低通滤波结构及滤波器的制作方法

1.本技术涉及通信技术领域，尤其涉及一种低通滤波结构及具有该低通滤波结构的滤波器。


背景技术：

2.滤波器为频率选择装置。滤波器中存在需装配低通滤波结构的情况，以实现过滤信号的高频谐波和高频噪声，起高频抑制作用。
3.在实现本技术技术方案的创造过程中，发明人发现，为了使滤波器获得较好的高频抑制能力，需要设置较高阶数或较多节数的低通滤波结构，导致低通滤波结构的长度较长，占用空间较大。因此，相关技术中的低通滤波结构难以在不提高阶数的情况下实现较好的高频抑制能力。


技术实现要素：

4.本技术的一个目的在于提供一种低通滤波结构，以解决相关技术中的低通滤波结构难以在不提高阶数的情况下实现较好的高频抑制能力的技术问题。
5.为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种低通滤波结构，所述低通滤波结构包括：高阻抗段；低阻抗段，所述低阻抗段连接于所述高阻抗段；电容加载部，所述电容加载部位于所述低阻抗段的外围，且所述电容加载部与所述低阻抗段之间形成有间隙；以及导体连接部，所述导体连接部连接于所述低阻抗段与所述电容加载部。
6.在一个实施例中，所述电容加载部为周向封闭的环形结构，所述电容加载部环绕于所述低阻抗段。
7.在一个实施例中，所述电容加载部为具有缺口的环形结构，所述电容加载部环绕于所述低阻抗段。
8.在一个实施例中，所述电容加载部与所述低阻抗段同轴设置。
9.在一个实施例中，所述导体连接部的厚度与所述低阻抗段的厚度相同，所述导体连接部相对设置的两个端面分别与所述低阻抗段相对设置的两个端面处于同一平面；和/或，所述导体连接部的厚度与所述电容加载部的厚度相同，所述导体连接部相对设置的两个端面分别与所述电容加载部相对设置的两个端面处于同一平面。
10.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；各所述低阻抗段上设置的所述电容加载部的内径均相同。
11.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；至少一所述低阻抗段上设置的所述电容加载部的内径大于或小于其他所述低阻抗段上设置的所述电容加载部的内径。
12.在一个实施例中，所述导体连接部位于所述低阻抗段与所述电容加载部之间。
13.在一个实施例中，所述导体连接部的数量为至少一个。
14.在一个实施例中，所述导体连接部与所述低阻抗段为一体式结构；和/或，所述导
体连接部与所述电容加载部为一体式结构。
15.在一个实施例中，所述低阻抗段的横截面积大于所述高阻抗段的横截面积；所述低阻抗段的阻抗小于所述高阻抗段的阻抗。
16.在一个实施例中，所述低阻抗段为金属柱状结构，所述高阻抗段为金属杆状结构，所述低阻抗段的外径大于所述高阻抗段的外径。
17.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；至少一所述低阻抗段的厚度大于或小于其他所述低阻抗段的厚度。
18.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；至少一所述低阻抗段的横截面积大于或小于其他所述低阻抗段的横截面积。
19.在一个实施例中，所述高阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述高阻抗段之间设有一所述低阻抗段；至少一所述高阻抗段的横截面积大于或小于其他所述高阻抗段的横截面积。
20.在一个实施例中，所述低阻抗段与所述高阻抗段同轴设置。
21.在一个实施例中，所述低通滤波结构包括分别位于所述低通滤波结构的相对两端的信号输入段和信号输出段，所述信号输入段连接于所述低通滤波结构一端的所述高阻抗段或所述低阻抗段，所述信号输出段连接于所述低通滤波结构另一端的所述高阻抗段或所述低阻抗段。
22.在一个实施例中，所述高阻抗段的数量为两个，所述低阻抗段的数量为三个，每相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段。
