1.一种n面出光algainpled薄膜芯片，其特征在于：所述芯片自下而上依次包括：基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、p型欧姆接触层、发光层、n型电流扩展层、n型粗化层、n电极，所述n电极与n型粗化层直接形成欧姆接触；
n型电流扩展层的材料(alx1ga1-x1)0.5in0.5p中al组分介于0.30-0.60之间；
n型粗化层的材料(alx2ga1-x2)0.5in0.5p中al组分介于0.25-0.35之间。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述n型粗化层厚度为50-1500nm，掺杂浓度为0.7-5e18cm-3。
3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述n型电流扩展层厚度为1500-5000nm，掺杂浓度为0.5-1e18cm-3。
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述n电极的电极材料依次包括第一ni层、第一au层、ge层、第二ni层、第二au层，其第一ni层为与n型粗化层最先接触。
5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于：所述n电极的电极材料厚度分别为：第一ni层3-10nm，第一au层50-150nm，ge层20-50nm，第二ni层3-10nm，第二au层500-2000nm。
6.一种制备权利要求1-5任一项所述的n面出光algainpled薄膜芯片的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
s1、在衬底上依次外延生长截止层、n型gaas接触层、n型粗化层、n型电流扩展层、n型限制层、发光层、p型限制层、p型欧姆接触层、介质层；
s2、制备金属反射电极、键合金属层；
s3、键合金属层一侧与基板键合，键合金属层另一侧设置金属反射电极；去除衬底，去除截止层，去除n型gaas接触层，裸露出n型粗化层；
s4、粗化腐蚀n型粗化层；
s5、制备n电极，快速热退火；
s6、腐蚀芯片切割沟槽；
s7、切割芯片，完成芯片制备；
所述步骤s4和步骤s5中的n型粗化层与n电极在快速热退火后形成欧姆接触；
所述步骤s4、s5、s6顺序可任意排列。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤s5中所述的n电极的制备，包括以下步骤：
s51、去除衬底后，完全去除晶圆表面截止层与n型gaas接触层；
s52、利用电子束蒸发的方式，在n型粗化层上蒸镀n电极；
s53、在步骤s2的基础上进行快速热退火，退火气氛为氮气气氛，退火温度为385℃-485℃，退火时间为25s-10min。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤s52中蒸镀n电极之前利用低浓度氢氟酸或其他弱酸清洗粗化层表面。