探针装置和晶片输送系统的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及探针装置和晶片输送系统。
【背景技术】
[0002]在半导体器件的制造步骤中，探针装置用于进行形成于半导体晶片的半导体器件的电检查。作为这样的探针装置，结构上包括:使探针与在载置台上的半导体晶片上形成的半导体器件的电极接触来进行电的测定的测定部；载置晶片载置件(晶片盒或者F0UP)的装载口 ；和具有在晶片载置件与载置台之间输送半导体晶片的输送机构的输送单元，作为输送机构已知具有晶片输送臂的机构(例如，参照专利文献I)。此外，在历来的探针装置中，真空吸附半导体晶片将其输送至晶片输送臂。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2008-235845号公报
【发明内容】
[0006]发明要解决的课题
[0007]但是，在半导体晶片翘曲的情况下，存在不能真空吸附半导体晶片发生输送错误而探针装置停止的问题。能够预想到例如由于随着功率半导体的需要增加而推进的半导体晶片的薄化，这样的因半导体晶片翘曲而探针装置停止的问题深刻化。
[0008]本发明的目的是提供即使在半导体晶片翘曲的情况下也能够通过吸附保持半导体晶片而能够抑制输送错误等的发生的探针装置和晶片输送系统。
[0009]用于解决课题的技术方案
[0010]为了解决上述课题，根据本发明，提供一种探针装置，其在载置台之上进行形成于半导体晶片的半导体器件的电测定，该探针装置包括:测定部，其使探针与载置于上述载置台之上的上述半导体晶片的上述半导体器件接触来进行电测定；装载口，其用于载置收纳上述半导体晶片的晶片载置件；晶片输送机构，其具有真空吸附上述半导体晶片的吸附部，在上述晶片载置件与上述载置台之间输送上述半导体晶片；和气体喷出机构，其在将上述晶片载置件收纳的上述半导体晶片真空吸附在上述吸附部时，对上述半导体晶片的上表面喷出气体。
[0011]在本发明中，优选上述气体喷出机构构成为对上述半导体晶片的中央部喷出气体。
[0012]在本发明中，优选上述气体喷出机构具有喷出上述气体的喷嘴，上述喷嘴的基端部被固定于旋转驱动机构，该旋转驱动机构使上述喷嘴在上述喷嘴的整体不存在于上述半导体晶片的上方的待机位置与上述喷嘴的前端部位于上述半导体晶片的上方的气体喷出位置之间旋转。
[0013]为了解决上述课题，根据本发明，提供一种晶片输送系统，其包括:装载口，其用于载置收纳半导体晶片的晶片载置件；晶片输送机构，其具有真空吸附上述半导体晶片的吸附部，在上述晶片载置件与上述载置台之间输送上述半导体晶片；和气体喷出机构，其在将上述晶片载置件收纳的上述半导体晶片真空吸附在上述吸附部上时，对上述半导体晶片的上表面喷出气体。
[0014]在本发明中，优选上述气体喷出机构构成为对上述半导体晶片的中央部喷出气体。
[0015]在本发明中，优选上述气体喷出机构具有喷出上述气体的喷嘴，上述喷嘴的基端部被固定于旋转驱动机构，该旋转驱动机构使上述喷嘴在上述喷嘴的整体不存在于上述半导体晶片的上方的待机位置与上述喷嘴的前端部位于上述半导体晶片的上方的气体喷出位置之间旋转。
[0016]发明效果
[0017]根据本发明，即使在半导体晶片翘曲的情况下也能够吸附保持半导体晶片，由此能够抑制输送错误等的发生。
【附图说明】
[0018]图1是概略表示本发明的实施方式的探针装置的结构的俯视图。
[0019]图2是概略表示图1的装载部的结构的主视图。
[0020]图3A是用于说明图2中的气体喷嘴的整体不存在于半导体晶片的上方的待机位置的图。
[0021]图3B是用于说明图2中的气体喷嘴的前端部位于半导体晶片的中央部上方的气体喷出位置的图。
[0022]图4是表示从图3B中的气体喷嘴向半导体晶片喷出气体的气辅处理的次序的流程图。
[0023]图5是表示图3A和图3B中的输送臂的变形例的俯视图。
[0024]图6是用于说明使用图5的输送臂真空吸附半导体晶片的方法的图。
【具体实施方式】
