内部形成气体流路；以及气体喷出部，其设于所述处理容器之上，与所述气体流路连通，对自所述气体喷嘴导入的气体进行分配并将其自所述处理容器的外周部喷出。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述气体喷出部包含：流入部，其形成与所述气体流路连通的流入路径；流出部，其形成向所述处理容器内喷出所述气体的多个流出路径；以及分配部，其形成使所述流入路径与所述多个流出路径连通的分配路径。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述流入部包含：嵌合部，其供所述气体喷嘴的上部插入；以及水平部，其一端与所述嵌合部连接，另一端与所述分配部连接。4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，所述流出部包含：水平部，其一端与所述分配部连接，另一端沿着所述处理容器的径向延伸到所述处理容器的外周部；以及喷出部，其自所述水平部的所述另一端向下方延伸，并开设有气体孔。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述喷出部在所述处理容器的包含上部在内的局部的高度区域延伸设置。6.根据权利要求2～5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述气体喷出部包含设于所述处理容器之上并具有圆板形状的盖，所述流入部、所述流出部以及所述分配部安装于所述盖。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述分配部配置于所述盖的中心。8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置，其中，在所述盖设有位置限定部，该位置限定部限定所述盖的相对于所述处理容器的位置。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述位置限定部自所述盖的下表面向下方延伸设置，并且沿着所述盖的周向呈圆弧状地延伸设置。10.根据权利要求2～8中任一项所述的基板处理装置，其中，所述分配部具有圆环形状。11.根据权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还包括处理气体喷嘴，该处理气体喷嘴沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置，向所述处理容器内喷出处理气体，自所述气体喷出部喷出的所述气体为稀释所述处理气体的稀释气体。
12.一种基板处理方法，其中，该基板处理方法具有以下工序：自沿着具有大致圆筒形状的处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置的处理气体喷嘴向所述处理容器内喷出处理气体；以及在所述处理容器之上，对稀释气体进行分配，并将其自所述处理容器的上部的外周部喷出。
技术总结
本发明提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够使处理的面内均匀性提高的技术。本公开的一技术方案所涉及的基板处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状；气体喷嘴，其沿着所述处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸设置，在内部形成气体流路；以及气体喷出部，其设于所述处理容器之上，与所述气体流路连通，对自所述气体喷嘴导入的气体进行分配并将其自所述处理容器的外周部喷出。将其自所述处理容器的外周部喷出。将其自所述处理容器的外周部喷出。
技术研发人员：木镰英司 竹内千明
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2021/12/2