技术特征：
1.一种车规芯片封装结构，包括芯片和承载该芯片的基板，其特征在于，所述芯片包括正面和与正面相背的第一电气面，所述第一电气面包括第一焊盘区和第一绝缘区，所述第一绝缘区包括绝缘材料层，所述绝缘材料层设置在第一焊盘区的焊点间空隙中，所述第一绝缘区表面高度高于第一焊盘区；所述芯片的正面和侧面覆盖有电磁屏蔽罩；所述电磁屏蔽罩上还设有第一接地焊盘区，所述基板包括背面和与背面相背的第二电气面，所述第二电气面包括与第一焊盘区相对的第二焊盘区、与第一绝缘区相对的第二绝缘区和与第一接地焊盘区相对的第二接地焊盘区，所述第二绝缘区表面高度不低于第二焊盘区；所述第一焊盘区或第二焊盘区的各个焊点上均设有导焊凸块。2.根据权利要求1所述的一种车规芯片封装结构，其特征是，所述导焊凸块体积vt满足关系，vt≤s(h1+h2)，其中h1第一焊盘区与第一绝缘区的高度差，h2为第二焊盘区与第二绝缘区的高度差，s单个焊盘的面积。3.根据权利要求2所述的一种车规芯片封装结构，其特征是，所述基板背面设有若干导焊凸点，所述导焊凸点通过基板内部互联电路与第二焊盘区连接，使第二焊盘区通过内部互联电路到导焊凸点形成导电通路，所述基板内部设有接地层，所述基板背面还覆盖有绝缘层，所述导焊凸点沿绝缘层厚度方向贯穿，所述导焊凸点最高点不低于接绝缘层表面。4.根据权利要求3所述的一种车规芯片封装结构，其特征是，所述电磁屏蔽罩还包括金属屏蔽层和封装体，所述芯片正面与金属屏蔽层贴合固定连接，所述金属屏蔽层通过接地桥与第一焊盘区连接，所述金属屏蔽层一面通过接地桥与第一焊盘区形成导电通路，所述接地桥外包裹有封装膜，所述封装体与金属屏蔽层表面贴合固定。5.根据权利要求4所述的一种车规芯片封装结构，其特征是，所述金属屏蔽层与芯片正面之间还设有第一粘合层。6.一种车规芯片封装方法，其特征是，用于封装权利要求1-5任一项所述的车规芯片封装结构，包括如下步骤：s1：对裸芯片和基板进行等离子清洁，去除表面污染物和裸芯片及基板的焊盘氧化层；s2：在裸芯片正面设置金属屏蔽层，并在金属屏蔽层上于芯片的至少一侧设置接地桥，在所述接地桥的端部设置第一焊盘区，所述第一接地焊盘区与裸芯片焊盘平齐，所述接地桥与所述金属屏蔽层形成导电通路；s3：将第一焊盘区与第二焊盘区对齐，第一绝缘区和第二绝缘区对齐；将第一焊盘区域与第二焊盘区通过导焊凸点焊接键合，将第一绝缘区与第二绝缘区融合；s4：对金属屏蔽层上方进行封装形成封装层。7.根据权利要求6所述的一种车规芯片封装方法，其特征是，步骤s2包括下述细分步骤：s21：在裸芯片正面设置金属屏蔽层，在粘有金属屏蔽层的裸芯片正面覆盖封装膜，并且封装膜覆盖金属屏蔽层边缘延伸出芯片的部分；s22：所述封装膜上表面不低于芯片电气面的第一绝缘区上表面；s23：通过激光打孔、蚀刻或者光刻工艺在接地桥对应的封装膜位置沿封装膜厚度方向穿孔至金属屏蔽层；s24：在所述穿孔位置设置金属导体与金属屏蔽层连接或者通过金属溅射填充工艺在
穿孔中形成金属导体并与金属屏蔽层连接；s25：在金属导体的端部设置与芯片焊点水平的第一接地焊盘区形成与第二焊盘区键合的第一焊盘区;s26：在第一焊盘区的焊盘上植球形成导焊凸点。8.根据权利要求6所述的一种车规芯片封装方法，其特征是，所述步骤s2还包括：s21：在裸芯片正面设置金属屏蔽层，在金属屏蔽层上于芯片的至少一侧设置接地桥，在接地桥端部设置与芯片焊点水平的第一接地焊盘区形成第二焊盘区键合的第一焊盘区；s22：在第一焊盘区包覆封装膜；所述封装膜覆盖第一焊盘区、第一绝缘区和导电桥；s23：对封装膜上表面进行研磨加工，使第一绝缘区的表面裸露出来，其余部位的封装膜表面与第一绝缘层上表面水平；s24：通过激光打孔、蚀刻或光刻工艺去除第一焊盘区表面的封装膜，使焊盘表面裸露出来形成焊盘凹陷；s25：在第一焊盘区的焊盘上植球形成导焊凸点。9.根据权利要求7或8所述的一种车规芯片封装方法，其特征是，所述在芯片正面设置金属屏蔽层包括：将导电金属薄片通过临时粘合层粘合到载板上，然后将裸芯片正面与粘合有导电金属薄片的载板的导电金属薄片面通过粘合层粘合；或者通过金属溅射或电镀工艺形成带导电桥的金属屏蔽层。10.根据权利要求9所述的一种车规芯片封装方法，其特征是，所述导焊凸块包括球状凸块和柱状凸块的一种或者多种。
技术总结
本发明公开了一种车规芯片封装结构，包括芯片和承载该芯片的基板，芯片包括正面和与正面相背的第一电气面，第一电气面包括第一焊盘区和第一绝缘区，第一绝缘区包括绝缘材料层，绝缘材料层设置在第一焊盘区的焊点间空隙中，第一绝缘区表面高度高于第一焊盘区；芯片的正面和侧面覆盖有电磁屏蔽罩；电磁屏蔽罩上还设有第一接地焊盘区，基板包括背面和与背面相背的第二电气面，第二电气面包括与第一焊盘区相对的第二焊盘区、与第一绝缘区相对的第二绝缘区和与第一接地焊盘区相对的第二接地焊盘区，第二绝缘区表面高度不低于第二焊盘区；第一焊盘区或第二焊盘区的各个焊点上均设有导焊凸块。进一步提高芯片与基板之间的贴合力度，防止开裂。止开裂。止开裂。
技术研发人员：方立锋 王赟 张官兴
受保护的技术使用者：绍兴埃瓦科技有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/6/28