一种反射电极及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，具体涉及一种反射电极及其制备方法W及在有机 发光二极管和有机发光显示装置中的应用。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管(英文全称为化ganic Li曲t-Emitting Diode,简称为0L邸)是主 动发光器件。相比现有平板显示技术中薄膜晶体管液晶显示器(英文全称Liquid化ystal Display,简称LCD)、等离子体显示面板(英文全称Plasma Display Panel,简称PDP)，使用 有机发光二极管的有机发光显示装置具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有 望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003] 有机发光显示装置按照出光方式分为底发射装置和顶发射装置。底发射装置的阳 极一般选用功函数高(大于4. 5eV)且透明的导电材料制备，如透明的钢锡氧化物（IT0)或 钢锋氧化物（IZ0)等，由有机发光二极管发出的光相继经过透明阳极和透明基板射出。该 装置中，由于像素电路和显示区域要同时制作在透明基板上，导致显示区域面积相对减小， 显示屏的开口率降低。与底发射装置相比，顶发射装置的阴极选用功函数低且透明的材料 制备，使得有机发光二极管发出的光可W从阴极射出，像素电路等可W制作在显示区域的 下方，从而避免了驱动电路与显示区域互相竞争的问题，使得显示装置的开口率大大提高， 具有更高的分辨率。
[0004] 在顶发射装置中，为了得到更高的发光效率，要求阳极为不仅具有较高的功函数 而且还具有高反射率的反射电极。功函数高的导电材料主要包括&、Mo、Ni、Pt等金属W 及ITO、ZnO等金属氧化物，但该些导电材料的反射率同侧很低，用做阳极时发射光的损耗 较大，严重影响显示装置的发光效率。而反射率高达90% W上的导电材料，如A1、Ag W及他 们的合金等，由于功函数值较低，不易与发光层的最高分子占有轨道（HOMO)的能级相匹配， 空穴注入能障过高，严重影响有机发光显示装置的发光效率。另外，功函数较低的金属材料 在大气中的稳定性差，极易被氧化或腐蚀剥离。
[0005] 为解决上述问题，现有技术中常采用具有高功函数值的透明导电材料层夹合具有 高反射率的导电材料层构成层叠结构作为阳极(参见中国专利CN101540377A)。但是，采用 湿法刻蚀对上述阳极进行图案化时，由于功函数高的导电材料与高反射率的导电材料刻蚀 速率相差极大，高反射率的导电材料极易出现过刻蚀现象。如图1所示，使得表层的功函数 较高的透明导电材料层发生向上卷曲现象（图中方框所示部分），由于有机发光二极管中 的发光层很薄，向上卷曲的导电层极易使得阳极与阴极发生短路的；而且，表层的功函数较 高的透明导电材料层发生向上卷曲后，高反射率的导电材料层的边缘就会暴露在空气中， 极易受化和&0的侵蚀。
[0006] 针对上述问题，中国专利CN100472839C公开一种层叠结构及其制造方法及显示 元件和显示单元，其中，使用干法刻蚀工艺可W有效避免刻蚀边缘形貌恶化的问题。但是， 现代化的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空装置，同时配有自动化的刻蚀终点检 测和控制装置，设备成本高昂；而且正如该专利文献所述，刻蚀时产生的金属氯化物等高阻 反应物若不能完全清除，极易影响电极的导电性能。
【发明内容】
[0007]为此，本发明所要解决的是现有技术中作为反射电极的阳极在图案化的过程中刻 蚀边缘易劣化或制备成本高、导电性能不稳定的问题，提供一种性能稳定、制备成本低的反 射电极及其制备方法。
[000引为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
[0009] 本发明所述的一种反射电极，包括依次堆叠设置在衬底上的第一导电层、导电反 射层和第二导电层，所述第二导电层完全包覆所述导电反射层远离所述第一导电层的表面 W及所述导电反射层的侧边；所述第一导电层和/或第二导电层的透光度大于85%。
[0010] 所述第二导电层完全包覆所述第一导电层的侧边，并与所述衬底相接触。
