技术特征：
1.一种击穿电压可调节的scr型esd保护结构，包括设置于同一p型衬底上的pnp管(t1)和npn管(t2)，所述pnp管(t1)基极接所述npn管(t2)集电极，所述pnp管(t1)集电极接所述npn管(t2)基极，所述pnp管(t1)发射极接电源阳极，所述pnp管(t1)基极和所述npn管(t2)集电极经第一电阻(rnwell)接电源阳极，所述npn管(t2)发射极接电源阴极，所述npn管(t2)基极和所述pnp管(t1)集电极经第二电阻(rpwell)接电源阴极，其特征在于：还包括用于调节击穿电压的稳压二极管(d3)，所述稳压二极管(d3)与所述pnp管(t1)和npn管(t2)设置于同一p型衬底上，所述稳压二极管(d3)阳极与所述npn管(t2)基极、所述pnp管(t1)集电极连接，所述稳压二极管(d3)阴极与所述pnp管(t1)基极和所述npn管(t2)集电极连接。2.根据权利要求1所述的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：p型衬底上方设有n阱区(10)和p阱区(11)，n阱区(10)内的上部设有第三n+掺杂区(02)，p阱区(11)内的上部设有第二p+掺杂区(03)，所述n阱区(10)作为稳压二极管(d3)的阴极，所述第三n+掺杂区(02)作为所述稳压二极管(d3)的阴极欧姆接触引出端；所述p阱区(11)作为所述稳压二极管(d3)的阳极，所述第二p+掺杂区(03)作为稳压二极管(d3)的阳极欧姆接触引出端。3.根据权利要求2所述的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：通过改变第三n+掺杂区(02)与n阱区(10)端部的间距(s)调节稳压二极管(d3)的击穿电压。4.根据权利要求2所述的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：n阱区(10)内的上部设有第一p+掺杂区(04)和第一n+掺杂区(05)，n阱区(10)作为npn管(t2)的集电极与pnp管(t1)的基极，npn管(t2)的集电极与pnp管(t1)的基极相连；第一p+掺杂区(04)作为pnp管(t1)发射极的欧姆接触引出端，第一n+掺杂区(05)作为pnp管(t1)基极的欧姆接触引出端。5.根据权利要求2所述的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：p阱区(11)内的上部设有第二n+掺杂区(01)；p阱区(11)作为pnp管(t1)的集电极与npn管(t2)的基极，pnp管(t1)的集电极与npn管(t2)的基极相连；第二n+掺杂区(01)作为npn管(t2)发射极的欧姆接触引出端。6.根据权利要求所述4的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：p阱区(11)内，npn管(t2)基极至第二p+掺杂区(03)之间的等效电阻为第一电阻(rnwell)。7.根据权利要求5所述的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：n阱区(10)内，pnp管(t1)的基极至第一n+掺杂区(05)之间的等效电阻为第二电阻(rpwell)。8.根据权利要求3所述的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：p阱区(11)位于n阱区(10)左侧；第二p+掺杂区(03)位于第二n+掺杂区(01)的左侧；第三n+掺杂区(02)、第一p+掺杂区(04)、第一n+掺杂区(05)由左至右依次分布。9.根据权利要求4或5所述的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：p+掺杂区和n+掺杂区相互之间设有隔离区(fox)。10.根据权利要求9所述的击穿电压可调节的scr型esd保护结构，其特征在于：隔离区(fox)为场氧工艺，由绝缘材料sio2填充。
技术总结
本发明涉及一种击穿电压可调节的SCR型ESD保护结构，包括设置于同一P型衬底上的PNP管和NPN管，所述PNP管基极接所述NPN管集电极，所述PNP管(T1)集电极接所述NPN管基极，所述PNP管基极和所述NPN管集电极经第一电阻接电源阳极，所述NPN管基极和所述PNP管集电极经第二电阻接电源阴极，还包括用于调节击穿电压的稳压二极管，所述稳压二极管与所述PNP管和NPN管设置于同一P型衬底上，所述稳压二极管阳极与所述NPN管基极、所述PNP管集电极连接，所述稳压二极管阴极与所述PNP管基极和所述NPN管集电极连接。本发明能够有效提升SCR型ESD保护结构在不同环境下的适用性。结构在不同环境下的适用性。结构在不同环境下的适用性。
技术研发人员：聂卫东 赵克翔
受保护的技术使用者：无锡市晶源微电子有限公司
技术研发日：2022.02.17
技术公布日：2022/5/17