一方向Dl垂直一扫描方向SI,而第二方向D2平行扫描方向SI。因此，任一记号图案130内的各片段130a都平行扫描方向SI，而各辅助条132都垂直扫描方向SI。另外需注意的是，在本优选实施例中，记号图案130为在扫描测量标记结构100具有实际意义的结构。举例来说，在测量叠对精确度时，即是扫描记号图案130并将其与前层或后层的测量标记比对。更重要的是，由于本优选实施例所提供的测量标记结构100中,任一记号图案130的两侧都设置有垂直于扫描方向SI的辅助条132。也就是说,凡是延伸方向平行于扫描方向SI的片段130a的两端,都设置有垂直于扫描方向SI的辅助条132。而辅助条132的设置可避免记号图案130两侧发生边缘粗糙的问题，故可有效地提高对准精确度的测量结果。
[0036]请参阅图5，图5为本发明所提供的测量标记结构的一第二优选实施例的示意图。首先需注意的是，第二优选实施例中与第一优选实施例相同的组成元件包含相同的符号说明，以及相同的空间关系，且可通过相同的制作工艺步骤形成于基底102上，故在此不再赘述。第二优选实施例与第一优选实施例不同之处在于，第二优选实施例所提供的测量标记结构10a还包含多个记号图案140与多对辅助条142设置于基底102上，且记号图案140分别夹设于一对辅助条142之间。记号图案140分别包含多个片段140a，且片段140a与辅助条142都为长条形图形。更重要的是，记号图案140的片段140a沿第二方向D2排列，而辅助条142则沿第二方向D2延伸。另外，记号图案140的各片段140a沿第一方向Dl延伸。另外，辅助条142的长度大于记号图案140的长度(片段140a的宽度与片段140a的间隔宽度的总和)。任一记号图案140与其两侧的辅助条142也构成一梯状图形:记号图案140的片段140a构成梯状图形的梯级，而该对辅助条142则构成梯状图形的梯架。另外需注意的是，记号图案140的各片段140a、辅助条142、记号图案130的各片段130a与辅助条132实体上彼此分离并不接触。
[0037]在本优选实施例中，第一方向Dl平行Y方向；而第二方向D2则平行X方向。故本优选实施例提供了排列方向平行Y方向的记号图案130,以及排列方向平行X方向的记号图案140。同理，本优选实施例还提供了延伸方向平行Y方向的辅助条132，以及延伸方向平行X方向的辅助条142，且任一记号图案130/140的两侧都分别设置有辅助条132/142。因此，不论是在X方向或Y方向上，本优选实施例都可通过记号图案130/140两侧的辅助条132/142避免记号图案130/140发生边缘粗糙的问题，故可有效地改善对准精确度的测量结果。
[0038]另外请参阅图6至图7，图6至图7分别为第二优选实施例的一变化型的示意图。如图6与图7所示，本优选实施例所提供的测量标记结构10b与测量标记结构10c都包含多个记号图案130与记号图案140，记号图案130沿Y方向排列，记号图案140则沿X方向排列。各记号图案130包含多个片段130a，同理各记号图案140包含多个片段140a。更重要的是，任一记号图案130夹设于一对辅助条132之间，任一记号图案140则夹设于一对辅助条142之间。辅助条132沿Y方向延伸，而辅助条142则沿X方向延伸。另外需注意的是，辅助条132的长度大于记号图案130的长度(包含片段130a的宽度与片段130a的间隔宽度)，同理辅助条142的长度大于记号图案140的长度(包含片段140a的宽度与片段140a的间隔览度)。
[0039]熟悉该项技术的人士应知，在半导体制作工艺中，测量标记优选为能同时提供X方向与Y方向的对准精确度，故第二优选实施例及其变化型所提供的测量标记结构100a、10b与10c可满足X方向与Y方向对准需求。且根据记号图案130、辅助条132、记号图案140与辅助条142的排列组合，本发明所提供测量标记结构10a?10c可包含不同的图形，且不限于测量标记结构10a?10c所例示的图形。也就是说，本优选实施例可满足各种测量标记的需求。