[0025]以下参照图面说明本发明的实施方式。
[0026]图1是概略表示本发明的实施方式的探针装置的结构的俯视图。
[0027]图1的探针装置100包括测定部110和作为输送单元的装载部150。测定部110具有能够在前后、左右或者上下移动并且用于载置半导体晶片W的载置台111，通过载置台111的驱动使未图示的探针卡所具有的探针与在半导体晶片W上形成的多个半导体器件的电极接触来测定半导体器件的电特性。
[0028]装载部150具有装载口 152，且以与装载口 152邻接的方式具有晶片输送机构160，该装载口 152在其前方侧(在图1中为下侧)载置作为收纳半导体晶片W的晶片载置件的晶片盒151。此外，装载部150在其后侧(在图1中为上侧)具有对位机构170。对位机构170使半导体晶片W旋转来检测半导体晶片W的缺口的位置与半导体晶片W的偏心的状态。
[0029]晶片输送机构160具有用于真空吸附半导体晶片W进行输送的晶片输送臂161，晶片输送臂161具有多个(本实施方式中为两个)用于真空吸附半导体晶片W的吸附部(吸附垫)162。在吸附部162上连接有与真空泵等吸引源连接的真空线路(图1中未图示)。此外，也可以根据需要在上下重叠具有多个晶片输送臂161。
[0030]晶片输送机构160通过向晶片输送臂161的前后、左右或者上下的移动和旋转在载置于装载口 152的晶片盒151、对位机构170和测定部110的载置台111之间输送半导体晶片W。
[0031]装载口 152通过未图示的上下动机构能够自由上下动，支承架153位于装载口 152与晶片输送机构160之间并且具有未图示的光学检测器。而且，光学检测器，通过使装载口152上下动而使载置于装载口 152的晶片盒151上下动且检测半导体晶片W的有无，并且检测配置有半导体晶片W的晶片盒151内的槽口。
[0032]此外，上述支承架153具有气体喷出机构154。气体喷出机构154具有由管状的部件形成的气体喷嘴155 (图2、图3A和图3B)。气体喷嘴155的基端部固定于支承架153所具有的下述的旋转驱动机构156。而且，旋转驱动机构156，在气体喷嘴155的整体不存在于半导体晶片W的上方的待机位置(图3A)与气体喷嘴155的前端部位于半导体晶片W的中央部上方的气体喷出位置(图3B)之间，能够以固定于旋转驱动机构156的气体喷嘴155的基端部为轴使气体喷嘴155旋转。
[0033]在本实施方式中，晶片盒151如图2所示为能够收纳具有翘曲的半导体晶片W的结构，与通常的晶片盒相比槽口的间隔宽，例如设定为5?6倍左右(槽口节距例如为23mm?29mm左右)。此外，槽口数比通常的晶片盒少，例如为6?8左右。
[0034]在用输送机构160的晶片输送臂161吸附保持晶片盒151内的具有翘曲的半导体晶片W时，如图2和图3B所示，利用气体喷嘴155从半导体晶片W的上侧(上表面)的大致中央部向下侧喷出气体(本实施方式中为空气)而通过气体的压力向下方推压半导体晶片W的中央部，由此减少半导体晶片W的翘曲来用晶片输送臂161吸附半导体晶片W。
[0035]具体而言，如图2所示，利用晶片输送臂161从半导体晶片W的下侧吸附保持以中央部向上侧成为凸状的方式翘曲的半导体晶片W时，对晶片输送臂161的吸附部162与半导体晶片W的背面之间产生间隔的半导体晶片W进行真空吸附变得困难。因而，本实施方式中，气体喷嘴155从半导体晶片W的上侧的大致中央部向下侧喷出气体，晶片输送臂161对以气体的压力按压半导体晶片W的中央部的状态的半导体晶片W进行真空吸附。由此，晶片输送臂161实质上在半导体晶片W的翘曲减少了的状态下真空吸附半导体晶片W，能够以更高的概率吸附保持有翘曲的半导体晶片W。
[0036]图4是表不从图3B中的气体喷嘴155向半导体晶片W喷出气体的气辅处理的顺序的流程图。
[0037]在图4中，首先旋转驱动机构156使位于待机位置(图3A)的气体喷嘴155旋转来使气体喷嘴155的前端部位于半导体晶片W的中央部上方的气体喷出位置(步骤S401)，并且晶片