一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器的制作方法

1.本实用新型涉及电阻元件技术领域，具体涉及一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器。


背景技术：

2.衰减器是一种广泛应用的双通道功率吸收元件，内部结构是由三个电阻组合而成的电路，能在器件和整机中配合后端电路达到预期的功率吸收目标。
3.随着高能物理技术的发展，对于功率器件的功率要求是越来越高，随之对其中承担功率吸收作用的吸收负载的功率承受要求也是越来越高。受限于器件内部的线路布局和空间结构，很多零散的剩余空间无法利用，留给功率吸收负载的有效空间并不充足，单一基体的吸收负载并不能满足功率吸收要求。衰减器刚好能够有效地利用器件内部的剩余空间，配合吸收负载达到功率吸收的目的。但是传统衰减器受限于衰减结构排布，对基体的有效面积利用不够，功率吸收能力始终不强，并且不能承受浪涌型输入信号的冲击。所以急需一种功率容量大并且能抗浪涌冲击的衰减器来满足高能物理领域中的功率器件的使用。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，能够解决传统衰减器功率容量不够的问题和输入信号存在浪涌时容易烧毁的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，包括基体、电阻膜层、金属引线，以及设置在基体上的电极膜，所述电极膜包括a面电极膜层、b面电极膜层和侧面电极膜层，所述a面电极膜层设置在基体的上表面，所述基体的下表面设置有b面电极膜层，所述基体侧面设置有侧面电极膜层，所述侧面电极膜层连接a面电极膜层和b面电极膜层，所述电阻膜层包括输入端矩形电阻膜、输出端矩形电阻膜、条形电阻膜，所述电阻膜层设置于基体上表面并与a面电极膜层搭接端搭接，所述电阻膜层的表面覆盖有保护膜层，所述基体上表面设置有封装盖板。
6.优选的，所述b面电极膜层采用丝网漏印工艺覆盖印于基体的整个下表面，所述a面电极膜层包括设置在基体上表面边沿位置的第一条形电极膜、第二条形电极膜、第三条形电极膜、第四条形电极膜，以及位于基体中心位置的h形电极膜。
7.优选的，所述电阻膜层采用丝网漏印工艺印于基体的上表面，所述电阻膜层与a面电极膜层形成有效电气连接。
8.优选的，所述金属引线包括第一金属引线、第二金属引线，所述金属引线采用热压焊工艺焊接于a面电极膜层之上，所述封装盖板采用耐高温粘接剂粘接在基体上表面，所述基体采用氧化铍陶瓷。
9.优选的，所述第一条形电极膜、第二条形电极膜、第三条形电极膜、第四条形电极膜设置在基体上表面的四周的边缘位置，所述侧面电极膜层与第二条形电极膜、第四条形电极膜形成有效地电气连接。
10.优选的，所述输入端矩形电阻膜、输出端矩形电阻膜为两个形状相同大小不一样的竖置矩形膜，所述条形电阻膜为竖置条形膜，所述输入端矩形电阻膜、输出端矩形电阻膜位于h形电极膜两侧，与h形电极膜以及第一条形电极膜、第三条形电极膜形成有效地电气连接，所述条形电阻膜设置于基体中心位置，穿过h形电极膜，且与h形电极膜和第二条形电极膜、第四条形电极膜形成有效地电气连接。
11.与现有技术相比，本实用新型提供了一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，具备以下有益效果：
12.本实用新型采用分散电路布局结构，将衰减结构中所需要的3个电阻通过两种矩形电阻膜以及一种条形电阻膜的形式分布在基体上表面，将热源从集中的一部分转移为分散的三部分，有效地减小了热量堆积，使得衰减器基体各部分温度更均衡，整体散热效果明显提升，耐功率能力明显增大。
13.衰减器是由内部的三个电阻组成电阻网络来达成衰减通过功率的目的，三个电阻中两个电阻阻值完全相同，我们称之为2r，剩余的一个电阻我们称之为1r。在低分贝的“t”型衰减结构中，2r的阻值与1r的阻值差异可达10倍以上。如果2r和1r电阻膜的方阻差异远低于其阻值差异的话，将会造成衰减器的衰减精度偏差非常大，对通过功率的衰减波动非常大，严重影响后端电路的正常使用，从而使得器件和整机不能达到既定使用要求。
14.本实用新型通过h形电极膜将形成1r的电阻膜控制为竖置条形膜，形成2r的电阻膜控制为竖置矩形膜，缩小了其阻值差异与方阻差异的差值，使得衰减器的衰减精度偏差达到使用要求。同时，充分利用基体的有效空间，增大了电阻膜的有效面积，耐压耐流能力提升，功率容量的得到增大，衰减器耐功率能力得到提升。
15.由于衰减器结构原因，在功率通过时，衰减器内部三个电阻吸收的功率并不相同，靠近输入端电阻吸收的功率高于靠近输出端电阻吸收的功率，并且这种现象随着衰减分贝的增大而加剧。
16.本实用新型采用不对称电阻膜层设计，既保证了两个电阻方阻相同，在生产制造时能一次性印刷完成，又增大了靠近输入端电阻的有效面积，使得抗浪涌能力得到有效增强。
附图说明
17.附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制，在附图中：
18.图1为本实用新型的整体结构示意图；
19.图2为本实用新型拆分的内部结构示意图；
20.图3为本实用新型进一步拆分的结构示意图；
21.图4为本实用新型a面电极膜层的结构示意图；
22.图5为本实用新型电阻膜层的结构示意图。
