一种包含激光熔丝的集成电路及其制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种包含激光熔丝的集成电路及其制造方法。
【背景技术】
[0002]熔丝是集成电路中的一个电阻型结构，其主要作用是通过熔断熔丝，达到调整集成电路的功能或参数的目的。
[0003]按照熔丝的熔断方法，可以把熔丝分为电熔丝(Electrical Fuse)和激光熔丝(Laser Fuse)。其中，激光熔丝通常是指对金属进行熔断处理，激光熔丝通常直接采用一定能量的激光束照射熔丝使得熔丝熔断。
[0004]如图1所示，为传统的包含激光熔丝集成电路的制作方法，该方法包括:
[0005]步骤101:在衬底基板上形成介质层，在介质层上形成压焊垫和激光熔丝；形成压焊垫和激光熔丝后的集成电路半成品如图2所示，其中201为衬底基板，202为介质层，203为压焊垫，204为激光熔丝；
[0006]步骤102:在形成压焊垫和激光熔丝后的集成电路半成品上先沉积一层氧化硅，再沉积一层氮化硅，形成钝化层；如图3所示为沉积钝化层后的集成电路半成品，310为钝化层，其中301为钝化层中的氧化硅层，302为钝化层中的氮化硅层；
[0007]步骤103:在形成钝化层的集成电路半成品上涂覆一层光刻胶，并对涂覆光刻胶的集成电路半成品进行图形化处理，形成所需光刻胶窗口图形；如图4所示为形成所需光刻胶窗口图形后的集成电路半成品，其中401为光刻胶，402为光刻胶窗口图形；
[0008]步骤104:对形成光刻胶窗口图形的集成电路半成品进行刻蚀处理，去除光刻胶窗口图形对应的钝化层，形成钝化层窗口 ；如图5所示，为刻蚀处理后的集成电路半成品，其中501为压焊垫对应的钝化层窗口，502为激光熔丝对应的钝化层窗口，图6所示为钝化层窗口的俯视图，其中501为压焊垫对应的钝化层窗口，203为压焊垫，502为激光熔丝对应的钝化层窗口，204为激光熔丝；
[0009]步骤105:去除剩余的光刻胶，形成包含激光熔丝的集成电路；如图7所示为包含激光熔丝的集成电路。
[0010]其中，压焊垫和激光熔丝通常是由多层金属叠加形成的，最上层金属层通常为氮化钛金属层，氮化钛易导致集成电路的“打线”工艺的合格率下降。因此步骤104中对形成光刻胶窗口图形的集成电路半成品进行刻蚀处理时，不仅需要去除光刻胶窗口图形中的钝化层，而且需要将压焊垫表面的氮化钛金属层刻蚀掉。故步骤104中需要对形成光刻胶窗口图形的集成电路半成品进行过刻蚀处理。对激光熔丝对应的钝化层窗口图形进行过刻蚀处理后，对压焊垫对应的钝化层窗口图形进行刻蚀处理时，不仅会去除激光熔丝最上层的氮化钛金属层，而且会将钝化层窗口图形中未被激光熔丝覆盖的介质层刻蚀掉，从而使衬底基板裸露。如图7所示，传统的包含激光熔丝的集成电路，在激光修调时，被激光束熔断的金属熔丝会出现飞溅，一部分飞溅的金属残渣落在了集成电路的内部，一部分飞溅的金属残渣落在了激光熔丝的钝化层窗口中的衬底表面，这将导致集成电路短路，使得修调之后集成电路的合格率下降。
[0011]因此，传统方法制造的包含激光熔丝的集成电路进行修调处理后，由于飞溅的金属残渣落在了集成电路的内部，以及激光熔丝的钝化层窗口中的衬底表面，导致修调处理之后集成电路合格率比较低。
【发明内容】
[0012]本发明实施例提供一种包含激光熔丝的集成电路及其制造方法，以解决现有技术中包含激光熔丝的集成电路进行修调处理后，飞溅的金属残渣落在集成电路的内部，以及激光熔丝的钝化层窗口中的衬底表面，导致修调处理之后集成电路合格率比较低的问题。
[0013]本发明实施例提供了一种包含激光熔丝的集成电路的制造方法，该方法包括:
[0014]在包含压焊垫和激光熔丝的集成电路半成品上淀积钝化层；
[0015]在所述钝化层的表面涂覆光刻胶；
[0016]通过图形化处理工艺去除第一预设区域的光刻胶，所述第一预设区域位于所述压焊垫所在的区域；
[0017]通过刻蚀工艺去除第一预设区域的全部钝化层，形成第一钝化层窗口 ；
[0018]通过图形化处理工艺去除第二预设区域的光刻胶，所述第二预设区域位于所述激光熔丝所在的区域；
[0019]通过刻蚀工艺去除第二预设区域的部分钝化层，形成第二钝化层窗口 ；
[0020]去除覆盖在所述钝化层表面上的剩余光刻胶，形成包含压焊垫和激光熔丝的集成电路。
