专利名称：一种熔丝组件、熔丝组件制造方法及设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及电学及机械领域，特别涉及一种熔丝组件、熔丝组件制造方法及设备。
背景技术：
在集成电路设计中，设计者需要通过在电路中增加一定数量的金属熔丝(Metalfuse)来调节电路中某些电阻的电阻值，使电路中某些电阻的阻值可调，从而满足电路的特定功能。在具体的制造工艺过程中，需生产出一定数量的金属熔丝，然后在集成电路芯片测试的时候，可以靠烧断或者保留这些金属熔丝来对电阻的阻值进行调节。因此需要金属熔丝具备如下特征:在需要烧断金属熔丝的时候能够很容易烧断，而在不需要烧断的时候又需要较好地保持连接，即需要金属熔丝有一定的机械应力，避免由于外力的存在导致金属熔丝断裂，从而影响电路的性能。本申请发明人在实现本申请实施例技术方案的过程中，至少发现现有技术中存在如下技术问题:由于金属熔丝本身结构的缺陷，造成了金属熔丝在集成电路芯片的加工过程中很容易由于外力的影响而发生断裂。而现有技术中还没有解决该问题的方法。
发明内容
本发明实施例提供一种熔丝组件、熔丝组件制造方法及设备，用于提高金属熔丝的机械性能。一种熔丝组件，包括:介质层，位于所述介质层上表面的一具有四个侧面的金属熔丝，所述金属熔丝按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分，所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖有保护层，所述第二部分位于一保护腔体中，位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。一种熔丝组件制造方法，包括以下步骤:生成介质层；在所述介质层上表面设置一具有四个侧面的金属熔丝；所述金属熔丝按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分；在所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖保护层；使所述第二部分位于一保护腔体中，其中位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。一种熔丝组件制造设备，包括:生成装置，用于生成介质层；第一操作装置，用于在所述介质层上表面设置一具有四个侧面的金属熔丝；所述金属熔丝按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分；处理装置，用于在所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖保护层；第二操作装置，用于使所述第二部分位于一保护腔体中，其中位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。本发明实施例中使金属熔丝部分位于保护层中，在集成电路芯片的加工过程中，金属熔丝就不易因为外力的影响而变形或者断裂，从而保证电路的正常工作。
图1为本发明实施例中熔丝组件的剖面图；图2为现有技术中熔丝组件的剖面图；图3为本发明实施例中熔丝组件制造设备的主要结构图；图4为本发明实施例中熔丝组件制造方法的主要流程图。
具体实施例方式本发明实施例中使金属熔丝部分位于保护层中，在集成电路芯片的加工过程中，金属熔丝就不易因为外力的影响而变形或者断裂，从而保证电路的正常工作。参见图1，为本发明实施例中熔丝组件的剖面图，其中包括金属熔丝101、介质层102和保护层103。所述保护层103上与金属熔丝101相对的部分可以开有一通孔。图1中，介质层102位于底部，本发明实施例中可以以地平面为参考面，介质层102可以认为平行于地平面放置。制造介质层102的材料可以是二氧化硅(SiO2),介质层102可以由硅直接和氧气反应生成，其质地较为致密。金属熔丝101位于介质层102上表面。较佳的，一个熔丝组件中可以包括一根金属熔丝101。一根金属熔丝101可以是一根金属条，所用金属可以是铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)等导电性能较好的金属。金属熔丝101可以具有四个侧面。现有技术中，如图2所示，金属熔丝的尺寸与保护层上通孔的尺寸大概相等，即金属熔丝正好与所述通孔相对设置。而如图1所示的本发明实施例中，将金属熔丝101按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分，第一宽度值及第二宽度值之和为金属熔丝101的宽度。将所述第一部分设置于保护层103中，即令所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖有保护层103，该第一宽度值可以大于零，且小于金属熔丝101的宽度。令所述第二部分位于一保护腔体中，位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。图1中金属熔丝101的第一部分用虚线表示。所述保护腔体可以由保护层103构成，即保护层103位于所述第二部分上方的位置设置有一通孔，当将金属熔丝101烧断后，烧断的金属会从所述通孔处掉落或挥发，不会残留在原来的位置，也不会使烧断的金属熔丝101又重新连接起来。较佳的，如图1所示，第一宽度值可以等于第二宽度值。这样在不需要烧断金属熔丝101的时候，这些金属熔丝101很难再因为外力的影响而导致变形或者断裂，影响电路的正常功能。而在需要烧断金属熔丝101的时候，金属熔丝101也依然能够正常被烧断，且能够从所述通孔处掉落或挥发。保护层103可以有部分覆盖在金属熔丝101的第一部分上，其余部分组成一保护腔体，将金属熔丝101的第二部分包覆在内，所述通孔位于金属熔丝101上方。