切割胶带的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种切割胶带。本发明特别是设及在将半导体晶圆等切断分离（切 害。成元件的小片时用于固定该半导体晶圆等被切断体的切割胶带。
【背景技术】
[0002] W往，W娃、嫁、神等作为材料的半导体晶圆在W大直径状态制造后，切断分离 (切割）成元件小片，进而移送到安装工序。此时，半导体晶圆在贴附并保持于切割胶带的 状态下实施切割工序、洗漆工序、扩张（expand)工序、拾取（pickup)工序、安装工序的各工 序。作为所述切割胶带，使用将丙締酸系粘合剂等的粘合剂层涂布、形成于包含塑料膜的基 材上而成的切割胶带（例如，参照专利文献1)。
[0003] 所述拾取工序，如图5所示，主流是；通过上推针（pickuppin) 12将拾取的半导 体巧片10的下部的切割胶带1W点状或线状提起或者进行互相磨擦，并在促进该半导体巧 片10与切割胶带1剥离的状态下，通过用吸附夹头13等从上部进行真空吸附，拾取半导体 巧片10的方式。
[0004] 现有技术文献 [000引专利文献
[0006] 专利文献1 ;2010-225753号公报
【发明内容】
[0007] 发明要解决的课题
[0008] 然而，半导体元件的薄型化已取得进展，尤其在半导体晶圆的厚度成为lOOumW 下时，对于W往的切割胶带，若如W往那样将上推针快速上推而拾取半导体巧片，则会有产 生因将上推针上推所引起的冲击而使半导体巧片非常容易破裂的问题。因此，若想要为了 抑制对半导体巧片的冲击而将上推针慢慢地举起，则会有拾取时间变长的问题。并且，W往 的切割胶带中，切割胶带与半导体巧片的剥离力在剥离速度越快时越大。因此，即使能够一 边抑制对半导体巧片的冲击一边将上推针快速地上推，在通过上推针促进切割胶带与半导 体巧片的剥离时，若剥离的进行速度快，则剥离力也会变大，故薄型且刚性低的半导体巧片 存在其端部变形而容易引起巧片破裂的问题。因此，在切割胶带与半导体巧片的剥离进行 之前进行待机并在确保充分的剥离面积后，通过吸附夹头的真空吸附拾取半导体巧片，仍 然存在拾取时间变长的问题。
[0009] 因此，本发明的目的在于提供一种在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型半导 体巧片产生巧片破裂，可在短时间效率良好地拾取的切割胶带。
[0010] 解决课题的手段
[0011] 本发明人等为达成上述目的而反复潜屯、研究，结果发现，在基材树脂膜的至少单 侧具有粘合剂层而成的切割胶带，通过使与W#2000研磨的娃镜面晶圆的各种剥离力为规 定的值，可一边抑制半导体晶圆切割时的巧片飞散，一边在拾取工序时即使快速用上推针 等进行上推也不会对巧片施加应力，可无巧片破裂等不良情况而进行拾取，同时可缩短拾 取工序时间。本发明基于该见解而完成。
[0012] 目P，本申请发明的切割胶带，其特征在于，其是在基材树脂膜的至少单侧具有放射 线固化性的粘合剂层、且将晶圆贴合在所述粘合剂层并切割所述晶圆的切割胶带，所述粘 合剂层，相对于选自丙締酸聚合物、己酸己締醋聚合物及具有碳-碳双键的丙締酸系聚合 物中的1种或2种W上的聚合物100质量份，含0. 5~30质量份的邻苯二甲酸醋类，在 23°C、50%RH的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与W#2000研磨的娃 镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0. 5N/25mmW上，在使所述粘合剂层 放射线固化后为0. 05~0. 4N/25mm，并且，关于使所述粘合剂层放射线固化后的、在23°C、 50%RH的条件下且剥离角度90度时的、与W#2000研磨的娃镜面晶圆的剥离力，在将剥离 速度50mm/min下的剥离力设为（i)、且将lOOOmm/min下的剥离力设为（ii)时，（ii)/(i) 为1W下。
[0013] 另外，就上述切割胶带而言，优选所述邻苯二甲酸醋类对水的溶解度为0.1 mg/L W下。
[0014] 发明效果
[0015] 根据本发明，在切割工序后的拾取工序中，不使薄型半导体巧片产生巧片破裂，可 在短时间效率良好地进行拾取。
【附图说明】
[0016] 图1是示意性显示本发明的实施方式的切割胶带的结构的剖视图。
[0017] 图2是示意性显示使用本发明的实施例的切割胶带的切割工序的剖视图。
[0018] 图3是示意性显示使用本发明的实施例的切割胶带的切割工序的剖视图。
[0019] 图4是示意性显示使用本发明的实施例的切割胶带的扩展工序的剖视图。
[0020] 图5是示意性显示使用本发明的实施例的切割胶带的拾取工序的剖视图。
[0021] 具体方式
[0022] W下，对本发明的实施方式加W详细说明。
