专利名称：蓝色发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种蓝色发光二极管。
发光二极管由于具有长寿命、体积小、耗电量低及单色发光特性，因此迄今已在计算机周边、显示器、仪表指示上有广泛的用途，而近年来由于蓝色发光二极管的研发成熟，使得发光二极管全色彩发光的提供得以实现，并使发光二极管的效用更加广泛。然而由于蓝色发光二极管使用与其它颜色发光二极管不同的基材，因此在其封装及电路设计上亦有不同。
参见
图1所示，是一种常用的蓝光发光二极管应用的示意图。此蓝光二极管200主要包括一氧化铝基板及在此基板上的砷化氮层，此砷化氮层可构成此蓝光发光二极管的主动层，以发出蓝光。由于氧化铝基板为一非导体材料，而砷化氮层为一薄导电层，因此具有此结构的蓝光发光二极管极易受到静电的影响，破坏组件的使用与性能。在此蓝光发光二极管的实际应用中，会加上一个静电保护电路，例如一个齐纳二极管与此蓝光发光二极管并联，以迅速排除静电。然而如此图所示，在常用的蓝光发光二极管中，齐纳二极管与蓝光发光二极管为分别包装，因此在封装的成本及电路组装的困难度上，均有待降低的必要，以降低使用者的负担。
再者，在上述蓝色发光二极管中，二极管的电极是设立在二极管上侧，亦即在发光面上面，此电极会遮弊由二极管主动层放出的光线，使此蓝色发光二极管的效率变差。
本实用新型的目的在于提供一种新型的蓝色发光二极管，其中齐纳二极管内建于发光二极管封装之内。藉由此较简易的封装结构，达到节省装置、成本以及组装时间，并可提高蓝色发光二极管的发光效率。
本实用新型的目的是这样实现的一种蓝色发光二极管，它包含一静电保护设置及一蓝光发光二极管，此蓝光发光二极管主要包含在一氧化铝基板及在此基板上的砷化氮层，中所述静电保护设置内建于所述蓝色发光二极管的封装中。
所述蓝色发光二极管以覆晶方式叠置于所述静电保护装置之上。
所述静电保护装置为齐纳二极管。
所述蓝色发光二极管与所述静电保护装置并排安置。
所述静电保护装置为齐纳二极管。
所述静电保护装置下设立反射层。
综上所述，本实用新型的蓝色发光二极管可以藉由设立内建式的齐纳二极管而简化电路配线及封装，有利于使用此装置的产品降低成本，且蓝色发光二极管以覆晶方式置于齐纳二极管，发光二极管上侧表面发出的光线不会被电极遮住，发光效率得以提高，而且藉由在齐纳二极管之下设立一个反射层，可更进一步提高发光效率。
以下结合附图和具体实施方案，对本实用新型做进一步说明。
图1为本实用新型的蓝色发光二极管示意图；图2为本实用新型另一较佳具体实施例示意图；图3为本实用新型又一较佳具体实施例示意图；图4为本实用新型再一较佳具体实施例示意图。
本实用新型为一种可以节省装置成本及组装时间的蓝色发光二极管。参见图2所示，此蓝色发光二极管包含一发光二极管200及一齐纳二极管202，并且设于一电路板100之上。本实用新型特征中发光二极管200以覆晶方式叠置于此齐纳二极管202之上，直接形成并联连接，以简化电路配线及封装的过程。换言之，齐纳二极管202是内建于此发光二极管200的封装中，因此可以简化封装过程，并降低成本；再者由于发光二极管200是以覆晶方式叠置于此齐纳二极管202上的，并经由焊球206达成电性连接，因此发光二极管上的侧表面没有会遮蔽由二极管主动层放出光线的电极，此蓝色发光二极管的效率得以提高。
图3为本实用新型另一较佳具体实施例的示意图，其中发光二极管200及齐纳二极管202并非安置在同一电路板100之上，藉此以简化电路配线及封装的过程。
图4为本实用新型再一较佳具体实施例示意图，此装置大致类型以与图2的装置，但是在齐纳二极管202的下设立一个反射层，可以将由二极管主动层向下放出的光线反射，因此可提高此蓝色发光二极管的效率。
权利要求1.一种蓝色发光二极管，它包含一静电保护设置及一蓝光发光二极管，此蓝光发光二极管主要包含在一氧化铝基板及在此基板上的砷化氮层，其特征在于所述静电保护设置内建于所述蓝色发光二极管的封装中。
2.如权利要求1所述的蓝色发光二极管，其特征在于所述蓝色发光二极管以覆晶方式叠置于所述静电保护装置之上。
3.如权利要求1或2所述的蓝色发光二极管，其特征在于所述静电保护装置为齐纳二极管。
4.如权利要求1所述的蓝色发光二极管，其特征在于所述蓝色发光二极管与所述静电保护装置并排安置。
5.如权利要求1或4所述的蓝色发光二极管，其特征在于所述静电保护装置为齐纳二极管。
6.如权利要求2所述的蓝色发光二极管，其特征在于所述静电保护装置下设立反射层。
专利摘要一种蓝色发光二极管,它包含一静电保护设置及一蓝光发光二极管,此蓝光发光二极管主要包含在一氧化铝基板及在此基板上的砷化氮层,静电保护设置内建于所述蓝色发光二极管的封装中,蓝色发光二极管以覆晶方式叠置于所述静电保护装置之上,静电保护装置下设立反射层。本实用新型可降低成本,发光二极管上侧表面发出的光线不会被电极遮住,发光效率得以提高,而且藉由在齐纳二极管之下设立一个反射层,可更进一步提高发光效率。
文档编号H01L33/00GK2395388SQ99244280
公开日2000年9月6日 申请日期1999年9月10日 优先权日1999年9月10日
发明者叶寅夫 申请人:亿光电子工业股份有限公司