23.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；各所述低阻抗段同轴设置，且沿同轴设置的所述低阻抗段的轴线方向的投影，各所述低阻抗段上设置的所述导体连接部的投影完全相重合。
24.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；至少两所述低阻抗段同轴设置；沿同轴设置的两所述低阻抗段的轴线方向的投影，其中一所述低阻抗段上设置的所述导体连接部的投影的至少部分与另一所述低阻抗段上设置的所述导体连接部的投影不相重合。
25.本技术的另一目的在于提供一种滤波器，所述滤波器包括：腔体，所述腔体具有安置槽；上述任一实施例所述的低通滤波结构；以及绝缘结构，所述低通滤波结构通过所述绝缘结构设置于所述安置槽中。
26.本技术实施例中上述的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
27.本技术实施例提供的低通滤波结构，通过设置高阻抗段和连接于高阻抗段的低阻抗段，可实现基本的低通滤波作用，并通过设置电容加载部、连接于低阻抗段和电容加载部的导体连接部，而且，电容加载部位于低阻抗段的外围并与低阻抗段之间形成有间隙，使得电容加载部与低阻抗段之间可形成电容效应；因此，可使采用本技术实施例提供的低通滤波结构的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生传输零点，有效提高滤波器的高频抑制性能，且无需另外提高低通滤波结构的阶数，从而可在不提高低通滤波结构的阶数的情况下实现较好的高频抑制能力，以利于在满足高频抑制要求的情况下减小滤波器的尺寸和重量。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1为本技术实施例提供的低通滤波结构的结构示意图；
30.图2为图1中a-a方向的剖视结构示意图；
31.图3为本技术实施例提供的滤波器的结构示意图；
32.图4为图3中的滤波器的分解结构示意图；
33.图5为图3中的滤波器的幅频特性曲线图。
34.其中，图中各附图标记：
35.10、低通滤波结构；11、高阻抗段；12、低阻抗段；13、电容加载部；101、间隙；14、导体连接部；15、信号输入段；16、信号输出段；
36.100、滤波器；20、腔体；30、绝缘结构。
具体实施方式
37.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
38.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
39.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
40.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
41.滤波器为频率选择装置，用于容许通带频率范围内的信号通过而抑制通带频率范围之外的无用频率信号。滤波器中存在需装配低通滤波结构的情况，以实现过滤信号的高频谐波和高频噪声，起高频抑制作用。
42.在实现本技术技术方案的创造过程中，发明人发现，相关技术中的低通滤波结构无法使滤波器产生传输零点，需通过调节低通滤波结构的高阻抗段和低阻抗段的节数来调节滤波器的截止频率和高频抑制能力。为了使滤波器获得较好的高频抑制能力，需要设置
较高阶数或较多节数的低通滤波结构，导致低通滤波结构的长度较长，占用空间较大，影响滤波器上其他部件和结构的设计及布置。因此，相关技术中的低通滤波结构难以在不提高阶数的情况下实现较好的高频抑制能力，导致滤波器难以在有限尺寸范围内实现较高的高频抑制要求，难以满足通信技术领域中对滤波器小型化和轻量化的要求。
43.基于此，为解决相关技术中的低通滤波结构难以在不提高阶数的情况下实现较好的高频抑制能力的技术问题，以实现在有限尺寸范围内提高采用低通滤波结构的滤波器的高频抑制性能，发明人提出了以下方案。
44.请参阅图1和图2，本技术实施例提供了一种低通滤波结构10，应用于滤波器上。低通滤波结构10包括高阻抗段11、低阻抗段12、电容加载部13以及导体连接部14，其中：
