El显示装置及el显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及EL显示装置及EL显示装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]对于搭载于便携设备等小型设备上等、要求高精细且小型的全彩色的电致发光(以下记为“EL”)显示装置而言，各个像素的尺寸变小，将作为发光层的EL层涂布划分为按每个像素具有不同发色光的EL层是困难的，因此提出了彩色滤光片方式。
[0003]在上述方式的EL显示装置中，像例如JP 2002-299044 A中所公开的那样，设置跨越全部像素的共同的白色发光层，并在其上部配置彩色滤光片，由此实现全彩色显示。
[0004]在制造通常所谓的平面显示器时，为了削减平均一个制品的成本及前置时间(lead time)，下述方法被广泛采用:依据所谓的拼板的要领，在大张玻璃基板(被称为母玻璃(mother glass))上制作多个显示装置，在工序结束后，对母玻璃进行切割，得到多个单独的显示装置。
[0005]此处，在以跨越母玻璃的整个面的方式形成发光层，制作多个显示装置后，对母玻璃进行切割时，在其切割面内，发光层露出至外部。此处，由于发光层中使用的EL材料对水分和氧不稳定，因此发光层会因从该露出部侵入的水分和氧而劣化。
【发明内容】
[0006]本发明是鉴于上述观点而完成的，其目的是，在彩色滤光片方式的EL显示装置中，防止发光层的劣化，并且，使能够采用拼板的方法进行制造，以及减少其制造时的成本。
[0007]在本申请中所公开的发明中，若对代表性发明的概要进行简单说明，则如下所述。
[0008](I) 一种EL显示装置，具有下部电极、绝缘层、白色发光的EL层、上部电极和密封层，所述下部电极和所述绝缘层按每个像素形成于阵列基板(array substrate)上，所述EL层以跨越复数个像素的方式形成于所述下部电极和所述绝缘层的上层，所述上部电极以跨越复数个像素的方式形成于所述EL层的上层，所述密封层形成于所述上部电极的上层，在边框区域，所述上部电极和所述绝缘层以围绕显示区域的方式相接触，或者，所述密封层和所述绝缘层以围绕显示区域的方式相接触。
[0009](2)如(I)所述的EL显示装置，其中，在所述边框区域，所述上部电极和所述绝缘层以围绕所述显示区域的方式相接触，并且，所述密封层和所述绝缘层以围绕所述显示区域的方式相接触。
[0010](3)如⑴或⑵所述的EL显示装置，其中，在所述边框区域，在所述EL层或所述EL层和所述上部电极上以围绕所述显示区域的方式形成槽，所述上部电极和所述绝缘层、或者所述密封层和所述绝缘层在所述槽中相接触。
[0011](4)如(3)所述的EL显示装置，其中，所述上部电极和所述绝缘层在所述槽中相接触，所述密封层和所述绝缘层在所述槽的外周侧相接触。
[0012](5)如(I)所述的EL显示装置，其中，在所述上部电极的上层形成第2密封层，所述密封层和所述绝缘层在所述第2密封层的外周侧相接触。
[0013](6) 一种EL显示装置的制造方法，包括下述工序:按每个像素在阵列母基板上形成下部电极和绝缘层；以跨越复数个像素的方式在所述下部电极和所述绝缘层的上层形成白色发光的EL层；在边框区域，以围绕显示区域的方式部分地除去所述EL层；以跨越复数个像素的方式在所述EL层的上层形成上部电极，以围绕所述显示区域的方式使所述上部电极与所述绝缘层接触。
[0014](7) 一种EL显示装置的制造方法，包括下述工序:按每个像素在阵列母基板上形成下部电极和绝缘层；以跨越复数个像素的方式在所述下部电极和所述绝缘层的上层形成白色发光的EL层；以跨越复数个像素的方式在所述EL层的上层形成上部电极；在边框区域，以围绕显示区域的方式部分地除去所述EL层和所述上部电极；在所述上部电极的上层形成密封层，以围绕所述显示区域的方式使所述密封层与所述绝缘层接触。
