技术特征：
1.一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，包括基体(1)、电阻膜层(5)、金属引线，以及设置在基体(1)上的电极膜，其特征在于：所述电极膜包括a面电极膜层(4)、b面电极膜层(2)和侧面电极膜层(3)，所述a面电极膜层(4)设置在基体(1)的上表面，所述基体(1)的下表面设置有b面电极膜层(2)，所述基体(1)侧面设置有侧面电极膜层(3)，所述侧面电极膜层(3)连接a面电极膜层(4)和b面电极膜层(2)，所述电阻膜层(5)包括输入端矩形电阻膜(51)、输出端矩形电阻膜(52)、条形电阻膜(53)，所述电阻膜层(5)设置于基体(1)上表面并与a面电极膜层(4)搭接端搭接，所述电阻膜层(5)的表面覆盖有保护膜层(6)，所述基体(1)上表面设置有封装盖板(8)。2.根据权利要求1所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述b面电极膜层(2)采用丝网漏印工艺覆盖印于基体(1)的整个下表面，所述a面电极膜层(4)包括设置在基体(1)上表面边沿位置的第一条形电极膜(41)、第二条形电极膜(42)、第三条形电极膜(43)、第四条形电极膜(44)，以及位于基体(1)中心位置的h形电极膜(45)。3.根据权利要求1所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述电阻膜层(5)采用丝网漏印工艺印于基体(1)的上表面，所述电阻膜层(5)与a面电极膜层(4)形成有效电气连接。4.根据权利要求1所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述金属引线包括第一金属引线(71)、第二金属引线(72)，所述金属引线采用热压焊工艺焊接于a面电极膜层(4)之上，所述封装盖板(8)采用耐高温粘接剂粘接在基体(1)上表面，所述基体(1)采用氧化铍陶瓷。5.根据权利要求2所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述第一条形电极膜(41)、第二条形电极膜(42)、第三条形电极膜(43)、第四条形电极膜(44)设置在基体(1)上表面的四周的边缘位置，所述侧面电极膜层(3)与第二条形电极膜(42)、第四条形电极膜(44)形成有效地电气连接。6.根据权利要求3所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述输入端矩形电阻膜(51)、输出端矩形电阻膜(52)为两个形状相同大小不一样的竖置矩形膜，所述条形电阻膜(53)为竖置条形膜，所述输入端矩形电阻膜(51)、输出端矩形电阻膜(52)位于h形电极膜(45)两侧，与h形电极膜(45)以及第一条形电极膜(41)、第三条形电极膜(43)形成有效地电气连接，所述条形电阻膜(53)设置于基体(1)中心位置，穿过h形电极膜(45)，且与h形电极膜(45)和第二条形电极膜(42)、第四条形电极膜(44)形成有效地电气连接。
技术总结
本实用新型公开了一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，包括基体、电阻膜层、金属引线，以及设置在基体上的电极膜，所述电极膜包括A面电极膜层、B面电极膜层和侧面电极膜层，所述A面电极膜层设置在基体的上表面，所述基体的下表面设置有B面电极膜层，所述基体侧面设置有侧面电极膜层，所述电阻膜层包括输入端矩形电阻膜、输出端矩形电阻膜、条形电阻膜，设置于基体上表面并与A面电极膜层搭接端搭接。本实用新型涉及电阻元件技术领域，解决了传统衰减器不能承受较浪涌功率的缺点，并且提升了单位面积内的功率容量，在保证衰减器频率特性的同时既提高了衰减器额定功率又使得衰减器承受浪涌功率的能力更强，大大增强了衰减器的可靠性。器的可靠性。器的可靠性。
技术研发人员：刘洋
受保护的技术使用者：成都昊天宏达电子有限公司
技术研发日：2021.07.21
技术公布日：2021/12/11