技术特征：
1.一种ldmosfet，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压p型阱和高压n型阱；所述高压n型阱上方依次设有第一n型漂移区、p型体区和第二n型漂移区，其中，所述第一n型漂移区、p型体区和第二n型漂移区中的至少一者的上表面有凸起。2.根据权利要求1所述的ldmosfet，其特征在于，所述第一n型漂移区和第二n型漂移区在同一横向维度彼此分开。3.根据权利要求1所述的ldmosfet，其特征在于，所述第一n型漂移区呈反l型立体图形，所述p型体区呈凹型立体图形，所述第二n型漂移区呈l型立体图形，三者边缘处相接，共同组成一个新的凹形立体图形。4.根据权利要求1所述的ldmosfet，其特征在于，所述第一n型漂移区的外侧和第二n型漂移区的外侧均设有侧墙；所述侧墙为氧化物，用于隔离。5.根据权利要求1所述的ldmosfet，其特征在于，所述高压p型阱设于所述高压n型阱两侧，且所述高压n型阱的深度大于所述高压p型阱。6.根据权利要求1或5所述的ldmosfet，其特征在于，所述高压p型阱与所述高压n型阱相接的上侧设有场氧结构；所述场氧结构为凸起形状，用于隔离。7.根据权利要求1所述的ldmosfet，其特征在于，所述第一n型漂移区的深度、p型体区的深度和第二n型漂移区的深度均小于所述高压n型阱的深度。8.根据权利要求1所述的ldmosfet，其特征在于，所述第一n型漂移区和第二n型漂移区的最外层设有多晶硅。9.根据权利要求1所述的ldmosfet，其特征在于，所述衬底为p型衬底。10.一种ldmosfet的制备方法，特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方形成外延层；所述外延层上方形成高压p型阱和高压n型阱；所述高压n型阱上方依次形成第一n型漂移区、p型体区和第二n型漂移区，其中，所述第一n型漂移区、p型体区和第二n型漂移区中的至少一者的上表面有凸起。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一n型漂移区的外侧和第二n型漂移区的外侧均形成侧墙；所述侧墙为氧化物，用于隔离。12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述高压p型阱形成于所述高压n型阱两侧，且所述高压n型阱的深度大于所述高压p型阱。
13.根据权利要求10或12所述的制备方法，其特征在于，所述高压p型阱与所述高压n型阱相接的上侧形成场氧结构；所述场氧结构为凸起形状，用于隔离。14.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-9中任一项所述的ldmosfet。15.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-9中任一项所述的ldmosfet。
技术总结
本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，为了实现上述目的，本发明实施例提供一种LDMOSFET，包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压P型阱和高压N型阱；所述高压N型阱上方依次设有第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，其中，所述第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区中的至少一者的上表面有凸起。该LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。还大大提升了器件的性能。还大大提升了器件的性能。
技术研发人员：余山 赵东艳 王于波 陈燕宁 付振 刘芳 王凯 吴波 邓永峰 刘倩倩 郁文
受保护的技术使用者：北京智芯微电子科技有限公司
技术研发日：2022.02.10
技术公布日：2022/3/11