[0040]根据本发明所提供的测量标记结构，无论在X方向或Y方向上，凡是有测量意义的记号图案的两侧都分别设置有延伸方向与记号图案排列方向相同的辅助条。在扫描测量标记结构时，该多对辅助条可避免记号图案发生边缘粗糙的提高，故可提高对准精确度的测量结果。此外，本发明所提供的测量标记结构更不限于FinFET的鳍片层制作工艺，凡采用片段裁切(segment-cutting)方法的半导体制作工艺都可形成如本发明所提供的测量标记结构，故本发明所提供的测量标记结构还具有极佳的制作工艺弹性与应用性。
[0041]以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。
【主权项】
1.一种测量标记结构，包含有: 记号图案(mark pattern),包含有多个片段(segment),且该多个片段沿一第一方向排列；以及 一对辅助条(assistant bar)，设置于该记号图案的两侧，且该对辅助条沿该第一方向延伸。2.如权利要求1所述的测量标记结构，其中该第一方向与一扫描方向垂直。3.如权利要求2所述的测量标记结构，其中该多个片段沿一第二方向延伸，且该第二方向垂直于该第一方向。4.如权利要求1所述的测量标记结构，其中该记号图案与该对辅助条形成一梯状图形。5.如权利要求4所述的测量标记结构，其中该记号图案的该多个片段构成该梯状图形的梯级，而该对辅助条构成该梯状图形的梯架。6.如权利要求1所述的测量标记结构，其中该记号图案的该多个片段与该对辅助条彼此分离。7.如权利要求1所述的测量标记结构，其该对辅助条的一长度大于该记号图案的一长度。8.一种测量标记结构，包含有: 基底； 多个第一记号图案，设置于该基底上，该多个第一记号图案分别包含有多个第一片段，该多个第一片段沿一第一方向排列；以及 多对第一辅助条，设置于该基底上，该多个第一记号图案分别夹设于一对第一辅助条之间，且该多对第一辅助条沿该第一方向延伸。9.如权利要求8所述的测量标记结构,其中该第一方向垂直一扫描方向。10.如权利要求8所述的测量标记结构，其中各该第一记号图案的该多个第一片段都沿一第二方向延伸，且该第二方向垂直于该第一方向。11.如权利要求10所述的测量标记结构，还包含: 多个第二记号图案，设置于该基底上，该多个第二记号图案分别包含有多个第二片段，且该多个第二片段沿该第二方向排列；以及 多对第二辅助条，设置于该基底上，该多个第二记号图案分别夹设于一对第二辅助条之间，且该多对第二辅助条沿该第二方向延伸。12.如权利要求11所述的测量标记结构，其中该多个第一记号图案、该多对第一辅助条、该多个第二记号图案与该多对第二辅助条彼此分离。13.如权利要求8所述的测量标记结构，其中各该第一记号图案通过二个不同对的第一辅助条与该基底彼此分离。14.如权利要求13所述的测量标记结构，其中不同对的该多个第一辅助条通过该基底彼此分尚。15.如权利要求8所述的测量标记结构,其中任一该第一记号图案与该第一记号图案两侧的该对第一辅助条形成一梯状图形。16.如权利要求15所述的测量标记结构，其中该多个第一记号图案的该多个第一片段构成该梯状图形的梯级，而该多对第一辅助条构成该梯状图形的梯架。17.如权利要求16所述的测量标记结构，其中该多个第一记号图案的该多个第一片段与该多对第一辅助条彼此分尚。18.如权利要求8所述的测量标记结构，其中该多对第一辅助条的一长度大于该多个第一记号图案的一长度。
【专利摘要】本发明公开一种测量标记结构，其包含有一记号图案以及一对设置于该记号图案两侧的辅助条。该记号图案还包含多个片段，该多个片段沿一第一方向排列，该对辅助条则沿该第一方向延伸。
【IPC分类】H01L23/544
【公开号】CN104952844
【申请号】CN201410120448
【发明人】刘恩铨, 洪圭钧, 尤春祺
【申请人】联华电子股份有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2014年3月27日