测量标记结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种测量标记结构，特别是涉及一种整合于片段裁切(segment-cutting)制作工艺的测量标记结构。
【背景技术】
[0002]随着集成电路制作工艺的线宽持续缩小，决定晶片光刻制作工艺的关键因素，除了临界尺寸(critical dimens1n)之外，另一者即为对准精确度(alignment accuracy)。因为一旦对准精确度降低，将使得前层图案与当层图案无法连贯，而导致元件或整个集成电路的失效。因此，对准精确度的量测在半导体制作工艺中为极重要的一环。也因此，在半导体制作工艺中，多在晶片以及各材料层上设置各种适当的测量标记，例如对准测量标记(alignment measurement mark)或叠对测量标记(overlay measurement mark)等来增加对准精确度。
[0003]然而，测量标记本身的图案或结构也可能影响到对准精确度的测量结果。举例来说，在FinFET制作工艺中，在制作用以容置源极/漏极的鳍片层时，在晶片上同时形成的叠对标记常发生边缘粗糙(edge roughness)的问题,而此边缘粗糙的问题在进行叠对记号扫描时，常造成对准或叠对的测量偏差(measurement deviat1n),而影响到对准精确度的测量结果。
【发明内容】
[0004]因此，本发明的目的在于提供一种测量标记结构，可避免边缘粗糙，并提高对准精确度的测量结果。
[0005]本发明，提供一种测量标记结构，该测量标记结构包含有一记号图案(markpattern)以及一对设置于该记号图案两侧的辅助条(assistant bar)。该记号图案还包含多个片段(segment)，该多个片段沿一第一方向排列，该对辅助条则沿该第一方向延伸。
[0006]本发明另提供一种测量标记结构，该测量标记结构包含有一基底、多个设置于该基底上的第一记号图案、以及多对设置于该基底上的第一辅助条。该多个第一记号图案分别夹设于一对第一辅助条之间，且分别包含有多个第一片段。该多个第一片段沿一第一方向排列，该多对第一辅助条则沿该第一方向延伸。
[0007]根据本发明所提供的测量标记结构，任一记号图案的两侧都分别设置有延伸方向与记号图案排列方向相同的辅助条。在扫描记号图案时，该多对辅助条可避免记号图案发生边缘粗糙的问题，故可提高对准精确度的测量结果。
【附图说明】
[0008]图1至图4为本发明所提供的一测量标记结构的一第一优选实施例的示意图。
[0009]图5为本发明所提供的测量标记结构的一第二优选实施例的示意图。
[0010]图6至图7分别为第二优选实施例的一变化型的示意图。
[0011]主要元件符号说明
[0012]100、100a、100b、10c测量标记结构
[0013]102基底
[0014]110第一轴心图案
[0015]112第二轴心图案
[0016]120第一间隙壁
[0017]122第二间隙壁
[0018]130、140记号图案
[0019]130a、140a片段
[0020]132、142辅助条
[0021]Dl第一方向
[0022]D2第二方向
[0023]LI记号图案的长度
[0024]L2辅助条的长度
[0025]SI扫描方向
[0026]XX 方向
[0027]YY 方向
【具体实施方式】
[0028]请参阅图1至图4，图1至图4为本发明所提供的一测量标记结构的一第一优选实施例的示意图。如图1所示，本优选实施例提供一测量标记结构100,其制作方法首先提供一基底102，基底102上形成多个第一轴心(mandrel)图案110与多个第二轴心图案112。熟悉该项技术的人士应知，测量标记结构的制作与半导体制作工艺中某一特定材料层与元件的制作同步进行，以确保当层与前层以及后层电路图案的是否对准，而得以完成集成电路的建构。而在本优选实施例中，测量标记结构100与FinFET的鳍片层整合制作，故熟悉该项技术的人士应知，在制作第一轴心图案110与第二轴心图案112时，基底100的主动区域(有源区域)内还分别形成多个轴心图案(图未示)。也因此，在本优选实施例中，第一轴心图案110与第二轴心图案112可包含多晶硅，但不限于此。