45.低阻抗段12连接于高阻抗段11。低阻抗段12与高阻抗段11可以是一体成型的一体式结构；当然，在其他一些实施方式中，低阻抗段12与高阻抗段11也可以是分体成型而相连接。可以理解，高阻抗段11和低阻抗段12为低通实现低通滤波作用的基本组成单元。高阻抗段11可以采用现有技术中的任意一种低通的高阻抗段的结构或对现有技术中的低通的高阻抗段的结构进行改进之后的结构，例如可以是杆状结构、片状结构、板状结构、条状结构等，但不限于此。低阻抗段12可以采用现有技术中的任意一种低通的低阻抗段的结构或对现有技术中的低通的低阻抗段的结构进行改进之后的结构，例如可以是盘状结构、块状结构、柱状结构、框形结构等，但不限于此。高阻抗段11的阻抗大于低阻抗段12的阻抗。高阻抗段11的数量可以是一个或多个，低阻抗段12的数量可以是一个或多个。
46.电容加载部13位于低阻抗段12的外围，且电容加载部13与低阻抗段12之间形成有间隙101，以使电容加载部13与低阻抗段12之间可形成电容效应。间隙101的大小和形状可以根据实际需要进行调整，只要能够使电容加载部13与低阻抗段12之间产生电容效应即可，在此不做唯一限定。可以理解，电容加载部13采用导体材料制成。电容加载部13可以是形状规则或不规则的导体结构，只要能够实现与低阻抗段12之间形成间隙101以使电容加载部13与低阻抗段12之间可产生电容效应的形状结构均可，具体可根据需要进行设置。
47.导体连接部14连接于低阻抗段12与电容加载部13，以使低阻抗段12与电容加载部13电性导通，且导体连接部14还起到支撑电容加载部13以使电容加载部13与低阻抗段12之间形成间隙101的作用。导体连接部14即采用导体材料制成，可以是任意一种形状的导体结构，只要能够实现低阻抗段12与电容加载部13之间的电性导通即可，例如可以是杆状结构、块状结构、片状结构等，但不限于此。导体连接部14的数量可以是一个或多个。
48.本技术实施例提供的低通滤波结构10，通过设置高阻抗段11和连接于高阻抗段11的低阻抗段12，可实现基本的低通滤波作用；并通过设置电容加载部13、连接于低阻抗段12和电容加载部13的导体连接部14，而且，电容加载部13位于低阻抗段12的外围并与低阻抗段12之间形成有间隙101，使得电容加载部13与低阻抗段12之间可形成电容效应；因此，当低通滤波结构10应用于滤波器的腔体中时，高阻抗段11可以与滤波器的腔体之间构成高阻抗线路，可等效为电感，低阻抗段12及电容加载部13可以与滤波器的腔体之间构成低阻抗线路，可等效为电容，而电容加载部13与低阻抗段12之间又可产生电容效应，可使得采用本技术实施例提供的低通滤波结构10的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生传输零点，有效提高滤波器的高频抑制性能，且无需另外提高低通滤波结构10的阶数，从而可在不提高低通滤波结构10的阶数的情况下实现较好的高频抑制能力，以利于在满足高频抑制要求
的情况下减小滤波器的尺寸和重量，而且低通滤波结构10结构简单。
49.可以理解，可以是每一低阻抗段12上均设置有电容加载部13和导体连接部14(例如图1所示)，也可以仅低通滤波结构10的其中一个或多个低阻抗段12上设置电容加载部13和导体连接部14。在多个低阻抗段12上均设置电容加载部13和导体连接部14时，则利于采用本技术实施例提供的低通滤波结构10的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生多个传输零点，可以进一步提高滤波器的高频抑制性能。
50.可以理解，当低通滤波结构10具有多个低阻抗段12时，相邻两低阻抗段12之间设有一高阻抗段11。各低阻抗段12的厚度可以相同；当然，在其他一些实施方式中，也可以其中一个或多个低阻抗段12的厚度与其他低阻抗段12的厚度不相同，可通过设置其中一个或多个低阻抗段12的厚度大于或小于其他低阻抗段12的厚度而调整低通滤波结构10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。