[0023] 本发明的实施方式的切割胶带1在基材树脂膜2的至少单侧形成有至少1层的粘 合剂层3。图1是显示本发明的放射线固化型的切割胶带1的优选的实施方式的概略剖视 图，切割胶带1具有基材树脂膜2,且在基材树脂膜2上形成有粘合剂层3。另外，在粘合剂 层3上形成有根据需要设置的隔片4。图1中虽然显示了在基材树脂膜2的一个面上设置 有粘合剂层3的切割胶带1，但在基材树脂膜2中也可W在设置有粘合剂层3的另一个面上 设置粘合剂层（未图示）。
[0024] W下，对本实施方式的切割胶带1的各构成要素加W详细说明。
[00幼（基材树脂膜。
[0026] 作为基材树脂膜2,并无特别限制，可从W往的基材树脂膜2中适当选择使用。由 于使用放射线固化性树脂作为粘合剂层3中所用的粘合剂，故基材树脂膜2需要透射放射 线W便能够降低粘合剂层3的粘合力至可拾取切割后被切断而得到的半导体巧片10 (参照 图3)的程度。作为所使用的基材树脂膜2,优选为像聚己締、聚丙締、己締-丙締共聚物及聚 了締那样的聚締姪，像苯己締-氨化异戊二締-苯己締嵌段共聚物、苯己締-异戊二締-苯 己締共聚物、苯己締-氨化了二締-苯己締共聚物及苯己締-氨化异戊二締/了二締-苯 己締共聚物那样的热塑性弹性体，像己締-己酸己締醋共聚物、己締-(甲基）丙締酸共聚 物、己締-(甲基）丙締酸醋共聚物、及己締-(甲基）丙締酸金属盐系离聚物那样的己締共 聚物，聚对苯二甲酸己二醇醋、聚对苯二甲酸了二醇醋、聚碳酸醋、聚甲基丙締酸甲醋等工 程塑料、软质聚氯己締、半硬质聚氯己締、聚醋、聚氨醋、聚酷胺、聚酷亚胺、天然橡胶W及合 成橡胶等高分子材料。另外，也可为选自该些组的2种W上混合而成的材料或多层化而成 的材料，可根据与粘合剂层3的粘接性任意选择。
[0027]基材树脂膜2的厚度并无特别限制，但优选为10~500ym，更优选为40~ 400ym，特别优选为70~250ym。
[002引为了提高密合性，可W对基材树脂膜2的与粘合剂层3接触的面实施电晕处理，也 可实施底涂等处理。
[002引（粘合剂层如
[0030] 若粘合剂层3为放射线固化型的粘合剂层3且具有规定的剥离力，则构成粘合 剂层3的树脂组合物无特别限制，但优选为包含在聚合物侧链或主链中或主链末端具有 碳-碳双键的聚合物的树脂组合物，或优选为在通常的粘合剂中配合紫外线固化性的单体 成分、低聚物成分等紫外线固化树脂而成的树脂组合物。另外，上述树脂组合物优选具有选 自氨基甲酸醋丙締酸醋、环氧丙締酸醋、聚醋丙締酸醋、聚離丙締酸醋、（甲基）丙締酸低聚 物、衣康酸低聚物及己酸己締醋中的至少1种粘合剂作为主成分。
[0031] 作为包含聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的聚合物的树脂组合 物，使用含有丙締酸聚合物（A)和/或己酸己締醋聚合物炬)、与交联剂（C)、及根据需要的 光聚合引发剂值）的粘合剂组合物。进一步，本实施方式中含有邻苯二甲酸醋类巧）。
[0032] (A)丙締酸聚合物
[0033] 作为丙締酸聚合物（A)，可列举W(甲基）丙締酸醋成分为单体主成分（聚合物中 的质量％超过50% )、且共聚有能与该（甲基）丙締酸醋成分共聚且在分子内具有哲基的 单体（含哲基的单体）成分的丙締酸聚合物等。本说明书中，所谓（甲基）丙締酸醋，包括 丙締酸醋和甲基丙締酸醋两者。
[0034] 作为丙締酸聚合物（A)中的、作为单体主成分的（甲基）丙締酸醋成分，可列举例 如（甲基）丙締酸甲醋、（甲基）丙締酸己醋、（甲基）丙締酸丙醋、（甲基）丙締酸异丙醋、 (甲基）丙締酸了醋、（甲基）丙締酸异了醋、（甲基）丙締酸仲了醋、（甲基）丙締酸叔了 醋、（甲基）丙締酸戊醋、（甲基）丙締酸己醋、（甲基）丙締酸庚醋、（甲基）丙締酸辛醋、 (甲基）丙締酸异辛醋、（甲基）丙締酸2-己基己醋、（甲基）丙締酸壬醋、（甲基）丙締 酸异壬醋、（甲基）丙締酸癸醋、（甲基）丙締酸异癸醋、（甲基）丙締酸十一烧醋、（甲基） 丙締酸十二烧醋、（甲基）丙締酸十S烧醋、（甲基）丙締酸十四烧醋、（甲基）丙締酸十五 烧醋、（甲基）丙締酸十六烧醋、（甲基）丙締酸十走烧醋、（甲基）丙締酸十八烧醋等（甲 基）丙締酸烷基醋；（甲基）丙締酸环己醋等（甲基）丙締酸环烷基醋；（甲基）丙締酸苯 醋等（甲基）丙締酸芳基醋等。（甲基）丙締酸醋可单独使用或组合2种W上使用。
[0035] 丙締酸聚合物（A)优选经由交联剂似的多异氯酸醋和氨基甲酸醋键与聚離多元 醇反应，同时用交联剂使其交联来提高质均分子量（Mw)。该情况下，丙締酸聚合物（A)需要 对主链键合有哲基。对主链键合有哲基的丙締酸聚合物（A)能与所述（甲基）丙締酸醋进 行共聚，且可通过将具有哲基的单体共聚而得。作为能与（甲基）丙締酸醋共聚且具有哲 基的单体，可列举（甲基）丙締酸2-哲基己醋、（甲基）丙締酸2-哲