铝(Al)的合金。阴极216的厚度为约1000埃至约3000埃。功率源218供应电偏压给OLED结构200，如此将发光并可看见光穿过基板202。OLED结构200的有机层包含空穴注入层206、空穴传输层208、发光层210、电子传输层212和电子注入层214。应注意OLED结构不一定要有五层有机层。例如，在一些例子中，只需要空穴传输层208和发光层210。
[0026]图3为根据本发明一实施例，包含封装层320的OLED结构300。OLED结构300包括基板302、阳极304、空穴注入层306、空穴传输层308、发光层310、电子传输层312、电子注入层314和阴极316。OLED结构300连接功率源318。封装层320沉积在OLED结构300上。封装层320具有实质平坦的表面322。表面322位在封装层320与阴极316的界面的对面。应理解虽然OLED结构300显示包括五层有机层，但建构OLED结构300不一定要用五层。
[0027]封装层320的厚度为约4微米至约6微米。封装层320可以喷墨沉积而得。在一实施例中，封装层包含丙稀酸醋(acrylate)、甲基丙稀酸醋(methacrylate)与丙稀酸(acrylic acid)的混合物。在一实施例中，丙稀酸醋占总体混合物的约25体积％至约50体积%。在另一实施例中，丙烯酸酯占总体混合物的约30体积%至约40体积%。
[0028]甲基丙烯酸酯占总体混合物的约10体积％至约25体积％。在一实施例中，甲基丙烯酸酯含量占总体混合物的约15体积％至约20体积％。丙烯酸占总体混合物的约2体积%至约20体积%。在一实施例中，丙烯酸占总体混合物的约2.5体积%至约10体积%。应理解其他添加物当可用来沉积封装层320。
[0029]封装层320覆盖可能出现在OLED结构300上的任何缺陷。封装层320密封该些缺陷。此外，封装层320覆盖OLED结构320上的任何微粒并将微粒密封在封装层320之下。封装层320也可覆盖及密封OLED结构300上的任何空隙。
[0030]封装层320沉积至OLED结构300后，接着加以平坦化，使封装层320的最上层表面322呈实质平坦。封装层320的实质平坦表面322消除了在封装层320之后沉积任何膜层的阶梯覆盖疑虑。故沉积于封装层上的任何层可沉积均匀厚度，其不仅覆盖OLED结构300，还覆盖含该OLED零件的整个装置。
[0031]图4为根据本发明另一实施例，包含封装层406的OLED结构400。OLED结构400包含基板402，其上设有OLED部404。有机封装层406沉积在OLED部404和基板402上。沉积后，平坦化封装层406，使其与OLED部404的界面对面处的表面呈实质平坦。如此，封装层406将具有位于OLED部404上如箭头“A”所示的薄部，和位于基板402上如箭头“B”所示的厚部(相对薄部)。
[0032]多层防水封装结构沉积在封装层406上且达箭头“C”所示的厚度。沉积在封装层406上的第一层408包含硅，且沉积厚度如箭头“D”所示。在一实施例中，第一层408包含氮化娃。在一实施例中，第一层408的厚度为约0.1微米至约0.6微米。
[0033]第二层410沉积在第一层408上。第二层410包含碳。在一实施例中，第二层410的厚度如箭头“E”所示为约0.1微米至约0.6微米。第三层412沉积在第二层410上。第三层412的沉积厚度如箭头“F”所示。在一实施例中，第三层412的厚度为约0.1微米至约0.6微米。第三层412包含硅。在一实施例中，第三层412包含氮化硅。
[0034]第四层414沉积在第三层412上。第四层414包含碳。在一实施例中，第四层414的厚度如箭头“G”所示为约0.1微米至约0.6微米。第五层416沉积在第四层414上。第五层416的沉积厚度如箭头“H”所示。在一实施例中，第五层416的厚度为约0.1微米至约0.6微米。第五层416包含娃。在一实施例中，第五层416包含氮化娃。
[0035]多层防水封装结构的各层可具有实质相同的厚度。相较于未设置封装层406的情况，设置封装层406提供额外的防水作用，并容许多层防水封装结构制作成更薄。无封装层406时，第一层408、第二层410、第三层412、第四层414和第五层416的厚度分别为约3微米至约6微米。由于多层防水封装结构不需覆盖OLED部404的缺陷、微粒或空隙，故多层防水封装结构可更薄。