51.另外，各低阻抗段12的横截面积(垂直于低阻抗段12的长度方向或轴向的断面面积或截面面积)可以相同；当然，在其他一些实施方式中，也可以其中一个或多个低阻抗段12的横截面积与其他低阻抗段12的横截面积不相同，可通过设置其中一个或多个低阻抗段12的横截面积大于或小于其他低阻抗段12的横截面积而调整低通滤波结构10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。
52.可以理解，低通滤波结构10可以具有一个或多个高阻抗段11。当高阻抗段11的数量为至少两个时，相邻两高阻抗段11之间可以设有一低阻抗段12。各高阻抗段11的横截面积(垂直于高阻抗段11的长度方向或轴向的断面面积或截面面积)可以相同；当然，在其他一些实施方式中，也可以其中一个或多个高阻抗段11的横截面积大于或小于其他高阻抗段11的横截面积，可通过设置至少一高阻抗段11的横截面积大于或小于其他高阻抗段的横截面积而调整低通滤波结构10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。
53.在一个实施例中，请参阅图1和图2，电容加载部13为环形结构，即大致呈环形的结构，可以呈圆环形、方环形、多边形环形等，但不限于此。电容加载部13环绕于低阻抗段12，即电容加载部13的内表面与低阻抗段12的外表面正对设置。
54.如此设置，由于电容加载部13为环形结构并环绕于低阻抗段12，更加利于与低阻抗段12之间产生电容效应，以利于滤波器在高频段产生传输零点。
55.可选地，在一个实施例中，电容加载部13为周向封闭的环形结构。图1和图2中即示例性地示出了电容加载部13为周向封闭的圆环形的情况。
56.如此设置，由于电容加载部13为周向封闭的环形结构，相对于非封闭的环形结构而言，可使电容加载部13与低阻抗段12之间的正对面积更大，更加利于在电容加载部13与低阻抗段12之间产生电容效应。
57.当然，在其他一些实施方式中，电容加载部13也可以是具有缺口的环形结构，即为非封闭的环形结构。其中，缺口的大小可以根据需要进行设置，当缺口较大时，环形结构可以形成半环结构。
58.需要说明的是，电容加载部13不限于为环形结构。可选地，在其他一些实施方式中，电容加载部13也可以是曲线形结构、弯折结构、片状结构、板状结构等，但不限于此，只要能够与低阻抗段12之间形成间隙101以使与电容加载部13与低阻抗段12之间可产生电容效应的形状结构均可。
59.在一个实施例中，请参阅图1和图2，电容加载部13与低阻抗段12同轴设置，即电容加载部13的轴线与低阻抗段12的轴线相重合。
60.如此设置，利于电容加载部13与低阻抗段12之间形成间隙，更加利于在电容加载部13与低阻抗段12之间产生电容效应。而且结构更加规整，利于加工制造，也可使性能更加稳定。
61.当然，在其他一些实施方式中，电容加载部13与低阻抗段12也可以不同轴设置，即两者的轴线不相重合。
62.在一个实施例中，请参阅图1，导体连接部14的厚度与低阻抗段12的厚度相同，导体连接部14相对设置的两个端面分别与低阻抗段12相对设置的两个端面处于同一平面，即导体连接部14与低阻抗段12位于同一侧的端面处于同一平面、导体连接部14与低阻抗段12位于同另一侧的端面处于同一平面。导体连接部14的厚度与电容加载部13的厚度相同，导体连接部14相对设置的两个端面分别与电容加载部13相对设置的两个端面处于同一平面，即导体连接部14与电容加载部13位于同一侧的端面处于同一平面、导体连接部14与电容加载部13位于同另一侧的端面处于同一平面。
63.如此设置，使得低阻抗段12、导体连接部14及电容加载部13组成的结构更加规整，利于加工制造，且可使性能更加稳定，利于控制。
64.需要说明的是，在其他一些实施方式中，也可以仅导体连接部14的厚度与低阻抗段12的厚度相同，而导体连接部14的厚度与电容加载部13的厚度不相同。在其他一些实施方式中，也可以仅导体连接部14的厚度与电容加载部13的厚度相同，而导体连接部14的厚度与低阻抗段12的厚度不相同。在其他一些实施方式中，也可以是低阻抗段12的厚度、导体连接部14的厚度及电容加载部13的厚度互不相同。