保护层103可以由二氧化硅(SiO2)制成，与制造介质层102不同的是，保护层103可以采用化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)的原理制造而成,其质地相对于介质层102来说较为疏松，采用CVD的方法也是为了节约成本。保护层103与介质层102都是绝缘能力较好的物质。参见图3，本发明实施例还提供一种熔丝组件制造设备，其包括生成装置301，第一操作装置302，处理装置303及第二操作装置304。生成装置301用于生成介质层102。第一操作装置302用于在所述介质层102上表面设置一具有四个侧面的金属熔丝101。所述金属熔丝101按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分。一根金属熔丝101可以是一根金属条，其可以贴覆于介质层102上表面。处理装置303用于在所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖保护层103。处理装置303在金属熔丝101的第一部分的上表面及各个侧面覆盖保护层103。保护层103可以紧紧贴覆于所述第一部分的上表面及各个侧面。第二操作装置304用于使所述第二部分位于一保护腔体中，其中位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。所述保护腔体可以是保护层103的一部分。参见图4，本发明实施例中熔丝组件制造的主要方法流程如下:步骤401:生成介质层102。步骤402:在所述介质层102上表面设置一具有四个侧面的金属熔丝101 ;所述金属熔丝101按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分。步骤403:在所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖保护层103。步骤404:使所述第二部分位于一保护腔体中，其中位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。本发明实施例中使金属熔丝101部分位于保护层103中，在集成电路芯片的加工过程中，金属熔丝101就不易因为外力的影响而变形或者断裂，从而保证电路的正常工作。在需要熔断时，金属熔丝101可以正常熔断，而在不需要其熔断时，其可以有较强的抗压能力，不易变形。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种熔丝组件，包括:介质层，位于所述介质层上表面的一具有四个侧面的金属熔丝，所述金属熔丝按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分，其特征在于，所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖有保护层，所述第二部分位于一保护腔体中，位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。
2.如权利要求1所述的熔丝组件，其特征在于，所述第一宽度值大于零，及小于所述金属熔丝的宽度；所述第一宽度值与所述第二宽度值之和为所述金属熔丝的宽度。
3.如权利要求1所述的熔丝组件，其特征在于，所述保护层由二氧化硅制成。
4.如权利要求1所述的熔丝组件，其特征在于，所述保护腔体由二氧化硅制成。
5.如权利要求1所述的熔丝组件，其特征在于，所述介质层由二氧化硅制成。
6.如权利要求1所述的熔丝组件，其特征在于，制造所述金属熔丝所用的金属为铝、铜或银。
7.一种熔丝组件制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 生成介质层； 在所述介质层上表面设置一具有四个侧面的金属熔丝；所述金属熔丝按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分； 在所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖保护层； 使所述第二部分位于一保护腔体中，其中位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。
8.一种熔丝组件制造设备，其特征在于，包括: 生成装置，用于生成介质层； 第一操作装置，用于在所述介质层上表面设置一具有四个侧面的金属熔丝；所述金属熔丝按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分； 处理装置，用于在所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖保护层； 第二操作装置，用于使所述第二部分位于一保护腔体中，其中位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。
全文摘要
本发明公开了一种熔丝组件，用于提高金属熔丝的机械性能。所述熔丝组件包括介质层，位于所述介质层上表面的一具有四个侧面的金属熔丝，所述金属熔丝按其宽度分为宽度为第一宽度值的第一部分及宽度为第二宽度值的第二部分，其特征在于，所述第一部分的上表面及所述四个侧面覆盖有保护层，所述第二部分位于一保护腔体中，位于所述第二部分上方的所述保护腔体上设置有一通孔。本发明还公开了所述熔丝组件的制造方法及设备。
文档编号H01L23/525GK103117269SQ20111036288
公开日2013年5月22日 申请日期2011年11月16日 优先权日2011年11月16日
发明者叶文正, 杨帆 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司