[0029]请继续参阅图1。第一轴心图案110与第二轴心图案112都为长条状图案，且第一轴心图案110与第二轴心图案112交错设置。更重要的是，任一第一轴心图案110的两侧，必定分别设置一第二轴心图案112。另外需注意的是，第二轴心图案112的尺寸甚大于第一轴心图案110的尺寸。第一轴心图案110沿一第一方向Dl排列，且各第一轴心图案110沿一第二方向D2延伸；而长条状的第二轴心图案112则沿第一方向Dl延伸。如图1所示，第一方向Dl与第二方向D2彼此垂直。
[0030]请参阅图2。接下来，在基底102上形成一间隙壁层(图未示)，间隙壁可包含氧化娃、氮化娃、氮氧化娃和/或其他蚀刻率异于轴心图案110/112的合适材料。随后对间隙壁层进行一回蚀刻，而在第一轴心图案110与第二轴心图案112的侧壁分别形成第一间隙壁120与第二间隙壁122。如前所述，由于测量记号结构100与FinFET制作工艺整合，且是提供鳍片层与前、后层图案对准精确度的测量，故在形成第一间隙壁120与第二间隙壁122的同时，在基底102的主动区域内的轴心图案的侧壁也分别形成一间隙壁(图未示)。
[0031]请参阅图3。在形成第一间隙壁120与第二间隙壁122之后，本优选实施例还移除第一轴心图案110与第二轴心图案112。这样，基底102上剩下空心环状的第一间隙壁120与第二间隙壁122。当然，本优选实施例同时移除主动区域内的轴心图案，故主动区域内也剩下空心环状的间隙壁(图未示)。
[0032]请参阅图4。在移除基底102上所有的轴心图案(包含第一轴心图案110、第二轴心图案112与主动区域内未示的轴心图案)之后,还进行一鳍片制作工艺(fin-cutting)步骤。鳍片裁切制作工艺将主动区域内非必要的间隙壁移除，这样主动区域内剩余的间隙壁定义用以形成元件如源极/漏极的鳍片层的位置、宽度与间隔(Pitch)等特征。值得注意的是，此一鳍片裁切步骤同时移除部分第一间隙壁120与部分第二间隙壁122，而在基底100上形成如图4所示的多个记号图案130与多个辅助条132，而记号图案130与辅助条132即构成本优选实施例所提供的测量标记结构100。
[0033]请再参阅图4。需注意的是，本优选实施例所提供的测量标记结构100包含多个记号图案130与多对辅助条132。记号图案130分别包含多个片段130a，而辅助条132与各记号图案130的片段130a都包含长条状图形，各片段130a沿第一方向Dl排列，并沿第二方向D2延伸；而各辅助条132则沿第一方向Dl延伸。如前所述，第一方向Dl与第二方向D2彼此垂直。各记号图案130具有一长度LI，该长度LI为其片段130a的宽度与片段130a的间隔宽度的总和；而辅助条132则具有一长度L2。如图4所示，辅助条132的长度L2大于记号图案130的长度LI。
[0034]请继续参阅图4。根据本优选实施例，各对辅助条132设置于记号图案130的两侦U。换句话说，各记号图案130分别夹设于一对辅助条132之间。因此，各记号图案130通过二个分属不同对的辅助条132与基底102彼此分离；而此二个不同对的辅助条132则通过基底102彼此分离。如图4所不,任一记号图案130与其两侧的一对辅助条132构成一梯状(ladder)图形:记号图案130的片段130a构成梯状图形的梯级，而该对辅助条132该梯状图形的梯架。另外需注意的是，记号图案130的各片段130a与记号图案130两侧的该对辅助条132实体上彼此分离，并不接触。
[0035]根据本优选实施例，第