65.在一个实施例中，请参阅图1，低阻抗段12的数量为至少两个，相邻两低阻抗段12之间设有一高阻抗段11。各低阻抗段12上设置的导体连接部14和电容加载部13的形状结构可以相同，例如各低阻抗段12上设置的电容加载部13的内径均相同。
66.当然，在其他一些实施方式中，至少一低阻抗段12上设置的电容加载部13的内径可以与其他低阻抗段12上设置的电容加载部13的内径不相同；例如，可通过设置至少一低阻抗段12上设置的电容加载部13的内径大于或小于其他低阻抗段12上设置的电容加载部13的内径，以使至少一低阻抗段12与其上设置的电容加载部13之间形成的间隙101的宽度不同于其他低阻抗段12与其上设置的电容加载部13之间形成的间隙101的宽度，从而调整低通滤波结构10的滤波性能。
67.在一个实施例中，请参阅图1和图2，导体连接部14位于低阻抗段12与电容加载部13之间。具体地，导体连接部14的相对两端可以分别连接于低阻抗段12的内表面和电容加载部13的内表面。
68.如此设置，由于导体连接部14位于低阻抗段12与电容加载部13之间，相对于导体连接部14位于间隙101的外部而言，可使电容加载部13、低阻抗段12及导体连接部14配合形成的整体结构更加规整，外部周向更加规则而无凸出结构，从而利于装配于滤波器的腔体中；并且，也更加利于导体连接部14、低阻抗段12及电容加载部13三者之间为一体成型时的加工。
69.需要说明的是，导体连接部14的设置位置不限于此。可选地，在其他一些实施方式
中，导体连接部14也可以位于低阻抗段12和电容加载部13的外侧而连接于低阻抗段12和电容加载部13。
70.可选地，导体连接部14的数量可以是一个，也可以是多个，具体可根据需要进行设置。
71.在一个实施例中，请参阅图1和图2，导体连接部14与低阻抗段12为一体成型的一体式结构，导体连接部14与电容加载部13为一体成型的一体式结构；也即导体连接部14、低阻抗段12及电容加载部13三者为一体式结构。
72.如此设置，由于导体连接部14、低阻抗段12及电容加载部13三者为一体式结构，相对于采用分体成型而相连接的方式(易产生偏差)而言，导体连接部14、低阻抗段12及电容加载部13三者的配合精度更高，利于提高对低通滤波结构10的高频抑制作用的控制精度，且结构可靠性更高。
73.当然，在其他一些实施方式中，也可以仅导体连接部14与低阻抗段12为一体式结构，而导体连接部14与电容加载部13为分体成型而相连接。在其他一些实施方式中，也可以仅导体连接部14与电容加载部13为一体式结构，而导体连接部14与低阻抗段12为分体成型而相连接。在其他一些实施方式中，也可以是导体连接部14、低阻抗段12及电容加载部13三者均为分体成型而相连接。
74.在一个实施例中，请参阅图1和图2，低阻抗段12的横截面积(垂直于低阻抗段12的长度方向或轴向的断面面积或截面面积)大于高阻抗段11的横截面积(垂直于高阻抗段11的长度方向或轴向的断面面积或截面面积)。
75.如此设置，由于低阻抗段12的横截面积大于高阻抗段11的横截面积，利于低阻抗段12的阻抗小于高阻抗段11的阻抗。可以理解，低通滤波结构10的各低阻抗段12的阻抗均小于任意一高阻抗段11的阻抗。
76.可选地，在一个实施例中，请参阅图1和图2，低阻抗段12为金属柱状结构，即为金属材料制成的柱状结构；例如，可以是圆柱状结构、棱柱状结构等，但不限于此，还可以是其他形状规则或不规则的柱状结构。高阻抗段11为金属杆状结构，即为金属材料制成的杆状结构；例如，可以是圆杆状结构、方杆状结构等，但不限于此，还可以是其他形状规则或不规则的杆状结构。其中，低阻抗段12的外径大于高阻抗段11的外径。
77.在一个实施例中，请参阅图1，低阻抗段12与高阻抗段11同轴设置，即低阻抗段12的轴线与高阻抗段11的轴线相重合。
78.如此设置，使得低通滤波结构10的结构更加规整，利于加工制造，也可使得性能更加稳定，利于控制。
79.当然，在其他一些实施方式中，低阻抗段12与高阻抗段11也可以不同轴设置，即两者的轴线不相重合。