[0011] 所述衬底是平面衬底或曲面衬底，所述衬底表面设置有凸起或凹槽，所述第一导 电层直接形成在所述衬底上，并与所述凸起或所述凹槽表面形状相适配。
[0012] 所述第一导电层的功函数为4. 5~5. 5eV，所述第二导电层的功函数为4. 5~ 5. 5eV;所述第一导电层和所述第二导电层分别独立选自钢、锡、锋、铅中至少一种形成的导 电氧化物层或者媒、金、笛及其合金中的一种或多种所形成的导电层。
[0013] 所述导电反射层的反射率大于90%，所述导电反射层为银、铅及其合金中的一种或 多种形成的一层或多层堆叠结构。
[0014] 所述第一导电层的厚度为70~200A，所述第二导电层的厚度为70~200A，所述 导电反射层的厚度为800~2000A。
[0015] 本发明所述的一种反射电极的制备方法，包括如下步骤：
[0016] S1、在衬底的垂直方向上依次形成由第一导电层材料制得的膜层和由导电反射层 材料制得的膜层；
[0017] S2、采用湿法刻蚀工艺对步骤S1中所制得的两层膜层进行图案化，得到第一导电 层和导电反射层；
[0018] S3、在步骤S2中所制得的导电反射层上直接形成由第二导电层材料制得的膜层， 所述膜层在长度方向和宽度方向上的尺寸均大于步骤S2中所制得的导电反射层的尺寸；
[0019] S4、采用湿法刻蚀工艺对步骤S3中制得的膜层进行图案化，形成完全包覆所述导 电反射层远离第一导电层的表面W及导电反射层的侧边的第二导电层。
[0020] 根据权利要求9所述的一种反射电极的制备方法，其特征在于，步骤S1中形成所 述由第一导电层材料制得的膜层的方法包括旋转涂布、化学气相沉积、喷雾热分解或姗射。
[0021] 步骤S1中形成由导电反射层材料制得的膜层的方法包括蒸锻或姗射。
[0022] 步骤S3中形成由第二导电层材料制得的膜层的方法包括溶胶凝胶、化学气相沉 积、喷雾热分解或姗射。
[0023] 本发明所述的一种有机发光二极管，包括所述的一种反射电极。
[0024] 本发明所述的一种有机发光显示装置，包括所述的一种反射电极。
[0025] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有W下优点：
[0026] 1、本发明所述的一种反射电极，在垂直方向上包括依次堆叠的第一导电层、导电 反射层和第二导电层，所述第二导电层完全包覆所述导电反射层远离所述第一导电层的表 面W及所述导电反射层的侧边，可有效防止所述导电反射层被侵蚀，导电性能稳定；而且， 所述第一导电层和/或第二导电层具有良好的透光性能，使得所述反射电极具有良好的光 线反射能力。
[0027] 2、本发明所述的一种反射电极，所述第一导电层与所述第二导电层的功函数均大 于4. 5eV，可有效降低空穴注入能障，提高应用其的发光元件的发光效率。
[002引 3、本发明所述的一种反射电极的制备方法，通过湿法刻蚀工艺先进行第一导电层 和导电反射层的制备，然后制备完全包覆所述导电反射层远离第一导电层的表面W及导电 反射层的侧边的第二导电层；不但可W避免由于刻蚀速率差引起的刻蚀边缘劣化，从而影 响导电性能不稳定和易短路的问题，而且，采用湿法刻蚀工艺，制备成本低，工艺简单，适合 大规模生产。
[0029] 4、本发明所述的一种有机发光二极管，采用所述的反射电极，电极边缘不会出现 导电反射层受侵蚀W导致的导电性能不稳定和反光性能不稳定的问题，也不会出现第一导 电层或第二导电层卷曲等易导致有机发光二极管短路的问题发生，所述有机发光二极管发 光效率高，性能稳定。
[0030] 5、本发明所述的一种有机发光显示装置，采用所述的反射电极，电极边缘不会出 现导电反射层受侵蚀W导致的导电性能不稳定和反光性能不稳定的问题，也不会出现第一 导电层或第二导电层卷曲等易导致装置短路的问题发生，所述有机发光显示装置发光效率 高，性能稳定。而且，所述有机发光显示装置可制成顶发光装置，开口率高，可有效提升显示 画面的品质。
【附图说明】
[0031] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合 附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0032] 图1是现有技术中通过湿法刻蚀工艺制备的反射电极刻蚀边缘的截面扫描电镜 照片；
[0033] 图2a-图2d是实施例1所述一种反