23.图中：1、基体；2、b面电极膜层；3、侧面电极膜层；4、a面电极膜层；41、第一条形电极膜；42、第二条形电极膜；43、第三条形电极膜；44、第四条形电极膜；45、h形电极膜；5、电阻膜层；51、输入端矩形电阻膜；52、输出端矩形电阻膜；53、条形电阻膜；6、保护膜层；71、第一金属引线；72、第二金属引线；8、封装盖板。
具体实施方式
24.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
25.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
26.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体式连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
27.请参阅图1
‑
5，本实用新型提供一种技术方案：
28.一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，包括基体1、电阻膜层5、金属引线，以及设置在基体1上的电极膜，电极膜包括a面电极膜层4、b面电极膜层2和侧面电极膜层3，a面电极膜层4设置在基体1的上表面，基体1的下表面设置有b面电极膜层2，基体1侧面设置有侧面电极膜层3，侧面电极膜层3连接a面电极膜层4和b面电极膜层2，电阻膜层5包括输入端矩形电阻膜51、输出端矩形电阻膜52、条形电阻膜53，电阻膜层5设置于基体1上表面并与a面电极膜层4搭接端搭接，电阻膜层5的表面覆盖有保护膜层6，基体1上表面设置有封装盖板8。
29.具体的，b面电极膜层2采用丝网漏印工艺覆盖印于基体1的整个下表面，a面电极膜层4包括设置在基体1上表面边沿位置的第一条形电极膜41、第二条形电极膜42、第三条形电极膜43、第四条形电极膜44，以及位于基体1中心位置的h形电极膜45。
30.具体的，电阻膜层5采用丝网漏印工艺印于基体1的上表面，电阻膜层5与a面电极膜层4形成有效电气连接。
31.具体的，金属引线包括第一金属引线71、第二金属引线72，金属引线采用热压焊工艺焊接于a面电极膜层4之上，封装盖板8采用耐高温粘接剂粘接在基体1上表面，基体1采用氧化铍陶瓷。
32.具体的，第一条形电极膜41、第二条形电极膜42、第三条形电极膜43、第四条形电极膜44设置在基体1上表面的四周的边缘位置，侧面电极膜层3与第二条形电极膜42、第四条形电极膜44形成有效地电气连接。
33.具体的，输入端矩形电阻膜51、输出端矩形电阻膜52为两个形状相同大小不一样的竖置矩形膜，条形电阻膜53为竖置条形膜，输入端矩形电阻膜51、输出端矩形电阻膜52位于h形电极膜45两侧，与h形电极膜45以及第一条形电极膜41、第三条形电极膜43形成有效地电气连接，条形电阻膜53设置于基体1中心位置，穿过h形电极膜45，且与h形电极膜45和第二条形电极膜42、第四条形电极膜44形成有效地电气连接。
34.如图所示，本实用新型专利包括基体1、b面电极膜层2、侧面电极膜层3、a面电极膜层4、电阻膜层5、保护膜层6、金属引线、封装盖板8。基体1采用氧化铍陶瓷，b面电极膜层2采用丝网漏印工艺覆盖印于基体1的整个下表面，a面电极膜层4(包括第一条形电极膜41、第二条形电极膜42、第三条形电极膜43、第四条形电极膜44、h形电极膜45)设置在基体1的上表面，侧面电极膜层3在基体1的侧面起连接a面电极膜层4和b面电极膜层2的作用，电阻膜层5(包括输入端矩形电阻膜51、输出端矩形电阻膜52、条形电阻膜53)采用丝网漏印工艺印于基体1的上表面与a面电极膜层4搭接端搭接形成有效电气连接，保护膜层6覆盖整个电阻膜层5以保护电阻膜层5避免在使用过程中热击穿和物理伤害，金属引线(包括第一金属引线71、第二金属引线72)采用热压焊工艺焊接于a面电极膜层4之上，封装盖板8采用耐高温粘接剂粘接在基体1上表面。
35.采用分散电路布局结构，将衰减结构中所需要的3个电阻通过两种矩形电阻膜以及一种条形电阻膜的形式分布在基体1上表面，将热源从集中的一部分转移为分散的三部分，有效地减小了热量堆积，使得衰减器基体各部分温度更均衡，整体散热效果明显提升，耐功率能力明显增大。
36.衰减器是由内部的三个电阻组成电阻网络来达成衰减通过功率的目的，三个电阻中两个电阻阻值完全相同，我们称之为2r，剩余的一个电阻我们称之为1r。在低分贝的“t”型衰减结构中，2r的阻值与1r的阻值差异可达10倍以上。如果2r和1r电阻膜的方阻差异远低于其阻值差异的话，将会造成衰减器的衰减精度偏差非常大，对通过功率的衰减波动非常大，严重影响后端电路的正常使用，从而使得器件和整机不能达到既定使用要求。
37.通过h形电极膜45将形成1r的电阻膜控制为竖置条形膜，形成2r的电阻膜控制为竖置矩形膜，缩小了其阻值差异与方阻差异的差值，使得衰减器的衰减精度偏差达到使用要求。同时，充分利用基体1的有效空间，增大了电阻膜的有效面积，耐压耐流能力提升，功率容量的得到增大，衰减器耐功率能力得到提升。
38.由于衰减器结构原因，在功率通过时，衰减器内部三个电阻吸收的功率并不相同，靠近输入端电阻吸收的功率高于靠近输出端电阻吸收的功率，并且这种现象随着衰减分贝的增大而加剧。
39.采用不对称电阻膜层设计，既保证了两个电阻方阻相同，在生产制造时能一次性印刷完成，又增大了靠近输入端电阻的有效面积，使得抗浪涌能力得到有效增强。
40.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。