80.在一个实施例中，请参阅图1，低通滤波结构10包括分别位于低通滤波结构10的相对两端的信号输入段15和信号输出段16。信号输入段15连接于低通滤波结构10一端的高阻抗段11或低阻抗段12，信号输出段16连接于低通滤波结构10另一端的高阻抗段11或低阻抗段12。可以理解，图1中所示信号输入段15和信号输出段16的位置仅为示例性展示，图中信号输入段15位于左侧，而信号输出段16位于右侧；在其他一些实施方式中，也可以两者的位置相对调，即信号输入段15位于右侧，而信号输出段16位于左侧。
81.如此设置，利于信号经过信号输入段15而输入至低通滤波结构10，并利于经过低通滤波结构10之后的信号可由信号输出段16输出。
82.可选地，信号输入段15可以是金属段，例如柱状结构、片状结构等，信号输入段15可以与所连接的高阻抗段11或低阻抗段12一体成型设置，当然，也可以是分体成型而相连接。信号输出段16可以是金属段，例如杆状结构、片状结构等，信号输出段16可以与所连接的高阻抗段11或低阻抗段12一体成型设置，当然，也可以是分体成型而相连接。
83.在一个实施例中，请参阅图1，高阻抗段11的数量为两个，低阻抗段12的数量为三个，每相邻两低阻抗段12之间设有一高阻抗段11，以使各高阻抗段11和各低阻抗段12相串联，即每一高阻抗段11的相对两端分别连接一低阻抗段12。具体地，信号输入段15可以连接于低通滤波结构10一端的低阻抗段12，信号输出段16可以连接于低通滤波结构10另一端的低阻抗段12。可选地，可以每一低阻抗段12上均设置有导体连接部14和电容加载部13；当然，在其他一些实施方式中，也可以仅其中一个或多个低阻抗段12上设置导体连接部14和电容加载部13。
84.如此设置，通过设置两个高阻抗段11和三个低阻抗段12，可形成五阶的低通滤波结构10，具有较少阶数，但却具有较好的高频抑制性能，尤其是在每一低阻抗段12上均设置导体连接部14和电容加载部13时，可使采用本技术实施例提供的低通滤波结构10的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生三个传输零点。因此，可有效减小低通滤波结构10的长度和重量，以利于在满足高频抑制要求的情况下减小滤波器的尺寸和重量。
85.需要说明的是，高阻抗段11和低阻抗段12的数量不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，高阻抗段11的数量也可以是一个、三个或三个以上，低阻抗段12的数量也可以是一个、两个、四个或四个以上，具体可根据实际需求进行设置。
86.在一个实施例中，请参阅图1，低阻抗段12的数量为至少两个，相邻两低阻抗段12之间设有一高阻抗段11。各低阻抗段12可以同轴设置，沿各低阻抗段12共同轴线方向的投影，各低阻抗段12上设置的导体连接部14的投影可以完全重合。
87.需要说明的是，低阻抗段12及导体连接部14的设置方式不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，至少两低阻抗段12同轴设置。具体地，当低阻抗段12的数量为两个时，则两个低阻抗段12同轴设置；当低阻抗段12的数量为三个及三个以上时，可以是其中两个或两个以上的低阻抗段12同轴设置，而存在至少一个低阻抗段12不同轴设置，也可以是各低阻抗段12均同轴设置。沿同轴设置的两低阻抗段12的轴线方向的投影，其中一低阻抗段12上设置的导体连接部14的投影的至少部分与另一低阻抗段12上设置的导体连接部14的投影不相重合(可以是部分相重合而部分不相重合，也可以是全部不相重合)；即，存在同轴设置的两低阻抗段12(而非特指所有的同轴设置的低阻抗段12，当然可以是所有的同轴设置的低阻抗段12)，且该同轴设置的两低阻抗段12沿其共同轴线方向的投影，其中一低阻抗段12上设置的导体连接部14的投影的至少部分与另一低阻抗段12上设置的导体连接部14的投影不相重合；也即，沿同轴设置的两低阻抗段12的共同轴线方向，同轴设置的两低阻抗段12上设置的导体连接部14之间相错开，可以是错开部分(也可以理解为导体连接部14之间不完全正对，也即上述的投影部分相重合而部分不相重合)，也可以是完全相错开(也可以理解为导体连接部14之间完全不正对，也即上述的投影全部不相重合)。