[0015](8)如(6)或(7)所述的EL显示装置的制造方法，其中，所述边框区域内的所述EL层的除去或所述EL层和所述上部电极的除去通过激光消融(laser abras1n)法、或者通过剥离预先形成于所述绝缘层上的牺牲层来进行。
[0016](9)如(7)所述的EL显示装置的制造方法，其中，所述边框区域内的所述EL层和所述上部电极的除去通过干蚀刻来进行，所述干蚀刻将形成于所述上部电极的上层的第2密封层作为保护层。
【附图说明】
[0017][图1]是本发明的第I实施方式的EL显示装置的分解透视简图。
[0018][图2]是表示制造中途的EL显示装置形成于分割前的母玻璃上的状态的透视简图。
[0019][图3]是由图2的II1-1II线得到的截面的示意图。
[0020][图4]是关于本发明的第2实施方式的EL显示装置的、由图2的II1-1II线得到的截面的示意图。
[0021][图5]是关于本发明的第3实施方式的EL显示装置的、由图2的II1-1II线得到的截面的示意图。
[0022][图6]是关于本发明的第4实施方式的EL显示装置的、由图2的II1-1II线得到的截面的示意图。
[0023][图7]是关于本发明的第5实施方式的EL显示装置的、由图2的II1-1II线得到的截面的示意图。
[0024][图8]是关于本发明的第6实施方式的EL显示装置的、由图2的II1-1II线得到的截面的示意图。
[0025]附图标记说曰月
[0026]1:阵列基板；2:电路层；3:反射层；4:下部电极；5:像素分离膜；6:EL层；7:上部电极;8:密封层；9:密封基板；10:黑矩阵(black matrix) ；11:彩色滤光片；12:保护层(overcoat layer) ；13:填充剂；14:密封材料；15:第2密封层；20:像素；21:显示区域；22:扫描电路；23:扫描信号线；24:驱动电路；25:视频信号线；26:FPC ；27:边框区域；28:槽;100，200，300，400，500，600:EL显示装置；101:阵列母基板；109:密封母基板；110:切割线；111:废弃区域。
【具体实施方式】
[0027][第I实施方式]
[0028]以下，参照附图对本发明的第I实施方式的EL显示装置100进行说明。
[0029]图1是本发明的第I实施方式的EL显示装置100的分解透视简图。EL显示装置100中，在矩形的阵列基板I的前表面上设置有矩形的显示区域21，所述显示区域21是配置有像素20的区域。以与显示区域21的左右任一边或两侧的边相邻的方式配置扫描电路22。本实施方式中，仅在显示区域21的左侧设置了扫描电路22。多条扫描信号线23从扫描电路22延伸至显示区域21。需要说明的是，对于扫描电路22，可以像图示那样利用所谓的SOG (System On Glass)等方法直接在阵列基板I的表面上制作电路本身从而进行设置，也可以通过封装半导体芯片来进行设置。此外，以与显示区域21的近身侧的边相邻的方式设置驱动电路24。多条视频信号线25从驱动电路24延伸至显示区域21，与扫描信号线23正交。以与该扫描信号线23和视频信号线25相连接的方式配置一个像素20。需要说明的是，驱动电路24可以与扫描电路22同样地直接制作于阵列基板I的表面上而进行设置，但本实施方式中是通过封装半导体芯片而设置的。FPC(Flexible Printed Circuit，柔性线路板)26与驱动电路24相连接，使得图像数据从外部设备供给至驱动电路24。
[0030]进而，在阵列基板I的前表面侧配置密封基板9。在密封基板9的后表面，彩色滤光片11形成在与显示区域21的各像素20相对应的位置上(图中用虚线表示)。此外，密封基板9比阵列基板I的尺寸小，使得驱动电路24及FPC26不被密封基板9覆盖而露出。本实施方式中，密封基板9的图中进深方向(长边)的尺寸比阵列基板I的进深方向的尺寸小，密封基板9的图中宽度方向(短边)的尺寸与阵列