技术特征：
1.一种半导体封装器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一封装体，所述第一封装体包括芯片、第一导电柱和保护层，所述芯片具有相对设置的第一主表面和第二主表面，所述第一主表面具有多个芯片电极，所述第一导电柱位于所述芯片电极位置处，且与对应的所述芯片电极电连接，所述保护层覆盖所述第一导电柱；形成第一塑封层，所述第一塑封层从所述第一主表面一侧覆盖所述第一封装体，所述第二主表面从所述第一塑封层中露出；从所述第一主表面一侧移除部分所述第一塑封层和部分所述保护层，以使得所述第一导电柱远离所述芯片的一端从所述保护层和所述第一塑封层中露出；其中，所述保护层背离所述芯片一侧表面的平整度大于所述第一塑封层背离所述芯片一侧表面的平整度。2.根据权利要求1所述的半导体封装器件的制备方法，其特征在于，所述提供第一封装体的步骤，包括：提供晶圆，所述晶圆包括多个阵列排布的所述芯片，相邻所述芯片之间具有切割道，所述切割道内覆盖有牺牲层；在所述晶圆具有所述芯片电极的一侧形成多个第一导电柱；在所述晶圆具有所述芯片电极的一侧形成所述保护层，所述保护层连续覆盖所有所述第一导电柱；移除对应所述切割道位置处的所述保护层和所述牺牲层，以暴露出所述切割道；沿所述切割道切割所述晶圆，以获得多个所述第一封装体。3.根据权利要求2所述的半导体封装器件的制备方法，其特征在于，所述移除对应所述切割道位置处的所述保护层和所述牺牲层的步骤，包括：利用激光开槽工艺移除对应所述切割道位置处的所述保护层，以形成暴露出所述牺牲层的第一通槽；利用激光开槽工艺移除所述第一通槽暴露出的所述牺牲层，以暴露出所述切割道；其中，所述第一通槽靠近所述切割道一端的尺寸大于或等于所述切割道的尺寸。4.根据权利要求1所述的半导体封装器件的制备方法，其特征在于，所述形成第一塑封层的步骤，包括：将所述第一封装体贴附于载板上，所述第二主表面朝向所述载板；在所述载板贴附有所述第一封装体的一侧表面形成所述第一塑封层，第一塑封层覆盖所述第一封装体；移除所述载板。5.根据权利要求4所述的半导体封装器件的制备方法，其特征在于，所述第一封装体的数量为多个，所述第一塑封层连续覆盖所有所述第一封装体，且多个所述第一封装体包括的多个所述芯片具有至少两种不同功能。6.根据权利要求1所述的半导体封装器件的制备方法，其特征在于，所述从所述第一主表面一侧移除部分所述第一塑封层和部分所述保护层的步骤之后，还包括：在所述第一塑封层靠近所述第一导电柱的一侧形成第一绝缘层并进行图案化，以形成外露所述第一导电柱的多个第一连通孔；在所述第一绝缘层背离所述第一塑封层一侧形成第一金属层并进行图案化，以形成第
一再布线层；其中，响应于所述第一封装体的数量为一个，所述第一再布线层包括多个第一再布线电极，一个所述第一再布线电极通过一个所述第一连通孔与一个所述第一导电柱电连接；响应于所述第一封装体的数量为多个，所述第一再布线层还包括至少一个串联电极，所述串联电极将相邻两个所述芯片串联连接。7.根据权利要求6所述的半导体封装器件的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述保护层的材质相同。8.一种半导体封装器件，其特征在于，所述半导体封装器件由权利要求1-7任一项所述的半导体封装器件的制备方法制备得到，所述半导体封装器件包括：芯片，具有相对设置的第一主表面和第二主表面，所述第一主表面具有多个芯片电极；第一导电柱，位于所述芯片电极位置处，且与对应的所述芯片电极电连接；保护层，位于所述第一主表面，仅覆盖所述第一导电柱的侧面；第一塑封层，仅覆盖所述芯片的侧面和所述保护层的侧面；其中，所述保护层背离所述芯片一侧表面的平整度大于所述第一塑封层背离所述芯片一侧表面的平整度。9.根据权利要求8所述的半导体封装器件，其特征在于，所述半导体封装器件还包括：第一绝缘层，位于所述第一塑封层靠近所述第一导电柱的一侧，所述第一绝缘层上形成有外露所述第一导电柱的多个第一连通孔；第一再布线层，位于所述第一绝缘层背离所述第一塑封层一侧；响应于所述芯片的数量为一个，所述第一再布线层包括多个第一再布线电极，一个所述第一再布线电极通过一个所述第一连通孔与一个所述第一导电柱电连接；响应于所述芯片的数量为多个，所述第一再布线层还包括至少一个串联电极，所述串联电极将相邻两个所述芯片串联连接。10.根据权利要求9所述的半导体封装器件，其特征在于，所述第一绝缘层和所述保护层的材质相同。
技术总结
本申请公开了一种半导体封装器件及其制备方法，属于半导体封装技术领域。所述制备方法先提供第一封装体，第一封装体包括芯片、第一导电柱和保护层，芯片具有相对设置的第一主表面和第二主表面，第一主表面具有多个芯片电极，第一导电柱位于芯片电极位置处，且与对应的芯片电极电连接，保护层覆盖第一导电柱；再形成第一塑封层，第一塑封层从第一主表面一侧覆盖第一封装体，第二主表面从第一塑封层中露出；再从第一主表面一侧移除部分第一塑封层和部分保护层，以使得第一导电柱远离芯片的一端从保护层和第一塑封层中露出；且保护层背离芯片一侧表面的平整度大于第一塑封层背离芯片一侧表面的平整度。本申请能够提高半导体封装器件的可靠性。器件的可靠性。器件的可靠性。
技术研发人员：李尚轩 仇阳阳 庄佳铭
受保护的技术使用者：南通通富微电子有限公司
技术研发日：2022.01.18
技术公布日：2022/6/7