发光二极管结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光二极管结构，特别是涉及一种横向混光的发光二极管结构。
【背景技术】
[0002]发光二极管芯片为自发光性(self emiss1n)组件，且因具有体积小、无热辐射、低消耗功率、寿命长以及反应时间短(fast response time)的特性，而可广泛的应用于照明或显示器等领域。
[0003]现有发光二极管芯片的发光层仅能产生具有特定颜色与波长的光线。因此，若欲制作出与发光二极管芯片所产生的光线具有不同颜色的发光二极管结构，一般是于发光二极管上覆盖荧光粉，且荧光粉可吸收发光层所产生的光线，并射出波长大于发光层所产生光线的波长的光线。借此，发光二极管结构可通过混合发光二极管芯片所产生的光线与荧光粉所产生的光线来达到产生所欲颜色的光线。例如:利用蓝光发光二极管搭配黄色荧光粉来产生白光。
[0004]然而，现有发光二极管芯片仅能产生具有特定颜色，因此其所产生的光线的色域(color gamut)并不广。如此一来，由发光二极管芯片所产生的光线与荧光粉所产生的光线所混合出的光线的色域也不广，以致于限制了发光二极管结构所产生的光线的演色性。再者，发光层所产生的光线容易受到发光二极管芯片的结构限制而会有大量的耗损。例如:当光线从发光二极管芯片射至空气时会因折射率的差异而产生反射，以致于发光二极管芯片可视为波导管，而将光线局限于其中，使得光线被发光二极管芯片所吸收。或者，光线会局限于发光二极管芯片的表面并转换为表面等离子体波，而无法射出。
[0005]有鉴于此，提升发光二极管结构所产生的光线的演色性与亮度实为业界努力的目标。
【发明内容】
[0006]本发明的主要目的在于提供一种发光二极管结构，以提升发光二极管结构所产生的光线的演色性与亮度。
[0007]为达到上述目的，本发明提供一种横向混光的发光二极管结构，其包括一基板、一第一发光二极管以及一第二发光二极管。第一发光二极管设置在基板上，且包括一第一电极、一第一发光层以及一第二电极，依序堆叠于基板上，其中第一发光层受光激发产生具有一第一峰值波长的一第一光线，受电激发产生具有一第四峰值波长的一第四光线。第二发光二极管设置在邻近第一发光二极管的基板上，第二发光二极管包括一第三电极、一第二发光层以及一第四电极，依序堆叠于基板上，其中第二发光层受电激发产生具有一第二峰值波长的一第二光线，且第一峰值波长大于第二峰值波长。
[0008]优选地，所述第二发光层于平行于所述基板的一方向上位于所述第一电极与所述第二电极之间。
[0009]优选地，所述第二发光二极管还包括缓冲层，设置在所述第三电极与所述基板之间。
[0010]优选地，所述第二发光层于所述方向上与所述第一发光层至少部分重叠。
[0011]优选地，所述缓冲层具有一厚度，大于O纳米且小于200纳米。
[0012]优选地，所述第二发光二极管还包括多个散射粒子，散布于所述缓冲层内，且所述第三电极包括透明导电材料。
[0013]优选地，所述第二发光二极管还包括反射层，设置在所述缓冲层与所述基板之间。
[0014]优选地，所述第一电极包括不透明导电材料，且所述第二电极与所述第四电极包括透明导电材料。
[0015]优选地，所述第一发光二极管还包括光转换层，覆盖于所述第二电极上，且所述光转换层受光激发产生具有第三峰值波长的第三光线。
[0016]优选地，所述第三峰值波长大于所述第一峰值波长。
[0017]优选地，所述第二发光二极管还包括缓冲层，设置在所述第三电极与所述基板之间。
[0018]优选地，所述第二发光层于平行于所述基板的方向上与所述光转换层至少部分重叠，且所述第三峰值波长大于所述第二峰值波长。
[0019]优选地，所述第二发光二极管还包括多个散射粒子，散布于所述缓冲层内，且所述第三电极包括透明导电材料。
[0020]优选地，所述第二发光二极管还包括反射层，设置在所述缓冲层与所述基板之间。
[0021]优选地，所述第一电极与所述第三电极包括透明导电材料，且所述第二电极与所述第四电极包括不透明导电材料。
[0022]优选地，所述第一发光二极管还包括光转换层，设置在所述第一电极与所述基板之间，且所述光转换层受光激发产生具有第三峰值波长的第三光线。
[0023]本发明将可产生不同峰值波长光线的第一发光二极管与第二发光二极管设置在基板上，以横向混合第一发光层所产生的第一光线与第四光线以及第二发光层所产生的第二光线，借此提升发光二极管结构所产生的光线的演色性。
【附图说明】
[0024]图1所示为本发明第一实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。