[0021]上述实施例中，由于对压焊垫对应的钝化层窗口以及激光熔丝对应的钝化层窗口分别进行刻蚀，避免了对压焊垫对应的钝化层窗口进行过刻蚀时，造成激光熔丝对应的钝化层窗口中的介质层被刻蚀掉，进而导致对集成电路进行修调时，飞溅的金属残渣落在集成电路裸露的衬底基板上的问题。并且上述实施例中刻蚀工艺去除了第二预设区域的部分钝化层，激光熔丝被包覆在剩余的钝化层中，当对集成电路进行激光修调时，由于熔丝被钝化层包覆，减少了熔丝在被激光束熔断时熔丝金属的飞溅，提高了激光修调的合格率。
[0022]本发明实施例进一步包括，所述形成第一钝化层窗口之后，通过图形化处理工艺去除第二预设区域的光刻胶之前，包括:
[0023]去除形成第一钝化层窗口之后的集成电路半成品上剩余的光刻胶；
[0024]在所述去除光刻胶之后的集成电路半成品上再次涂覆一层光刻胶。
[0025]所述通过图形化处理工艺去除第二预设区域的光刻胶，包括:
[0026]通过图形化处理工艺去除所述再次涂覆一层光刻胶的集成电路半成品的第二预设区域的光刻胶。
[0027]上述实施例中，由于在形成第一钝化层窗口后去除集成电路半成品上剩余的光刻胶，再次涂覆一层光刻胶，在再次涂覆一层光刻胶的集成电路半成品上形成第二钝化层窗口，由于制作第一钝化层窗口时，第二钝化层窗口位置被光刻胶覆盖，因此第一钝化层窗口进行过刻蚀时，不会对第二钝化层窗口造成影响，反之亦然。
[0028]本发明实施例通过图形化处理工艺去除第二预设区域的光刻胶包括:通过图形化处理工艺去除形成第一钝化层窗口之后的的集成电路半成品的第二预设区域的光刻胶。
[0029]上述实施例中，在形成第一钝化层窗口后，直接对剩余的光刻胶进行图形化处理，去除第二预设区域的光刻胶，通过刻蚀工艺形成第二钝化层窗口，由于分别制作两个钝化层窗口，且对第二钝化层窗口进行刻蚀处理时，不会对第一钝化层窗口造成影响，形成本发明实施例中所需的包含激光熔丝的集成电路。
[0030]本发明实施例钝化层进一步包括第一钝化层和第二钝化层，其中第一钝化层覆盖在第二钝化层上；所述去除第二预设区域的部分钝化层，包括:去除的第二预设区域的部分钝化层的厚度不小于所述第一钝化层的厚度。
[0031]上述实施例中，第一钝化层窗口为压焊垫对应的钝化层窗口，第一钝化层窗口的钝化层已经被完全刻蚀掉，可满足集成电路封装打线的要求；第二钝化层窗口为激光熔丝对应的钝化层窗口，第一钝化层已经被刻蚀掉，在集成电路上留下明显的钝化层窗口印记，只要用设定能量的激光束照射该钝化层窗口印记位置的激光熔丝，就可以使得熔丝熔断。
[0032]本发明实施例提供了一种包含激光熔丝的集成电路的制造方法，该方法包括:
[0033]在包含压焊垫和激光熔丝的集成电路半成品上淀积钝化层；
[0034]在所述钝化层的表面涂覆光刻胶；
[0035]通过图形化处理工艺去除第一预设区域的光刻胶，所述第一预设区域位于所述激光熔丝所在的区域；
[0036]通过刻蚀工艺去除第一预设区域的部分钝化层，形成第一钝化层窗口 ；
[0037]去除形成第一钝化层窗口之后的集成电路半成品表面剩余的光刻胶，在形成所述第一钝化层窗口之后的集成电路半成品表面再次涂覆光刻胶；
[0038]通过图形化处理工艺去除再次涂覆光刻胶的集成电路半成品的第二预设区域的光刻胶，所述第二预设区域位于所述压焊垫所在的区域；
[0039]通过刻蚀工艺去除第二预设区域的全部钝化层，形成第二钝化层窗口 ；
[0040]去除覆盖在所述钝化层表面上的剩余光刻胶，形成包含压焊垫和激光熔丝的集成电路。
[0041]上述实施例中，由于对压焊垫对应的钝化层窗口以及激光熔丝对应的钝化层窗口分别进行刻蚀，避免了对压焊垫对应的钝化层窗口进行过刻蚀时，造成激光熔丝对应的钝化层窗口中的介质层被刻蚀掉，进而导致对集成电路进行修调时，飞溅的金属残渣落在集成电路裸露的衬底基板上的问题。并且上述实施例中刻蚀工艺去除了第二预设区域的部分钝化层，激光熔丝被包覆在剩余的钝化层中，当对集成电路进行激光修调时，由于熔丝被钝化层包覆，减少了熔丝在被激光束熔断时熔丝金属的飞溅，提高了激光修调的合格率。
[0042]本发明实施例钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，其中第一钝化层覆盖在第二钝化层上；所述去除第一预设区域的部分钝化层，包括:去除的第一预设区域的部分钝化层的厚度不小于所述第一钝化层的厚度。
[0043]上述实施例中，第二钝化层窗口为压焊垫对应的钝化层窗口，第二钝化层窗口的钝化层已经被完全刻蚀掉，可满足集成电路封装