88.如此设置，由于沿同轴设置的两低阻抗段12的轴线方向的投影，其中一低阻抗段
12上设置的导体连接部14的投影的至少部分与另一低阻抗段12上设置的导体连接部14的投影不相重合，相比于各低阻抗段12上设置的导体连接部14的投影完全重合的情况，可使低通滤波结构10具有不同的滤波性能，在应用于滤波器中时可对滤波器产生不同的影响，如此便可根据滤波器的指标需要(例如抑制性能和滤波性能)而适应性调整设置同轴设置的两低阻抗段12上设置的导体连接部14之间的相对位置。
89.可以理解，当低阻抗段12的数量为至少两个时，各低阻抗段12上设置的导体连接部14的结构可以相同，各低阻抗段12上设置的电容加载部13的结构可以相同。当然，在其他一些实施方式中，也可以是其中一低阻抗段12上设置的导体连接部14的结构与另一低阻抗段12上设置的导体连接部14的结构不相同，例如可以是形状不相同，可以是尺寸不相同等，但不限于此；可以通过设置其中一低阻抗段12上设置的导体连接部14的结构与另一低阻抗段12上设置的导体连接部14的结构不相同而调整低通滤波结构10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。
90.请参阅图1至图4，本技术实施例还提供一种滤波器100，滤波器100包括腔体20和上述任一实施例的低通滤波结构10。腔体20具有安置槽，低通滤波结构10设置于安置槽中。
91.由于本技术实施例提供的滤波器100采用了上述实施例的低通滤波结构10，因而其同样具有上述任一实施例的低通滤波结构10的技术方案所带来的技术效果。可使得滤波器100在高于其低通截止频率的频段产生传输零点，有效提高滤波器100的高频抑制性能，且无需另外提高低通滤波结构10的阶数，从而可在不提高低通滤波结构10的阶数的情况下实现较好的高频抑制能力，以利于在满足高频抑制要求的情况下减小滤波器100的尺寸和重量。
92.在一个实施例中，请参阅图4，滤波器100还包括绝缘结构30，低通滤波结构10通过绝缘结构30设置于安置槽中。绝缘结构30是指能够使低通滤波结构10与腔体20相绝缘的结构。
93.如此设置，绝缘结构30可使低通滤波结构10与腔体20相绝缘，避免两者接触短路，以利于低通滤波结构10正常工作。
94.可选地，在一个实施例中，请参阅图4，绝缘结构30为绝缘套管，高阻抗段11、低阻抗段12、电容加载部13及导体连接部14均位于绝缘套管的内部。其中，绝缘套管可以是聚四氟乙烯绝缘套，可以是热缩套管，但不限于此，还可以是其他绝缘材料制成的绝缘套管。
95.如此设置，由于高阻抗段11、低阻抗段12、电容加载部13及导体连接部14均位于绝缘套管的内部，因此可有效对低通滤波结构10进行绝缘。
96.需要说明的是，绝缘结构30的结构不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，绝缘结构30可以是设置在低通滤波结构10的外表面的绝缘涂层；也可以是设置在安置槽的内表面的绝缘涂层。可选地，在其他一些实施方式中，绝缘结构30可以是绝缘支撑结构，用于将低通滤波结构10支撑于安置槽中，以使低通滤波结构10与安置槽的内表面之间形成有空隙，例如绝缘支撑结构可以是支撑块、支撑杆、支撑片等，但不限于此。
97.应理解，滤波器100除包括低通滤波结构10和腔体20等元件之外，还可以包括其他元件，例如盖板、连接器等，但不限于此，其他元件可采用现有滤波器的元件，这对于本领域普通技术人员而言是熟知的，本技术实施例中为描述简要而未赘述。
98.示例性地，请参阅图1、图3和图4，以低通滤波结构10包括两个高阻抗段11和三个
低阻抗段12、且每一低阻抗段12上均设置有一导体连接部14和一电容加载部13的滤波器100为例，对滤波器100进行仿真，获得滤波器100的幅频特性曲线图(也即s参数特性仿真图)，如图5所示。从图5中可以看出，滤波器100在其截止频率之外的高频段(6ghz～16ghz频段)内产生了三个传输零点，高于截止频率的频段的谐振频率能够得到较好抑制，因此滤波器100具有较好的高频抑制特性。
99.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。