[0025]图2所示为本发明第二实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。
[0026]图3所示为本发明第三实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。
[0027]图4所示为本发明第四实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。
[0028]图5所示为本发明第五实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。
[0029]图6所示为本发明第六实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。
[0030]图7所示为本发明第七实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。
[0031]图8所示为本发明第八实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。
[0032]其中，附图标记说明如下:
[0033]100、200、300、400、500、600、700、800 发光二极管结构
[0034]102基板
[0035]104第一发光二极管
[0036]106第二发光二极管
[0037]108第一电极
[0038]110第一发光层
[0039]112第二电极
[0040]114第三电极
[0041]116第二发光层
[0042]118第四电极
[0043]120电洞传输层
[0044]122电洞注入层
[0045]124电子传输层
[0046]126电子注入层
[0047]202、602缓冲层
[0048]302、702散射粒子
[0049]502、802光转换层
[0050]LI第一光线
[0051]L2第二光线
[0052]L3第三光线
[0053]L4第四光线
【具体实施方式】
[0054]为使熟习本发明所属技术领域的技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的多个优选实施例，并配合附图，详细说明本发明的构成内容。
[0055]请参考图1，图1所示为本发明第一实施例的横向混光的发光二极管结构的剖视示意图。如图1所示，本实施例的发光二极管结构100包括基板102、第一发光二极管104以及第二发光二极管106。第一发光二极管104与第二发光二极管106设置在基板102上，且第二发光二极管106邻近第一发光二极管104设置。基板102可包括玻璃基板、塑料基板或娃晶圆，但不限于此。第一发光二极管104包括第一电极108、第一发光层110以及第二电极112,依序堆叠于基板102上。并且,第二发光二极管106包括第三电极114、第二发光层116以及第四电极118,依序堆叠于基板102上。于本实施例中，第一发光二极管104与第二发光二极管106可分别选择性地还包括电洞传输层120、电洞注入层122、电子传输层124以及电子注入层126。举例来说，当第一电极108与第三电极114分别为第一发光二极管104与第二发光二极管106的阳极时，电洞注入层122与电洞传输层120可依序堆叠于第一电极108上以及堆叠于第三电极114上,且电子传输层124与电子注入层126依序堆叠于第一发光层110上以及第二发光层116上。借此，电子与电洞可通过电洞传输层120、电洞注入层122、电子传输层124以及电子注入层126进入第一发光层110与第二发光层116中,进而提升第一发光层110与第二发光层116产生光线的亮度。于本发明的变化实施例中，第一电极与第二电极也可分别为第一发光二极管的阴极与阳极，且第三电极与第四电极并不限分别为第二发光二极管的阴极与阳极。并且，电洞注入层、电洞传输层、电子注入层以及电子传输层的位置可随着第一发光二极管与第二发光二极管的阳极与阴极的位置来做相对应调整已为所属技术领域的技术人员所熟知，因此在此不再赘述。或者，第一发光二极管与第二发光二极管也可分别仅设置有电洞注入层、电洞传输层、电子注入层以及电子传输层的其中至少一者。此外，本发明的第一发光二极管与第二发光二极管的数量并不限于图1所示，而可分别为至少一个。
[0056]于本实施例中，第一发光层110不仅可受光激发而产生具有一第一峰值波长的第一光线LI，还可受到电激发而产生具有一第四峰值波长的第四光线L4。其中，第一峰值波长可接近第四峰值波长