[0036]通过沉积有机封装层至OLED结构上，可覆盖及密封OLED结构的缺陷、微粒或空隙。沉积后，可平坦化封装层。因平坦表面不会造成后续层的阶梯覆盖情况，故后续沉积层将以均匀厚度不只覆盖OLED结构并且覆盖整个装置。通过覆盖及密封OLED结构和微粒、空隙与缺陷，封装层可减少暗点形成及OLED结构劣化。
[0037]虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。
【主权项】
1.一种有机发光二极管结构，该结构包含: 基板； 有机发光二极管部，置于该基板上，该有机发光二极管形成于一设备中；以及多层防水层封装结构，置于该有机发光二极管部上，该防水封装结构包括一或多个含硅层以及一或多个含碳层，其中该多层防水封装结构的各层具有相同的厚度，该多层防水封装结构形成于所述设备中。
2.如权利要求1所述的结构，其中该有机发光二极管部包含: 透明阳极层； 空穴注入层，置于该透明阳极层上； 该空穴传输层，置于该空穴注入层上； 该发光层，置于该空穴传输层上； 电子注入层，置于该发光层上；以及 阴极层，置于该电子注入层上。
3.如权利要求1所述的结构，其中该一或多个含碳层置于该一或多个含硅层上。
4.如权利要求3所述的结构，其中该一或多个含硅层包含氮化硅。
5.如权利要求4所述的结构，其中该一或多个含硅层和该一或多个含碳层交替设置在该有机发光二极管部上。
6.如权利要求4所述的结构，其中该一或多个含娃层和该一或多个含碳层各自分别具有约0.1微米至约0.6微米的厚度。
7.如权利要求4所述的结构，其中该一或多个含娃层和该一或多个含碳层一共具有约3微米至约6微米的厚度。
8.如权利要求1所述的结构，其中该一或多个含硅层和该一或多个含碳层交替设置在该有机发光二极管部上。
9.一种有机发光二极管制造方法，该方法包含: 利用设备沉积有机发光二极管层迭结构至基板上；以及 利用该设备沉积多层防水层封装结构至该有机发光二极管层迭结构上，该防水封装结构包括一或多个含硅层以及一或多个含碳层，其中该多层防水封装结构的各层具有相同的厚度。
10.如权利要求9所述的方法，其中该一或多个含碳层包含丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯与丙烯酸的混合物。
11.如权利要求10所述的方法，其中该丙烯酸酯包含约25体积％至约50体积％。
12.如权利要求10所述的方法，其中该甲基丙烯酸酯包含约10体积％至约25体积％。
13.如权利要求9所述的方法，还包含: 沉积该一或多个含硅层至该有机发光二极管层迭结构上；以及 沉积该一或多个含碳层至该一或多个含硅层上。
14.如权利要求13所述的方法，其中该一或多个含硅层包含氮化硅。
15.如权利要求9所述的方法，其中该一或多个含硅层包含氮化硅。
【专利摘要】本发明大体上是关于有机发光二极管(OLED)结构和其制造方法。为延长OLED结构的寿命时间，会将封装层沉积至OLED结构上。封装层可完全围住或“封住”OLED结构。封装层在与OLED结构和封装层间的界面的对面具有实质平坦的表面。平坦表面容许后继层均匀沉积于OLED结构上。封装层能减少任何氧气穿透进入OLED结构，故可延长OLED结构的寿命时间。
【IPC分类】H01L51-56, H01L51-52, H01L21-67
【公开号】CN104752626
【申请号】CN201510108961
【发明人】元泰景, 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波, 桑杰伊·D·雅达夫
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2009年2月17日
【公告号】CN101971699A, US7951620, US8404502, US20090230425, US20110297921, WO2009114242A1