封装结构的制法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种封装结构的制法，尤指一种能简化制程的封装结构的制法。
【背景技术】
[0002]随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂堆加多个封装件以形成封装堆栈结构(Package on Package,POP),此种封装方式能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子组件，例如:内存、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，藉由堆栈设计达到系统的整合，适合应用于轻薄型各种电子产品。
[0003]一般封装堆栈结构(PoP)仅以焊锡球(solder ball)堆栈与电性连接上、下封装件，但随着产品尺寸规格与线距越来越小，该些焊锡球之间容易发生桥接(bridge)现象,将影响产品的良率。
[0004]于是，遂发展出一种封装堆栈结构，其以铜柱(Cu pillar)作支撑，以增加隔离(stand off)效果，可避免发生桥接现象。图1A及图1B为现有封装堆栈结构1的制法的剖面示意图。
[0005]如图1A所示，先提供一具有相对的第一及第二表面11a，lib的第一基板11，且于该第一基板11的第一表面11a上形成多个铜柱13。
[0006]如图1B所示，设置一电子组件15于该第一表面11a上且以覆晶方式电性连接该第一基板11，再叠设一第二基板12于该铜柱13上，之后形成封装胶体16于该第一基板11的第一表面11a与该第二基板12之间。具体地，该第二基板12藉由多个导电组件17结合该铜柱13，且该导电组件17由金属柱170与焊锡材料171构成。
[0007]然而，现有封装堆栈结构1中，该铜柱13以电镀形成，致使其尺寸变异不易控制，所以容易发生各铜柱13的高度不一致的情况，因而产生接点偏移的问题，致使该些导电组件17与该些铜柱13接触不良，而造成电性不佳，因而影响产品良率。
[0008]因此，如何在克服现有技术中的问题，实为业界迫切待解的课题。
【发明内容】
[0009]鉴于上述现有技术的缺失，本发明的目的为提供一种封装结构的制法，以简化制程。
[0010]本发明的封装结构的制法，包括:提供一具有多个焊垫的承载件；压合一压合体于该承载件上，该压合体包含增层部与尺寸小于该增层部的离型部，该离型部覆盖该些焊垫，且该增层部压合于该离型部与该承载件上；形成多个导电柱于该增层部中；以及移除该离型部及其上的增层部，以形成开口于该压合体上，使该些焊垫外露于该开口，且该些导电柱位于该开口周围。
[0011]前述的制法中，该承载件为预浸材、聚丙烯基板、树脂玻璃纤维基板或聚醢亚胺基板。
[0012]前述的制法中，该离型部包含相叠的第一金属层与第二金属层，且该第一金属层结合至该些焊垫与该承载件上。例如，该第一金属层与第二金属层之间物理性靠合，且该第二金属层在该承载件上的投影面积小于该第一金属层在该承载件上的投影面积。
[0013]前述的制法中，该导电柱的形成步骤包括先形成贯穿该增层部的多个穿孔，再于该些穿孔中填充导电材料以作为该导电柱。
[0014]前述的制法中，该增层部还具有电性连接该导电柱的线路层。
[0015]前述的制法中，设置堆栈件至该增层部上，且该堆栈件电性连接该导电柱，例如，该堆栈件为基板、半导体芯片、硅中介板、经封装或未经封装的半导体组件。
[0016]前述的制法中，移除该离型部及其上的增层部的步骤包括:激光切割该增层部，以移除部分该离型部与其上的增层部；以及蚀刻移除剩余的该离型部。
[0017]另外，前述的制法中，还包括设置电子组件于该开口中，且该电子组件电性连接该些焊垫。
[0018]由上可知，本发明封装结构及其制法，主要藉由在该承载件上压合该增层部以制作导电柱，而能增加隔离效果及避免桥接现象。
[0019]此外，藉由该些穿孔控制各该导电柱的尺寸，使各该导电柱的高度一致，以避免接点偏移的问题，所以相较于现有技术，后续制程的导电组件与该些导电柱不会发生接触不良或短路的问题，因而能有效提闻广品良率。
【附图说明】
[0020]图1A至图1B为现有封装堆栈结构的制法的剖视示意图；以及
[0021]图2A至图2G为本发明封装结构的制法的剖视示意图。
[0022]符号说明
[0023]1封装堆栈结构
[0024]11第一基板
[0025]1 la, 250a第一表面
[0026]lib, 250b第二表面
[0027]12第二基板
[0028]13铜柱
[0029]15，28电子组件
[0030]16封装胶体
[0031]17,291导电组件
[0032]170金属柱
[0033]171焊锡材料
[0034]2封装结构
[0035]21承载件
[0036]21a表面
[0037]210焊垫
[0038]211电性连接垫
[0039]22压合体
[0040]22a增层部
[0041]22b离型部
[0042]220开口
[0043]23介电层
[0044]241第一金属层
[0045]242第二金属层
[0046]25支撑板
[0047]250板体
[0048]251导体层
[0049]251’线路层
[0050]26导电柱
[0051]260穿孔
[0052]27绝缘保护层
[0053]280底胶
[0054]281导电凸块
[0055]29堆栈件
[0056]A承载区
[0057]B投影面积
[0058]S切割路径。
【具体实施方式】
[0059]以下藉由特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明也可藉由其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
[0060]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本创作可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本创作所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本创作所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如「第一」、「第二」、「上」及「一」等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用于限定本创作可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0061]请参阅图2A至图2F为显示本发明的封装结构的制法示意图。
[0062]如图2A所示，提供一压合体22、及一具有多个焊垫210与多个电性连接垫211的承载件21。
[0063]于本实施例中，该承载件21为预浸材、聚丙烯基板、树脂玻璃纤维基板或聚醢亚胺基板，且该承载件21定义有一承载区A，使该些焊垫210位于该承载区A内，而该电性连接垫211位于该承载区A外。
[0064]