技术特征：
1.一种横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括自底向上依次设置的衬底、漂移区和电极结构，所述漂移区上设置有第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一掺杂区内设置有第三掺杂区，所述第二掺杂区内设置有第四掺杂区；其中，所述漂移区、所述第三掺杂区以及所述第四掺杂区的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型均为第二掺杂类型；所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不相同；所述电极结构包括：与所述第一掺杂区远离所述第二掺杂区的一侧以及所述第三掺杂区导通的发射极电极、位于所述第一掺杂区靠近所述第二掺杂区的一侧的上方的第一栅结构、位于所述第二掺杂区靠近所述第一掺杂区的一侧的上方的第二栅结构和与所述第二掺杂区远离所述第一掺杂区的一侧以及所述第四掺杂区导通的集电极电极。2.如权利要求1所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一掺杂区远离所述第二掺杂区一侧的掺杂浓度高于靠近所述第二掺杂区一侧的掺杂浓度；所述第二掺杂区远离所述第一掺杂区一侧的掺杂浓度高于靠近所述第一掺杂区一侧的掺杂浓度。3.如权利要求1所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一掺杂类型为n型掺杂，所述第二掺杂类型为p型掺杂。4.如权利要求1所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，在所述衬底与所述漂移区之间设置有埋氧层。5.如权利要求1所述的横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，当所述横向绝缘栅双极型晶体管导通时，所述第二栅结构处的电压等于所述集电极电极的电压；当所述横向绝缘栅双极型晶体管关断时，所述第二栅结构处的电压比所述集电极电极的电压高。6.一种横向绝缘栅双极型晶体管制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备埋氧层并在所述埋氧层上制备漂移区；在所述漂移区两侧形成第一掺杂区和第二掺杂区，并在所述第一掺杂区内形成第三掺杂区以及在第二掺杂区内形成第四掺杂区，其中，所述漂移区、所述第三掺杂区以及所述第四掺杂区的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型均为第二掺杂类型；所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不相同；在所述第一掺杂区远离所述第二掺杂区的一侧以及所述第三掺杂区上形成发射极电极；在所述第一掺杂区靠近所述第二掺杂区的一侧的上方形成第一栅结构；在所述第二掺杂区靠近所述第一掺杂区的一侧的上方形成第二栅结构；在所述第二掺杂区远离所述第一掺杂区的一侧以及所述第四掺杂区上形成集电极电极。7.一种智能功率模块，其特征在于，包括如权利要求1～5任一所述的横向绝缘栅双极型晶体管。8.如权利要求7所述智能功率模块，其特征在于，还包括逻辑控制电路，所述逻辑控制电路包括：与所述第一栅结构连接的第一栅结构电压检测模块，用于判断所述ligbt的开启和关
断；与电压源连接自举电路模块，用于获得比所述集电极电极电压高的电压；与所述第一栅结构电压检测模块以及所述自举电路模块连接的逻辑判定模块，用于根据所述第一栅结构电压检测模块的检测结果，判定所述自举电路模块获得的电压是否提供给所述第二栅结构。9.一种驱动电路，其特征在于，包括如权利要求1～5任一所述的横向绝缘栅双极型晶体管。10.一种电器，其特征在于，包括如权利要求1～5任一所述的横向绝缘栅双极型晶体管。
技术总结
本发明公开了一种横向绝缘栅双极型晶体管、制备方法、智能功率模块、驱动电阻电器，本发明通过对横向绝缘栅双极型晶体管的阳极结构进行设计，通过第二掺杂区、第四掺杂区以及第二栅结构的设置，构成一个MOSFET；当横向绝缘栅双极型晶体管导通时，该MOSFET处于关闭状态，即第二栅结构关断了漂移区和第四掺杂区之间的载流子通道，因此可以避免横向绝缘栅双极型晶体管中的snapback现象，提高器件的可靠性；当横向绝缘栅双极型晶体管关断时，第二栅结构开通漂移区和第四掺杂区之间的载流子通道，形成载流子抽取通道，可以加速横向绝缘栅双极型晶体管的关断，从而降低横向绝缘栅双极型晶体管的关态损耗。型晶体管的关态损耗。型晶体管的关态损耗。
技术研发人员：兰昊 刘海清
受保护的技术使用者：美的集团股份有限公司
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/11/23